2000年, 第28卷, 第8期 刊出日期:2000-08-25
  

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    论文
  • 牛夏牧;陆哲明;孙圣和
    电子学报. 2000, 28(8): 1-4.
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    本文提出一种基于多分辨率分解的数字水印技术.利用多分辨率分解技术,相同分辨率层次的灰度级数字水印嵌入到对应的相同分辨率层次的原始静态图像之中,使水印对原始图像具有自适应性.由于水印的嵌入过程是基于原始图像的不同分辨率层次之间的关系,所以水印的提取过程不需要原始图像.实验结果表明本文提出的数字水印技术,经某些图像处理操作和JPEG有损压缩后仍是鲁棒的.
  • 张良忠;金伟其;周立伟
    电子学报. 2000, 28(8): 5-8.
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    本文给出了逸出电子在最佳像面上落点的均方根半径值及直观图形表示;以实际管型为例,βeta分布取β1,8至β2,1,检验了均方根半径的变化状况,证明了理论分析的正确性;从数据上检验了均方根半径不仅可以表征系统鉴别率特性的好坏,而且和调制传递函数的优劣在像面上是一一对应的;证明了用指数形式表示系统的调制传递函数具有计算速度快、形式简洁、使用方便,并且在低频空间具有足够的精度.
  • 武晓海;乔长阁;殷 莉;洪先龙
    电子学报. 2000, 28(8): 9-12.
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    在超大规模集成电路的设计中,BBL是一种新的具有良好发展前景的布图模式.对于这种模式下电源和地线的设计和优化,至今还没有很好的讨论.本文提出了一种针对BBL模式的高效电源/地线网络的设计与优化算法.该算法分为三个步骤:首先扫描出布线通道,然后按照几个布线原则和代价函数形成供电森林的拓扑结构,最后使用拉格朗日乘子法对线宽进行迭代优化以求得最小的布线面积.实验证明,该算法的运算速度很快,而且能够大幅度降低电源和地线所占用的布线资源,同时耗费的内存很小.
  • 张 彬;马仁志;徐才录;魏秉庆;梁 吉;吴德海
    电子学报. 2000, 28(8): 13-15.
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    本文研究了基于碳纳米管的法拉级双电层电容器极板的制备,使用碳纳米管和酚醛树脂混合成型作为极板的双电层电容器获得了15~25F/g的容量.通过测试所制电容器的主要电性能参数并与传统的活性炭极板对比,表明具有高的比表面积和良好晶化程度的碳纳米管用以制备双电层电容器极板具有潜在的优势.
  • 幸玲玲;席保锋;盛剑霓
    电子学报. 2000, 28(8): 16-19.
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    本文提出一种快速识别金属材料中缺陷的位置、形状和大小的新方法.该方法用位于分界面上的多个等效线圈产生的场等效逼近因缺陷存在引起的扰动场,使逆问题的求解中每次需用数值方法求解正问题的过程转变为每次用解析法求解正问题.缺陷的重构速度比用体积分方程法提高十倍以上.直线裂缝和十字型裂缝的重构计算证明本文方法是正确的和快速有效的.
  • 常继传;李克勤;郭立峰;梅 宏;杨芙清
    电子学报. 2000, 28(8): 20-23.
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    可复用构件的表示和检索是构件库和软件复用研究的重点,它伴随复用实践的深入和新技术的出现而不断取得进展.青鸟构件库系统以青鸟构件模型为基础,采用以刻面分类为主、多种分类模式相结合的方法对构件分类索引,支持多种构件查询方式的组合使用.本文介绍了青鸟Ⅲ型构件库系统中可复用软件构件的分类表示模式,以及构件检索机制的体系结构、设计依据和系统特性.
  • 彭雄宏;周宗潭;王正志
    电子学报. 2000, 28(8): 24-23.
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    计算机立体视觉中,获取含单目特征的立体图像对中特征的视差分布一直是个难点.有别于传统的基于特征属性的匹配,本文在FACADE(Form-And-Color-And-Depth)视觉理论及其神经元动力学方程基础上,构造出FACADE"双侧竞争"双目滤波器,它采用不同的竞争策略对表示单目特征的神经元和表示双目特征的神经元分别进行处理,从而将立体图像对中处于不同深度上的特征分配到不同的神经元表示平面上.实验结果表明用神经元动力学方法来获取包含单目特征的立体图像对的视差分布是可行的.
