%0 Journal Article %A 余振兴 %A 冯军 %T 一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析 %D 2015 %R 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.02.031 %J 电子学报 %P 405-411 %V 43 %N 2 %X

本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2dB至4dB,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50dB.整个电路的直流功耗小于32mW.

%U https://www.ejournal.org.cn/CN/10.3969/j.issn.0372-2112.2015.02.031