%0 Journal Article %A 谷文萍 %A 张林 %A 杨鑫 %A 全思 %A 徐小波 %A 杨丽媛 %A 刘盼芝 %T 质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响 %D 2016 %R 10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027 %J 电子学报 %P 1445-1449 %V 44 %N 6 %X

分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和SiN钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段.

%U https://www.ejournal.org.cn/CN/10.3969/j.issn.0372-2112.2016.06.027