  • 王意洁;王勇军;胡守仁
    电子学报. 2000, 28(8): 28-31.
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    本文针对面向对象数据库及其查询的特点,提出了一种基于合格标记的数据操作并行执行算法,理论分析和模拟结果都验证了它的实用性和有效性.
  • 吴 杰;冯振明;袁 坚;刘文利
    电子学报. 2000, 28(8): 32-34.
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    Internet的迅速发展使得计算机网络的资源分配成为数据通信研究领域的热点.在Internet由单一服务质量过渡到支持多种服务质量的过程中,传输控制协议(TCP)将一直是主要的端到端的资源分配方案.本文深入分析了具有不同传输延时的TCP连接竞争资源时的公平性.研究表明,TCP算法对具有较大传输延时的连接具有不公平性.当竞争带宽的各连接的传输延时按比例减小时,小传输延时的连接对大传输延时的连接的抑制性相对减弱,这种不公平性将减弱.结论对于TCP算法的改进具有重要意义,同时这种不公平性对于设计分级服务方案将有很好的应用前景.
  • 江建慧;施鸿宝
    电子学报. 2000, 28(8): 35-38.
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    本文以广义故障安全系统理论、数字电路的并发差错定位概念为基础,提出了一种健壮故障安全系统理论.一个基本健壮故障安全电路是由一个实现电路基本功能的基本功能电路和一个差错定位转换器所组成的.健壮故障安全电路具有并发差错定位能力.文中定义了表征健壮故障安全电路和差错定位转换器的基本特性;证明了基本功能电路与差错定位转换器互连,以构造几种具有不同健壮故障安全特性的基本电路所需满足的条件;最后还用电路实例说明了该理论的应用.
  • 陈 龙;王国胤;刘心松;聂 能
    电子学报. 2000, 28(8): 39-42.
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    本文研究了邮政运输调度问题的数学模型和相应的神经网络求解模型.针对邮政运输调度问题的特点和神经网络求解模型中存在的问题,提出了一种启发式算法,实验仿真结果表明启发式算法具有较好的性能.
  • 葛 云;舒华忠;罗立民
    电子学报. 2000, 28(8): 43-45.
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    本文提出了一种新的基于多边形的周期性曲率函数和相关性的相似区域的线性配准方法.得到了简单且有效的新的线性配准方法,它在医学图像多模态数据的配准、融合中具有重要的实用价值.
  • 刘 锋;陈小利;穆肇骊;邱祖廉
    电子学报. 2000, 28(8): 46-48.
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    本文对Genesio混沌系统,进行线性输出反馈同步,并实现了混沌同步保密通讯.基于线性稳定性定理,给出了一个同步渐近稳定的充分条件及其同步稳定的反馈系数范围,保证了响应系统信息信号的准确恢复.并对同步通讯系统进行数值仿真,验证了方法的有效性.
  • 章献民;吴哲夫;孙润光;李文连;陈抗生
    电子学报. 2000, 28(8): 49-51.
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    本文报道一种以铕钆络合物(Eu0.1Gd0.9)(TTA)3(TPPO)2为发光材料的新型有机电致发光器件,该器件工作在77K至300K间不同温度时,电致发光呈现不同的颜色.研究分析表明,温度变色现象源于铕钆络合物配体三重态磷光强度对温度的依赖特性和铕钆络合物之间的能量转移.本文研究了不同温度下,铕钆铬合物配体三重态的磷光强度及三价铕离子荧光强度随温度的变化特性,测定了铕钆络合物的荧光和磷光量子效率.
  • 郭 靖;蒋建飞;蔡琪玉 (上海交通大学微电子研究所;上海 0000)
    电子学报. 2000, 28(8): 52-54.
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    本文首先给出了SOI上纳米金属-氧化物-半导体场效应晶体管(NANO-MOSFET)的结构,它是一种非传统MOSFET.NANO-MOSFET源漏区采用金属,沟道采用本征硅,该结构避免了传统MOSFET的短沟道效应.利用一组基本器件方程式,我们模拟并分析了 NANO-MOSFET的基本特性.计算表明,NANO-MOSFET在一定范围内源漏电导受栅极电压显著调控,适用于各种数字电路,包括存储单元.另外,选取合适的直流偏置点,NANO-MOSFET可用作模拟小信号放大器.
