最新刊期

    1980年第2期
    • 容许有系统因素的一类新型控制图——选控控制图

      张公绪
      1980(2): 1-10.
      摘要:1924年问世的Shewhart控制图,可用来区分偶然因素及系统因素对产品质量所产生的差异。但现实世界中还存在一类更为普遍的过程,在此过程中需将系统因素进一步区分为我们所关心和不关心的两类,并只需选择前者加以控制。Shewhart控制图不能区分这两类系统因素。 本文提出的选控控制图能够只对所关心的系统因素告警,而对不关心的系统因素不予理睬。它的思路与Shewhart控制图迥然不同。在理论上,选控控制图能够比Shewhart控制图多区分出一类系统因素。后者只是前者的一个特例。 本控制图用于控制长途电话逾限率和退号率等方面已经获得成功。用它来发现问题的准确度要比Shewhart控制图高10倍左右。 这种控制图对于工商业部门也将有广泛的用途。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 解调型应答机转发噪声的分析

      但森
      1980(2): 11-19.
      摘要:在解调型应答机中,解调的基带信号和伴随的噪声一起再调制和转发。本文针对线性通道中相干解调、有预限幅的相干解调和鉴频解调三种情况,分析了转发噪声与系统参数的关系。理论分析已为实验所证实。本文结果可用于无线电测轨或数据传输系统的设计。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 12GHz平面型低噪声GaAs MES FET

      邓先灿, 庄燮彬, 袁明文, 曹余录, 朱国良, 陈孝泽, 张友渝, 杨汉朋, 丁奎章
      1980(2): 20-29.
      摘要:本文从考虑了GaAs外延层与衬底的界面陷阱效应的等效电路出发,对影响器件噪声的主要因素进行了理论分析,给出了器件设计范围内的噪声系数与等效电路参数、器件结构参数、材料参数和工作频率的关系曲线。提出了氧离子注入的新型平面器件结构,用普通接触式补偿光刻法制作了亚微米栅条,所得器件比普通台式器件具有更低的微波噪声。在12GHz下,噪声系数为3.5dB,相应的增益为5dB。给出了2~12GHz全套S参数。器件平均工作寿命达2×107小时。进行了2~12GHz范围内微波低噪声放大器、混频器和振荡器等应用试验,取得了初步的良好结果。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 递归型DMTI级联DFT装置的信噪比损失

      尹光甲
      1980(2): 30-38.
      摘要:本文计算了递归型DMTI(数字动目标显示)级联DFT(离散Fourier变换)装置输出噪声的功率谱分布,并在此基础上分析了由于采用递归型DMTI装置而引起的信噪比损失。计算结果表明,这种损失在无杂波区内很小,且当DMTI所用的单极点网络的级数增加时,这种损失增加得并不明显。同时,这种级联装置输出噪声功率谱是均匀的,适于雷达信号处理系统采用。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • CCD中的电荷泵效应

      鲍希茂, 柳承恩, 郑祥钦
      1980(2): 39-45.
      摘要:本文提出了一种CCD(电荷耦合器件)中的电荷泵效应。这种效应会引起FDR(浮置扩散区)的电位漂移,并带来一种特殊的电荷转移损失。当有电荷泵效应存在时,浮置扩散放大器就不是非破坏性电压读出。电荷泵效应可以用完全复位转移的办法加以消除。由此对FDR的复位深度提出了一个限制。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 俘越模式工作波形和电路特性的分析

      邵文昌, 刘晖
      1980(2): 46-54.
      摘要:本文通过俘越(TRAPATT)二极管的典型的电流和电压工作波形,联系器件的固有物理参量、电性参量以及工作参量,以频域法分析了这种具有大非线性运用器件的归一化阻抗、输出功率、效率以及谐波等的特性。得到了器件在不同工作状态下对于电路匹配阻抗的要求。估算了俘越模式可能获得的最大效率。文中以S波段的常用器件和电路工作参量为例进行数值计算,给出不同工作状态下的特性曲线。对典型实验电路的实测表明,电路阻抗和从典型波形计算出的数值是比较接近的。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 相控阵天线的相位加权

      郭燕昌
      1980(2): 55-61.
      摘要:本文提出了降低相控阵天线副瓣电平的一种方法——相位加权法。它仅需在数字移相器上改变单元的相位,来降低天线副瓣电平,不必采用密度加权。文中给出了降低副瓣电平的基本思想和理论分析,并与密度加权做了比较。最后给出了两个算例。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 三维三值细胞结构

      郑启伦
      1980(2): 62-70.
      摘要:本文研究了一种三维空间的逻辑结构,阐述了它们的某些特性,导出了三维阵列有向图的若干性质和定理,并应用它们进行了三值细胞结构的逻辑设计。最后,通过与二进制胞腔阵列的比较,表明这种三维三值细胞结构对于实现模拟人的高级功能将很有价值,而且有可能成为一种“超”超大规模集成技术的新概念。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 级联二端口有耗网络中噪声的损耗和发生

