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电子学报  2020, Vol. 48 Issue (2): 314-320    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.02.014
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3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究
张明明1,2,3, 王颀1,2,3, 井冲3, 霍宗亮1,2,3
1. 中国科学院大学微电子学院, 北京 100049;
2. 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;
3. 长江存储科技有限公司, 湖北武汉 201203
Investigation of the Data Retention Initial State Dependence in 3D NAND Flash Memory
ZHANG Ming-ming1,2,3, WANG Qi1,2,3, JING Chong3, HUO Zong-liang1,2,3
1. School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
2. Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;
3. Yangze Memory Technologies Company, Wuhan, Hubei 201203, China

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