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电子学报  2001, Vol. 29 Issue (2): 164-167    DOI:
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漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制
张盛东1, 韩汝琦1, Tommy Lai2, Johnny Sin2
1. 北京大学微电子学研究所,北京 100871;2. 香港科技大学电机电子工程系,香港
Development of High Voltage Thin Film SOI Device with Linearly Doped Drift Region
ZHANG Sheng-dong1, HAN Ru-qi1, Tommy Lai2, Johnny Sin2
1. Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;2. Dept.of EEE,The Hong Kong University of Science and Technology,China

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