%0 Journal Article %A 陈晓娟 %A 陈东阳 %A 吴洁 %T CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究 %D 2016 %R 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.11.012 %J 电子学报 %P 2646-2652 %V 44 %N 11 %X

为了表征CMOS反相器的可靠性,从其负载电流和输出电压的特性入手,详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型,并由实验数据验证了模型的准确性.由实验结果可知,负载电流功率谱密度随频率的增加而减小,遵循1/f噪声的变化规律;得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系.通过深入研究1/f 噪声与界面态陷阱密度的关系,验证了1/f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性,证明了噪声幅值越大,器件可靠性越差,失效率显著增大,为评价CMOS反相器的靠性提供了一种可行及有效的方法.

%U https://www.ejournal.org.cn/CN/10.3969/j.issn.0372-2112.2016.11.012