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电子学报  2001, Vol. 29 Issue (2): 157-159    DOI:
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6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟
尚也淳, 张义门, 张玉明
西安电子科技大学微电子所,西安 710071
Monte Carlo Study of Electron Transport in Inversion Layer of 6H-SiC MOS Structure
SHANG Ye-chun, ZHANG Yi-men, ZHANG Yu-ming
Microelectronics Institute,Xidian University,Xi'an 710071,China

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