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本刊包含 ZTFLH 号为 "TN386.1" 的文章:
726 周郁明, 刘航志, 杨婷婷, 陈兆权
  SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比
    电子学报   2019 Vol.47 (3): 726-733 [摘要] (121) [HTML 1 KB] [PDF 5607 KB] (405)
2495 赵雯, 郭晓强, 陈伟, 罗尹虹, 王汉宁
  纳米SRAM寄生双极晶体管效应的仿真研究
    电子学报   2018 Vol.46 (10): 2495-2503 [摘要] (127) [HTML 1 KB] [PDF 4103 KB] (154)
1128 崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹, 余学峰, 郭旗
  沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
    电子学报   2018 Vol.46 (5): 1128-1132 [摘要] (165) [HTML 1 KB] [PDF 964 KB] (240)
348 刘斯扬, 于朝辉, 张春伟, 孙伟锋, 苏巍, 张爱军, 刘玉伟, 吴世利, 何骁伟
  不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究
    电子学报   2016 Vol.44 (2): 348-352 [摘要] (195) [HTML 1 KB] [PDF 3576 KB] (485)
94 韩名君, 柯导明
  超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
    电子学报   2015 Vol.43 (1): 94-98 [摘要] (164) [HTML 1 KB] [PDF 1328 KB] (1121)
2237 韩名君, 柯导明, 王保童, 王敏, 徐春夏
  亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
    电子学报   2013 Vol.41 (11): 2237-2241 [摘要] (243) [HTML 1 KB] [PDF 1162 KB] (898)
2242 杨红官, 朱坤顺, 朱晓君
  基于Savitzky-Golay滤波器的MOSFET阈值电压提取技术
    电子学报   2013 Vol.41 (11): 2242-2246 [摘要] (468) [HTML 1 KB] [PDF 2148 KB] (1029)
844 代月花;高 珊;柯导明;陈军宁
  基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS阈值电压模型
    电子学报   2007 Vol.35 (5): 844-848 [摘要] (798) [HTML 0 KB] [PDF 411 KB] (767)
1793 闾 锦;施 毅;濮 林;杨红官;杨 铮;郑有
  复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟
    电子学报   2004 Vol.32 (11): 1793-1795 [摘要] (798) [HTML 0 KB] [PDF 314 KB] (514)
2063 郝跃, 韩晓亮, 刘红侠
  超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
    电子学报   2003 Vol.31 (S1): 2063-2065 [摘要] (354) [HTML 1 KB] [PDF 347 KB] (1405)
1126 廖怀林;黄 如;张 兴;王阳元
  一种直接提取噪声温度参数的方法
    电子学报   2001 Vol.29 (8): 1126-1128 [摘要] (742) [HTML 0 KB] [PDF 156 KB] (568)
145 施 毅;袁晓利;吴 军;杨红官;顾书林;韩 平;郑有
  硅纳米晶粒基MOSFET存储器的荷电特征研究
    电子学报   2001 Vol.29 (2): 145-147 [摘要] (751) [HTML 0 KB] [PDF 123 KB] (741)
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