%0 Journal Article %A 任红霞 %A 郝跃 %A 许冬岗 %T 深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响 %D 2001 %R %J 电子学报 %P 160-163 %V 29 %N 2 %X 基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析,并与常规平面器件的相应特性进行了比较.结果表明即使在深亚微米范围,槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应,且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著,同时对所得结果从内部物理机制上进行了分析解释. %U https://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/article_1386.shtml