| 2005, Vol. 33(11): 2056-2058 DOI: | ||
| 应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型 | ||
| 胡辉勇, 张鹤鸣, 戴显英, 王顺祥, 朱永刚, 区健锋, 俞智刚, 马何平, 王喜媛 | ||
| 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071 | ||
| 收稿日期 2004-12-14 修回日期 2005-03-14 | ||
| Supporting info | ||
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创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会 ISSN 0372-2112 CN 11-2087/TN
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