  • 李 壮;甘仲民
    电子学报. 2000, 28(8): 55-58.
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    本文给出对RC串联型,并联型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法.以HFET-1000管芯为例,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的6-12GHz的输入输出阻抗匹配网络与传统的切比雪夫型相比,所用的L,C元件数不足后者的一半且其增益、稳定性及平坦度均有明显的改善.
  • 林立谨;张 敏
    电子学报. 2000, 28(8): 59-62.
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    薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关.本文研究了在恒电流TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown) 应力条件下8.9nm薄氧化层的电学特性退化、击穿情况.研究表明,电子在穿越SiO2晶格时与晶格相互作用产生陷阱,当陷阱密度达到某一临界密度Nbd时,氧化层就击穿.Nbd可以用来表征氧化层的质量,与测试电流密度无关.击穿电量Qbd随测试电流密度增大而减小可用陷阱产生速率的增长解释.临界陷阱密度Nbd随测试MOS电容面积增大而减小,这与统计理论相符.统计分析表明,对于所研究的薄氧化层,可看作由面积为2.56×10-14cm2的"元胞"构成,当个别"元胞"中陷阱数目达到13个时,电子可通过陷阱直接隧穿,"元胞"内电流突然增大,产生大量焦耳热,形成欧姆通道,氧化层击穿.
  • 徐 晨;沈光地;邹德恕;陈建新;李建军;罗 辑;魏 欢;周 静;董 欣
    电子学报. 2000, 28(8): 63-65.
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    从模拟和实验两方面研究了SiGe/Si HBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响.发现两界面偏离时器件性能会变差.尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十?就足以产生相当高的电子寄生势垒,严重恶化器件的性能.据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用.
  • 郑元芬;郭维廉;张世林;张培宁;李树荣;郑云光;陈弘达;吴荣汉;林世鸣;芦秀玲
    电子学报. 2000, 28(8): 66-68.
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    在本文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究.硅光电负阻器件包括有各种类型,本文主要对"λ"型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论.
  • 来金梅;张 明;姚庆栋;陈晓初
    电子学报. 2000, 28(8): 69-71.
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    本文给出了研制中的0.35μm CMOS工艺的超大规模并行阵列处理芯片BAP1024(Bit-serial Array Processor with 1024 process elements)的主要结构、EDA工具实现及参数指标.
  • 黄伟民;陆鑫达;曾国荪
    电子学报. 2000, 28(8): 72-75.
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    异构并行计算由于其较高性能价格比而在高性能科学计算和通用应用领域受到广泛研究.但由于异构并行程序设计与性能分析仍处于经验阶段,开发实用程序较为困难.本文提出异构环境中的HBSP模型,并导出相应的开销预测方法,能有效指导异构并行程序的设计与分析.所设计并实现的HBSP模型的通信协议能运行于所有支持MPICH软件包的计算平台.最后以并行FFT算法为例,给出相应的算法设计和实际测试结果.
  • 郝 跃;马佩军;张卫东;赵天绪
    电子学报. 2000, 28(8): 76-78.
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    基于微电子测试双桥结构,本文给出了缺陷特征参数提取方法.这些特征参数包含了缺陷在硅片上的空间分布和粒径(直径)分布,它们对集成电路功能成品率仿真是重要的.
  • 邹红星;周小波;李衍达
    电子学报. 2000, 28(8): 78-84.
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    时频分析旨在构造一种时间和频率的密度函数,以揭示信号中所包含的频率分量及其演化特性.本文以抑制Wigner-Ville分布中的交叉项干扰为主线,综述了时频分析的历史沿革、面临的挑战,及在一些领域中的应用.
  • 孙圣和;陆哲明
    电子学报. 2000, 28(8): 85-90.
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    近年来,数字水印技术开始广泛用于数字图像,音频,视频和多媒体产品的版权保护.本文综述了数字水印技术的起源,分类和算法.本文提出了水印处理技术基本框架和基本要求,介绍了现有的各种水印生成算法,水印嵌入算法和水印检测算法,提出了几种有效的算法和研究思路,并展望了水印处理技术的应用前景.
  • 陆哲明;潘正祥;孙圣和
    电子学报. 2000, 28(8): 91-93.
