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电子学报  2016, Vol. 44 Issue (1): 130-134    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.01.019
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1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究
黄宇, 刘斯扬, 顾春德, 马荣晶, 孙伟锋
东南大学国家ASIC工程中心, 江苏南京 210096
The Degradation Mechanism for 1.2kV SiC MOSFET Under Unclamped Repetitive Stress
HUANG Yu, LIU Si-yang, GU Chun-de, MA Rong-jing, SUN Wei-feng
National ASIC System Engineering Technology Research Center, Southeast University, Nanjing, Jiangsu 210096, China

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