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电子学报  2002, Vol. 30 Issue (8): 1229-1231    DOI:
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NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较
何宝平, 王桂珍, 周 辉, 罗尹虹, 姜景和
西北核技术研究所西安市69信箱六室,陕西西安 710024
A Comparison of Ionizing Radiation Damage in NMOSFET Device from Different Radiation Resources and Different Dose Rate 60Co Gamma Rays
HE Bao-ping, WANG Gui-zhen, ZHOU Hui, LUO Yin-hong, JIANG Jing-he
Northwest institute of nuclear technology,xi'an 69mail box No.6 laboratory,Xi'an,Shaanxi 710024,China

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