%0 Journal Article %A 徐叶 %A 张培勇 %A 李豪 %A 黄开天 %T 一种具有自适应优化电源抑制比的低静态电流无片外电容LDO %D 2022 %R 10.12263/DZXB.20201137 %J 电子学报 %P 1674-1683 %V 50 %N 7 %X

为改善无片外电容LDO(Capacitor-Less Low-DropOut regulator,CL-LDO)的电源抑制比(Power Supply Rejection,PSR),本文提出一种低静态电流PSR自适应优化方案.采用push-pull放大器,避免复杂的频率补偿电路与片外大电容,缩小了面积.为优化中频段PSR,在功率管栅极注入一个与频率相关的补偿电流.采用低静态电流的补偿电流动态调整方案,减小压差和负载电流变化对PSR优化效果的影响.该LDO基于0.11 μm CMOS工艺,芯片面积为0.026 mm2.测试结果表明,在0.1~80 mA负载电流下,静态电流最大值为55 μA.在8 kHz到1 MHz频率范围内,在不同压差和负载电流下,PSR最大优化值为21~37 dB.

%U https://www.ejournal.org.cn/CN/10.12263/DZXB.20201137