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    本文提出了一种新颖的快速矢量量化编码算法.该算法在编码前预先计算每个码字的四个特征量,然后根据各特征量的升序排列分别对码字进行排序以生成四个排序码书.在编码过程中,对于不同的输入矢量,自适应产生不同的动态码字搜索范围及顺序而排除大部分码字.测试结果表明,本文算法只需搜索3%到8%码字而获得与穷尽搜索算法相近的编码质量,实际编码时间减少约93%.
  • 陈学青;罗航哉;薛向阳;吴立德
    电子学报. 2000, 28(8): 94-96.
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    本文提出一种新的快速图像检索方法,它用格矢量量化器对特征矢量进行量化和描述,用倒排文件和Hash表存储和索引量化后的特征矢量,利用代数格良好的几何和代数性质实现快速检索.最后,本文分析了新方法的检索性能,并给出实验结果.
  • 孔祥维;李国平
    电子学报. 2000, 28(8): 97-99.
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    本文在矢量量化中引入了分辨率思想,并从分辨率的角度考察了原有算法,针对它们在分辨率方面存在的缺点,提出了一种典型的分辨率调制方法以及相应高分辨率算法,实验也取得了令人满意的对比结果.
  • 闫金良;赵银女;朱长纯
    电子学报. 2000, 28(8): 100-101.
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    提出利用静电贴膜技术制备无碳污染MCP电子透射膜工艺方案,探讨了贴膜与辉光气体放电的关系,制备了4nm厚MCP电子透射膜.实验测得该电子透射膜的成分只有铝和氧元素,MCP带膜前、后的体电阻和暗电流没有变化,MCP带膜后电子增益略有增加.
  • 王东霞;窦文华;周兴铭
    电子学报. 2000, 28(8): 102-103.
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    网络生存性是ATM网络中亟待解决的问题.本文在深入分析ATM中故障恢复机制的基础上,指出在恢复过程中存在着恢复调度问题.针对各种服务对恢复时限的不同要求,提出了一种优先级恢复调度策略,P-RS策略.经模拟分析显示,该策略可以提高网络的有效恢复率,增强了网络的生存性.
  • 李 蕾;钟义信
    电子学报. 2000, 28(8): 104-106.
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    本文介绍了智能型自动文摘系统Ladies中汉语复杂语句的化简分析方法——义块组配及其实现.在使用全信息词典对词的语法、语义、语用信息进行全方位描述的基础上,义块组配对复杂句进行语义聚合,将被扩展的各个成分合并成能充分表达语法、语义信息的义块,从而大大简化了语法语义分析过程,为进一步的句子语义、语用分析和篇章理解打下了一个良好的基础.
  • 尤志强;张大方;刘先霞
    电子学报. 2000, 28(8): 107-109.
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    本文在布尔过程论的基础上运用布尔运算定义了波形空间,波形空间中的每一个元素为一波形,定义了波形的距离和极限,从数学角度推导出了波形与波形空间的许多性质,进一步完善了布尔过程论.并在此基础上定义了延迟算子,推导了延迟算子的性质,论证了定义的距离的连续性和给出通路敏化的条件,展示了布尔过程论的应用前景.
  • 黄萱菁;吴立德;郭以昆;刘秉伟
    电子学报. 2000, 28(8): 110-112.
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    本文在大规模语料的基础上,利用语言模型中稀疏事件的概率估计方法对汉语的熵进行计算,并讨论了语料规模等因素对熵的影响.在4年的人民日报的语料规模下,所求得的零阶熵、一阶熵、二阶熵分别为9.62,6.18和4.89比特.
  • 李英军;吕 建;于大川;马晓星
    电子学报. 2000, 28(8): 113-114.
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    本文讨论了一个层次式并行应用软件开发框架的设计思想,将并行计算底层细节进行逐级抽象,采用面向对象封装与继承机制,为科学计算领域提供了快速原型实验和应用开发环境.该框架的层次结构使之成为独立于体系结构的并行开发环境,它的高层抽象界面允许以顺序方式书写的代码不经任何改变即可在不同体系结构的并行环境上运行.
  • 代俊光;陈光
    电子学报. 2000, 28(8): 115-116.
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    本文研究噪声中正弦信号频率的估计问题.结合DFT变换和插值方法,提出了一种基于DFT变换系数的频率估计算法,其计算简单.结果表明,该方法有效地改善了频率估计精度,且便于工程实现.
