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电子学报  2000, Vol. 28 Issue (5): 68-70    DOI:
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FLOTOXEEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
于宗光, 徐征, 叶守银, 张国华, 黄卫, 王万业, 许居衍
信息产业部无锡微电子科研中心,无锡 214035
The Research of Trapped Charges in FLOTOX EEPROX Tunnel Oxide During Erase/Write Cycles
YU Zong-guang, XU zheng, YE Shou-yin, ZHANG Guo-hua, HUANG Wei, WANG Wan-ye, XU Ju-yan
Wuxi Microelectronics Institute,Wuxi 214035,China

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