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电子学报  2018, Vol. 46 Issue (10): 2546-2550    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.032
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半导体器件内离子有效LET值测量方法研究
史淑廷, 郭刚, 刘建成, 蔡莉, 陈泉, 沈东军, 惠宁, 张艳文, 覃英参, 韩金华, 陈启明, 张付强, 殷倩, 肖舒颜
中国原子能科学研究院核物理所, 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心, 北京 102413
Study of Measurement of the Ion Effective LET in Semiconductor Devices
SHI Shu-ting, GUO Gang, LIU Jian-cheng, CAI Li, CHEN Quan, SHEN Dong-jun, HUI Ning, ZHANG Yan-wen, QIN Ying-can, HAN Jin-hua, CHEN Qi-ming, ZHANG Fu-qiang, YIN Qian, XIAO Shu-yan
Department of Nuclear Physics, China Institute of Atomic Energy, National Innovation Center of Radiation Application, Beijing 102413, China

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