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电子学报  2018, Vol. 46 Issue (5): 1128-1132    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016
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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
崔江维1, 郑齐文1, 余德昭2, 周航1,2, 苏丹丹1,2, 马腾1,2, 魏莹1,3, 余学峰1, 郭旗1
1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐, 新疆 830011;
2. 中国科学院大学,北京 100049
Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET
CUI Jiang-wei1, ZHENG Qi-wen1, YU De-zhao2, ZHOU Hang1,2, SU Dan-dan1,2, MA Teng1,2, WEI Ying1,3, YU Xue-feng1, GUO Qi1
1. The Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi, Xinjiang 830011, China;
2. University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China

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