      肖长德
      1980(2): 71-77.
      摘要:噪声在级联二端口有耗网络中传输时,每一级网络除了损耗前一级传输过来的噪声功率外,还要给出网络本身的噪声。只有确定了网络中损耗和发生的噪声,才能准确地进行噪声测量。 本文利用资用功率传输系数概念来分析网络中噪声的损耗和发生,推导出级联二端口有耗网络中噪声传输的计算式。该计算式已被用于确定热噪声标准源的资用噪声温度。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 空间电子学的发展与展望

      陈芳允, 潘华江, 汪一飞
      1980(2): 78-89.
      摘要:本文把空间电子学归纳为对卫星和空间飞行器实现跟踪控制,利用卫星观测地球、深空探测、卫星通信广播以及利用卫星对地球上运动物体的定位等方面的无线电电子技术。文中举出了一些近年来较为突出的空间电子系统的成就,分析了空间电子学的特点,还简略地介绍了我国的发展概况。最后简要地展望了未来的发展。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 计算TEM波传输线特性阻抗的一种途径

      樊德森
      1980(2): 90-94.
      摘要:从场源问题的观点出发,并基于用“计算机模拟静电感应过程”的基本思想,提出了一种计算TEM波传输线特性阻抗的数值方法。各种不同截面形状的传输线,原则上都能用一个简便而统一的方法进行处理。计算精度满足工程设计的实际要求。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 自动微波频率计数器

      鲍承浩
      1980(2): 95-98.
      摘要:本文提出采用两次取样求谐波次数的自动化微波频率测量的新方案。在此基础上,试制成产品系列,其测频上限达到60GHz。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 电荷耦合器件动目标显示对消器

      毛二可, 韩月秋, 肖裔山
      1980(2): 99-102.
      摘要:本文简要介绍了两种采用电荷耦合器件(CCD)的动目标显示对消器。一种为四路并行钟脉冲交错采样系统,它适用于脉冲宽度较窄的雷达;另一种为单路一次对消器,它适用于宽脉冲雷达。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • KrCl准分子激光器

      陈建文, 傅淑芬, 刘妙宏
      1980(2): 103-105.
      摘要:本文报导了横向放电泵浦高气压KrCl准分子激光器的实验结果。使用HCl:Kr:He=2.5:160:1500混合气体,总气压2~2.5atm,在14cm3激活区中获得输出6mJ、体能密度0.4J/l、电效率0.12%。使用NF3:Ar:He=2.7:270:1500混合气体时,观测到ArF激光输出。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 自动生成编译程序的HCP系统

      刘藕业
      1980(2): 106-108.
      摘要:本文简略介绍了一种描述语言文本的语言TL和实现此语言的HCP系统。用它可以自动生成多种计算机语言的编译程序。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 12GHz直播卫星电视接收机

      1980(2): 109.
      摘要:<正> 为配合我国卫星电视广播事业的发展,南京固体器件研究所采用该所器件研制成功并小批量生产了全固态化直播卫星电视接收机,第一批样机已于1978年9月模拟试收成功,1979年经过全面检测考核后,通过了部级技术鉴定。 该所研制的第一台这种高灵敏度电视接收机,其天线直径为3.5m,包含有参放、本振、下变频器  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • N沟MOS动态4k RAM管芯成品率超过20%

      1980(2): 110.
      摘要:<正> 中国科学院半导体研究所研制的N沟MOS 4096位动态随机存贮器,采用了先进的N沟硅栅等平面工艺和单管单元电路。集成度为10875个元件/片,管芯成品率超过20%。 为提高集成度,缩小芯片面积和提高电路性能,除简化电路外,还对各单项工艺进行了较深入的研  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 关于“螺旋耦合型慢波结构的研究”一文中导纳的计算

      李煊, 韩家瑞, 李庆绩
      1980(2): 111.
      摘要:<正> “螺旋耦合型慢波结构的研究”(以下简称为“研究”)一文,利用多导体传输线方法对螺旋耦合型慢波结构进行了理论分析。其中用一个简化公式计算了矩形螺旋线各段导纳与翼片导纳,进而计算了大量的色散和耦合阻抗曲线。大家知道,在多导体传输线分析方法中,导纳的计算对色散和耦合阻抗是十分重要的,尤其是耦合阻抗直接与导纳的大小成反比。通过研究,我们认为该文在计算各段导体的导钠时,假  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 深切怀念冯秉铨教授

      1980(2): 112.
      摘要:<正> 我国著名电子学家、教育家、全国五届人大代表、全国劳动模范冯秉铨教授,积劳成疾,不幸于一九八○年三月六日在广州逝世。整个电子学界都在怀念他。 冯秉铨教授生前身兼多职。他是中国电子学会、声学学会副  
        
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      更新时间:2025-12-08
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