VLSI金属互连线1/f γ噪声指数与电迁移失效

杜 磊;庄奕琪;薛丽君

电子学报 ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (2) : 183-185.

PDF(107 KB)
PDF(107 KB)
电子学报 ›› 2003, Vol. 31 ›› Issue (2) : 183-185.
论文

VLSI金属互连线1/f γ噪声指数与电迁移失效

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

Correlation between Frequency Exponent of 1/f γ Noise and Electromigration Failure in VLSI Interconnections

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
文章历史 +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2003, 31(2): 183-185
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2003, 31(2): 183-185
中图分类号:

参考文献

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
PDF(107 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航
相关文章

/