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电子学报  2018, Vol. 46 Issue (10): 2495-2503    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.025
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纳米SRAM寄生双极晶体管效应的仿真研究
赵雯1,2, 郭晓强1,2, 陈伟2, 罗尹虹2, 王汉宁3
1. 西安交通大学核科学与技术学院, 陕西西安 710049;
2. 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 陕西西安 710024;
3. 北京微电子技术研究所, 北京 100076
Simulation of Parasitic Bipolar Transistor Effect in Nanometric SRAM
ZHAO Wen1,2, GUO Xiao-qiang1,2, CHEN Wei2, LUO Yin-hong2, WANG Han-ning3
1. School of Nuclear Science and Technology, Xi'an Jiaotong University, Xi'an, Shaanxi 710049, China;
2. State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi'an, Shaanxi 710024, China;
3. Beijing Microelectronics Technology Institute, Beijing 100076, China

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