%0 Journal Article %A 柯导明 %A 陈军宁 %T 高压LDMOS导通电阻的高温特性分析 %D 2002 %R %J 电子学报 %P 1111-1113 %V 30 %N 8 %X 本文提出了高压LDMOS的高温等效电路,讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃~300℃范围内随温度变化规律.根据本文分析:源漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度;导通电阻与温度的关系是(T/T1)y(y为1.5~2.5). %U https://www.ejournal.org.cn/CN/abstract/article_4292.shtml