%0 Journal Article %A 崔江维 %A 郑齐文 %A 余德昭 %A 周航 %A 苏丹丹 %A 马腾 %A 魏莹 %A 余学峰 %A 郭旗 %T 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 %D 2018 %R 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016 %J 电子学报 %P 1128-1132 %V 46 %N 5 %X 随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离(STI)区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考. %U https://www.ejournal.org.cn/CN/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.016