Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

徐小波, 张林, 王晓艳, 谷文萍, 胡辉勇, 葛建华

电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (7) : 1763-1771.

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电子学报 ›› 2016, Vol. 44 ›› Issue (7) : 1763-1771. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.07.035
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Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Review on Early Effect Model of Si and SiGe Transistors and Applications to Circuit Simulators

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2016, 44(7): 1763-1771 https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2016.07.035
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2016, 44(7): 1763-1771 https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2016.07.035
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{{article.reference}}

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