最新刊期
      1979年第4期

      • 非理想运算放大器

        李名复
        1979(4): 1-14.
        摘要：本文从普遍性的意义上讨论了非理想运算放大器的交、直流性能,给出了一系列有用的公式和结论。文中还讨论了运算放大器交流线性近似的限制条件及其与压摆率等的关系,叙述了共模频率特性对于交流传输特性的影响,给出了一般文献中有关公式的适用范围,分析了电源噪声抑制、高频增益测量等问题。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 耗散电抗二端对网络的实现理论

        刘泽民
        1979(4): 15-30.
        摘要：本文结合ZRZLZCT网络系统和理想的预畸二端对网络的概念,讨论有关耗散电抗二端对网络的实现问题,这样不仅物理概念清楚,而且可以取得有实际意义的结果。在构成转移函数和求解开路阻抗参数等方面,本文提出新的概念和方法。在两侧均端接各种简单阻抗的情况下,本文得出了有关的实现条件和开路阻抗参数的计算公式。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 耦合波导中的槽谐振

        严方
        1979(4): 31-42.
        摘要：本文考虑了文献〔1〕为简化问题而忽略掉的槽中横向磁场分量的影响,推广了文献〔1〕给出的结果。利用修正后的联系边界条件,得到槽耦合系统的耦合波微积分方程。在槽失谐点,该方程的一阶近似解和文献〔1〕的结果基本一致;而在槽谐振点,理论分析和现有实验资料表明,槽耦合系统中将出现由槽谐振引起的强耦合。利用这种谐振现象,有可能设计出极短的槽耦合微波器件。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 干法粉敷镍阴极

        孙新
        1979(4): 43-48.
        摘要：本文提出一种所用工艺和原材料比其它方法均为简单的粉敷镍阴极（CPC）。采用常见的内络盐丁二酮肟镍作原料和普通的烧氢工艺,来获取性能良好的电子发射材料——粉敷镍碳酸盐。为在无毒害、无污染下,大量、稳定地生产CPC粉,创造了条件。文中给出了干法CPC的几种试用结果。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 小型微波铁氧体锁式变极化器

        徐燕生
        1979(4): 49-56.
        摘要：本文提出了具有内、外磁路形式的微波铁氧体锁式变极化器的新型结构,它们的开关时间分别为几微秒和几十微秒。文中进行了详细的理论分析与计算,并提出了改进性能（宽带化、高功率工作等）的方法。实验结果与理论分析相符。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 伪随机复码数字调制波的功率谱分析

        苏泽峰
        1979(4): 57-65.
        摘要：本文应用文献〔1〕所述的复码D变换正交展开定理,在工程近似假设的前提下,导出了复码数字调制在m倍钟频方波上的归一化自相关函数和功率谱密度函数的通用表达式,给出了工程设计实例。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 氮化硼片源扩散下的硅表面机构

        张爱珍
        1979(4): 66-73.
        摘要：对在氮化硼片源扩散下的硅表面结构和质量输运进行了观测。实验发现,预扩散后的硅表面由未反应的HBO2淀积层——硼硅玻璃层——Si-B相层组成。这种表面系统,特别是Si-B相的结构和性质,随扩散条件而变化。文中从一般硼掺杂的原理出发,提出了一种对表面过程的机理的分析,认为不同表面系统的形成是扩散控制表面反应的结果,由此可解释观测到的各种实验现象。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 关于电磁单位制的一个建议

        吕保维
        1979(4): 74-76.
        摘要：本文建议采用两种新的电磁单位制,以代替Gauss单位制且与有理化了的MKS单位制并用。它们都是CGS制,分别称为CGSE制和CGSM制,因而对于处理理论问题有如Gauss单位制一样方便。但是如用这两种单位制表示,Maxwell方程等具有当用有理化了的MKS单位制表示时相同形式,假如ε0和μ0采用适当的值的话。这无疑是一个相当大的优越性。文中给出了推导来加以说明。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 双积分模数转换的非线性误差讨论

        顾慰君
        1979(4): 77-80.
        摘要：本文讨论了双积分模数转换器的非线性误差,得到的误差表达式和文献〔1〕的不同。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 离子注入硅Nd-YAG连续激光退火

        邹世昌, B.I.Deutch, 柳襄怀, 陈朝荣, 林成鲁, 吴恒显, 陆世桢, 沈振东
        1979(4): 81-85.
        摘要：本文报导用扫描Nd-YAG连续激光对<100>硅中注铋的损伤层进行的退火研究。测量表明:退火能使离子注入造成的晶格损伤很好恢复,90％以上的铋原子处于替代位置,杂质浓度的分布保持不变。文中对退火参数的选择、均匀性,以及表面温度升高、外延再生长层厚度等问题进行了讨论。文末还将实验结果与熔化型脉冲激光退火进行了比较。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 源-射耦合触发器

        叶芃生
        1979(4): 86-91.
        摘要：由场效应管与晶体管构成的源-射耦合触发器,其触发电流远小于1μA。本文对该种触发器进行了分析,给出了求取触发电平的计算公式,指出了有可能获得零温度系数触发电平的触发器。当某种条件得到满足时,该触发器还具有记忆特性,从而可借以构成一种不可逆的触发电路。理论分析与实验结果基本相符。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 耦合微带线的简捷设计方法

        曾令儒
        1979(4): 92-98.
        摘要：以单根微带线设计数据为中间过渡,根据一种已知介质基片的耦合微带线设计数据,可直接并准确地获得任意一种介质基片的耦合微带线设计数据。这种设计方法还能解决由已知奇、偶摸阻抗直接求取设计尺寸的问题。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 离子注入双极硅ECL集成电路

        张光华, 林炳春, 李金荣
        1979(4): 99-103.
        摘要：本文简要叙述用离子注入法制造双极硅ECL集成电路的实验结果。电阻器和晶体管基区的掺杂由注入硼来实现,发射区的掺杂则靠注入磷来完成。样品电路的门平均延时的典型值为2ns。文中着重介绍了注入离子能量、剂量、退火温度及时间对电路元件电学性能的影响。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 1979年国际电路与系统学术讨论会侧记

        沈光铭, 方永绥, 苏泽峰
        1979(4): 104-105.
        摘要：<正> 由美国电机与电子工程师协会（IEEE）的电路与系统学会和日本电子和通信工程师协会（IECE）联合主持召开的1979年国际电路与系统学术讨论会于7月17日至19日在日本东京市内太平洋旅馆举行。参加会议的有来自三十多个国家的五百多位学者,是该专业有史以来规模最大的一次盛会。我国电子学会第一次应邀派出代表参加了这次会议,受到会议东道主及很多与会学者的热烈欢迎。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 中国电子学会各专业学会1979年度主要学术活动简介

        1979, 0(4): 106-107.
        关键词：学术活动;中国电子学会;学术交流会;专业学会   
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        更新时间：2025-12-08

      • 1979度总目录

        1979, 0(4): 108-112.
        关键词：中国电子学会;特性阻抗;数字调制;离子注入;XeF   
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        更新时间：2025-12-08
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