%0 Journal Article
%A 吴克军
%A 李则鹏
%A 张宁
%A 朱坤峰
%A 易波
%A 赵建明
%A 徐开凯
%T 标准CMOS工艺低压栅控硅发光器件设计与制备
%D 2021
%R 10.12263/DZXB.20200522
%J 电子学报
%P 1013-1018
%V 49
%N 5
%X 本文采用0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的低压栅控硅基发光器件.该光源器件内部采用n+-p+-p+-n+-p+-p+-n+的叉指结构,在相邻两个p+有源区之间覆盖多晶硅栅作为第三端控制电极,用于在源/漏区边缘形成场诱导结,降低p+/n-well结的反向击穿电压,提高器件发光功率.测试结果表明,该光源器件可以发射420nm~780nm的黄色可见光,在3V的正向栅压下,p+/n-well发光二极管的反向击穿电压下降到3V以下,光输出功率提高至2倍以上.本文设计的光源器件工作电压较低,并且与CMOS工艺完全兼容,可以与其他CMOS电路共用电源并且实现单片集成,在硅基光电子集成领域具有一定的应用价值.
%U https://www.ejournal.org.cn/CN/10.12263/DZXB.20200522