  • 孙 全;叶秀清;顾伟康
    电子学报. 2000, 28(8): 117-119.
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    由于D-S证据合成公式所存在的不足,使证据理论的应用受到了一定的限制.Yager对此作了改进,但改进后合成公式又存在着新的问题.鉴于此,本文在引入证据可信度概念的基础上,提出了一个新的证据合成公式.新的合成公式弥补了D-S证据理论和Yager合成公式所存在的不足,使冲突证据合成的结果更为理想.
  • 苏光大
    电子学报. 2000, 28(8): 120-123.
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    本文介绍了邻域图像处理机原理,提出了邻域图像处理中新型的收缩型和级联型邻域功能流水线结构.这两种邻域功能流水线的流水线作业是以独立的图像处理算法为基础进行的,可以实时(甚至超实时)地完成多个独立的图像处理算法,高度体现了并行处理机数据并行、处理并行的原则,体现了多个算法的有机集成,因此特别适合于实际问题对综合算法的需求.这种邻域功能流水线结构不仅大大提高了图像处理的速度,而且增强了系统的灵活性.本文论述了收缩型和级联型邻域功能流水线的结构,给出了多个图像处理功能的组合.
  • 朱 宁;周润德;羊性滋
    电子学报. 2000, 28(8): 124-126.
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    本文研究了用遗传算法进行有限状态机(FSM)的低功耗状态编码问题.基于FSM的概率模型,对编码空间进行并行搜索;通过在适应性度量中引入面积和状态翻转信息,实现了面积和功耗之间的折衷.对一些FSM的实际测试表明此方法平均能达到20%的功耗优化.
  • 李建英;李盛涛;庄 严
    电子学报. 2000, 28(8): 127-128.
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    测定了不同气氛烧结的SrTiO3双功能陶瓷的正电子湮灭(PAT)寿命谱,其平均寿命随着烧结气氛中H2含量的增加而减小.这是还原烧结气氛使瓷体中形成较多的氧缺位,氧缺位捕获两个弱束缚电子形成F'-色心所致.弱束缚电子在禁带内形成局域能级,并使材料的电子浓度增大.x衍射分析结果证明了材料晶体结构的变化.
  • 侯继东;杨东海;王晓晖;王义遒
    电子学报. 2000, 28(8): 129-131.
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    为满足半导体激光器应用于激光冷却囚禁原子的需要,本文设计了输出功率和频率可由外部信号控制的声光晶体驱动器,其输出功率可由0W变至2W,频率由54MHz变至120MHz.提出了F-P腔和声光晶体双通过装置联用来测量其频率动态特性的一种方法,对驱动器的频率和功率动态性能进行了测量.
  • 宋荣功;杨义先;胡正名
    电子学报. 2000, 28(8): 132-134.
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    本文基于RSA公钥体制提出了一个不依赖物理设备的软件密钥托管加密方案.新方案不仅具有抗窜扰特性,而且克服了以前方案中的缺点,并同时能对消息的源和宿进行追踪.
  • 薛俊明;孙钟林;刘志钢;周 伟
    电子学报. 2000, 28(8): 135-138.
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    本文提出在宽带隙的a-SiCx∶H或β-SiC中共掺铒和氧以实现铒的1.54μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了β-SiC中Er缺陷的电子结构,并在实验上实现了Er在a-SiCx∶H中的1.54μm光致发光(77K).结果表明,β-SiC或a-SiCx:H有可能是实现Er的1.54m室温高效发光的优良基质材料.
  • 董志伟;黎 晨;陈培毅;钱佩信
    电子学报. 2000, 28(8): 139-141.
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    为了研究器件参数对GeSi MOSFET器件性能的影响,本文在建立一个简单的GeSi MOSFET的器件模型的基础上,对GeSi MOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析.确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系,得出了阈值电压与DELTA掺杂浓度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系,还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系.并且在此基础上得出了一些有意义的结果.为了更细致、精确地进行分析,我们分别对GeSi PMOSFET和GeSi NMOSFET在MEDICI上做了模拟.
  • 王 静;邓先灿
    电子学报. 2000, 28(8): 143-145.
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    本文运用电荷控制分析方法,提出了GaAs MESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型.该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时,结合器件的温度特性与自升温效应,实现了GaAs MESFET的准二维大信号动态分析.