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电子学报  2002, Vol. 30 Issue (2): 298-300    DOI:
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改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管
何 进1, 张 兴1, 黄 如1, 林晓云2, 何泽宏2
1. 北京大学微电子学研究所,北京 100871;2. 绵阳应用电子技术研究所,四川绵阳 646300
Linearly-Graded Drift Region-Doped (LGDRD) RESURF LDMOS with an Improved Trade-off between the Breakdown Voltage and On-Resistance
HE Jin1, ZHANG Xing1, HUANG Ru1, LING Xiao-yun2, HE Zhe-hong2
1. Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;2. Institute of Application Electrical Technology,Mianyang,Sichuan 646300

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