%0 Journal Article %A 文溢 %A 陈建军 %A 梁斌 %A 池雅庆 %A 黄俊 %T 28nm CMOS工艺8-Gbps SerDes单粒子辐射特性研究 %D 2022 %R 10.12263/DZXB.20211691 %J 电子学报 %P 2653-2658 %V 50 %N 11 %X

本文研究了28nm体硅CMOS工艺下8-Gbps通用结构高速并转串/串转并接口(Serializer/Deserializer,SerDes)的单粒子辐射特性,该SerDes由电压模发送器(Transmitter,TX)和相位插值(Phase Interpolation,PI)型接收器(Receiver,RX)组成,通过双指数电流源对整个SerDes的TX和RX进行了单粒子效应仿真,仿真结果表明该SerDes的TX和RX均会发生单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET),且主要敏感节点包括:D触发器,采样器和时钟相位插值器.进一步采用脉冲激光对整个SerDes进行了扫描测试,测试结果验证了仿真结论.该研究为抗辐射SerDes的研制提供了重要的理论依据.

%U https://www.ejournal.org.cn/CN/10.12263/DZXB.20211691