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电子学报  2019, Vol. 47 Issue (11): 2317-2322    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.012
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高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究
李浩1,2, 任建伟1, 杜寰1
1. 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;
2. 中国科学院大学, 北京 100049
The Electrical Mechanism Study of High-Ruggedness N-Channel RF-LDMOS Under TLP Stress
LI Hao1,2, REN Jian-wei1, DU Huan1
1. Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;
2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

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