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电子学报  2019, Vol. 47 Issue (11): 2432-2437    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.027
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一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道MOSFET阈值电压解析模型
辛艳辉, 段美霞
华北水利水电大学物理与电子学院, 河南郑州, 450046
An Analytical Model of Threshold Voltage for the Asymmetrical Double-Material-Gate Strained Si HALO Doping Channel MOSFET
XIN Yan-hui, DUAN Mei-xia
School of Physics and Electronics, North China University of Water Resources and Electric Power, Zhengzhou, Henan 450046, China

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