FLOTOXEEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

于宗光;徐征;叶守银;张国华;黄卫;王万业;许居衍

电子学报 ›› 2000, Vol. 28 ›› Issue (5) : 68-70.

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FLOTOXEEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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The Research of Trapped Charges in FLOTOX EEPROX Tunnel Oxide During Erase/Write Cycles

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2000, 28(5): 68-70
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2000, 28(5): 68-70
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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