陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

吕红亮;张义门;张玉明;车 勇;王悦湖;邵 科

电子学报 ›› 2008, Vol. 36 ›› Issue (5) : 933-936.

PDF(498 KB)
PDF(498 KB)
电子学报 ›› 2008, Vol. 36 ›› Issue (5) : 933-936.
论文

陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

The Influence of Trapping Effect on Frequency Characteristics in 4H-SiC MESFETs L Hong-liang1,ZHANG Yi-men1,ZHANG Yu-ming1,CHE Yong2,WANG Yue-hu 1,SHAO Ke1

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
文章历史 +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2008, 36(5): 933-936
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2008, 36(5): 933-936
中图分类号:

参考文献

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
PDF(498 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航
相关文章

/