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电子学报  2018, Vol. 46 Issue (11): 2768-2772    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.11.026
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对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型
辛艳辉1, 袁合才2, 辛洋3
1. 华北水利水电大学信息工程学院, 河南郑州, 450046;
2. 华北水利水电大学数学与统计学院, 河南郑州, 450046;
3. 水利勘查设计研究院, 山东德州, 253014
Analytical Models of Subthreshold Current and Subthreshold Slope for Symmetrical Triple-Material Double-Gate s-Si MOSFETs
XIN Yan-hui1, YUAN He-cai2, XIN Yang3
1. Department of Information and Engineering, North China University of Water Resources and Electric Power, Zhengzhou, Henan 450046, China;
2. Department of Mathematics and Information Science, North China University of Water Resources and Electric Power, Zhengzhou, Henan 450046, China;
3. Water Conservancy Survey and Design Institute, Dezhou, Shandong 253014, China

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