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电子学报  2001, Vol. 29 Issue (11): 1519-1521    DOI:
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全耗尽SOIMOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
万新恒, 张 兴, 谭静荣, 高文钰, 黄 如, 王阳元
北京大学微电子学研究所,北京 100871
A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET
WAN Xin-heng, ZHANG Xing, TAN Jing-rong, GAO Wen-yu, HUANG Ru, WANG Yang-yuan
Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China

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