最新刊期
      1980年第3期

      • 非均匀掺杂层的载流子平均迁移率及其应用

        许居衍, 王立模
        1980(3): 1-13.
        摘要：本文建立了非均匀次掺杂层载流子平均迁移率与平均电导的普遍关系。在假定全离化（γ=1）的条件下,推导出了任何半导体中余误差和高斯分布下次掺杂层载流子平均迁移率与掺杂层参数之间的关系式,并利用Irvin曲线,具体计算了硅扩散层的平均迁移率与表面浓度的关系曲线,讨论和分析了用平均迁移率表示次扩散层的方块电阻的公式。分析发现,当（CS/CB）>10时,余误差和高斯分布下全扩散层的载流子平均迁移率只与表面浓度有关,并可用一近似公式表示,即完成了直接由方块电阻的测量值确定表面浓度的曲线。考虑到扩散层的不均匀性,推导出了用平均迁移率表示的集成电路挤压电阻器和晶体管基极电阻的设计公式。  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276384 false
        更新时间：2025-12-08

      • PASCAL-655自编译系统的设计和实现

        王义诚, 陈涵生, 王家增, 邵臻浩
        1980(3): 14-24.
        摘要：本文介绍了PASCAL-655自编译系统的建立过程。阐述了语言文本的确定原则、编译实现法和自编译过程。着重讨论了目标结构的设计和表达式的翻译。本系统是用它自己语言写的,并在655机上得到了实现。  
          
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        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275660 false
        更新时间：2025-12-08

      • 阴极透镜电子光学传递函数

        朱克正
        1980(3): 25-36.
        摘要：本文根据阴极透镜理论,从一阶横向象差公式出发,分别导出了单色的、全色的以及多色光作用下的电子光学传递函数（以后简记为ETF）公式。这些公式均可用来研究阴极透镜象空间ETF的离焦特性。文中还对锐聚焦系统给出了最佳归一化离焦量的表达式和相应的ETF近似公式。分析表明,只需代入相应的离焦量,阴极透镜的诸ETF公式还可以用来表示双平面近贴系统的ETF。此外,还导出了其他公式,使ETF与阴极透镜其它象质参数有机地联系起来。  
          
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        4
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276293 false
        更新时间：2025-12-08

      • 正交环相控圆阵天线的理论分析

        刘振威
        1980(3): 37-49.
        摘要：本文研究了正交环相控圆阵天线的理论:阵远区辐射场,正交环元辐射场型方向可控加权因子,双重定向性质及空间辐射的基本规律,形成多波束中心相控纲络的结构,阵元间的互耦。这是一种小型可搬运的高频宽波段多波束接收阵,可通过相控方式产生许多独立的定向波束,因而在收信性能方面可与20～30副不同方向的菱形天线等效。  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276175 false
        更新时间：2025-12-08
      • 徐燕生, 陈敬熊
        1980(3): 50-54.
        摘要：本文研究了普遍情况下（张量导磁率对角分量μr=μz≠μθ）完全填充和部分填充圆周切线方向磁化铁氧体的圆波导中的主模(准TE11模)。在这种波导中,右旋和左旋圆极化波的特征方程是相同的,因此,它们的传播常数也是一样的;而当线极化波通过这种波导时,不出现极化面的旋转。我们得出结论:这种波导可用来制作极化不灵敏移相器;而文献〔3、7〕中的结果（在这种波导中,右旋和左旋圆极化波的传播常数不相等;当线极化波通过它时出现极化面的旋转）是有问题的。  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276192 false
        更新时间：2025-12-08

      • 扇形、椭圆、半椭圆波导的研究

        林为干, 刘仁厚, 邬琳若
        1980(3): 55-72.
        摘要：近来,在毫米波通信及卫星通信地面站中,人们广泛地采用半圆波导、椭圆波导、半椭圆波导,但对这些波导,现有的研究结果还不够深入。本文对半圆波导的传输效率进行了探讨,指出半圆波导中以采用TE11波为好。半圆波导中的TE01波还具有圆波导中TE01波的固有弱点,如杂波干扰,使大波导的优点不能充分发挥等。椭圆波导作为主馈线用,其计算公式以那一种为准确的问题,近年来亦有所发展。本文利用我们的研究结果进行了计算。  
          
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        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276340 false
        更新时间：2025-12-08

      • 2400 b/s的数字化声码器

        李昌立, 莫福源
        1980(3): 73-84.
        摘要：一个能实时工作的2400 b/s数字化声码器已研制成功。该声码器具有较好的语言质量,适用于低数码率的语言通信。 我们在语言声学和汉语信息理论研究的基础上,借助通用计算机非实时地模拟了2400 b/s的数字通道声码器,并用TTL高速中小规模集成电路实现了该声码器硬件。试验表明,合成语言的可懂度、自然度较好,而且硬件体积较小,适合于通信工程应用。  
          
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        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275846 false
        更新时间：2025-12-08

      • 超增益器件制造中的基区杂质分布

        徐剑石
        1980(3): 85-88.
        摘要：适当控制基区的杂质分布,可以获得性能优越的超增益器件。我们据此进行批量生产的超增益器件,在IC=10μA,VCB=6V条件下,NPN型的hPE可大于2000,BVCEO可大于30V;PNP型的hFE可大于800,BVCEO可大于20V。器件的ICEO可低于10pA。若与氮化硅-高温氮氢烘焙工艺相结合,将为高可靠、高精度线性集成电路提供工艺基础。  
          
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        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275763 false
        更新时间：2025-12-08

      • 秩二进积累非参量检测器的渐近性能

        朱兆达
        1980(3): 89-98.
        摘要：本文在检验Capon正则条件后推导了秩二进积累检测器的渐近相对效率和渐近损失公式。计算结果表明,存在一个使渐近损失最小的最佳秩量化门限,该最佳门限约等于0.8（N+1）。最小渐近损失随N的增加而减小,并趋于0.94dB。虽然秩二进积累检测器的渐近损失比秩和检测器稍高,但比较经济。  
          
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        12
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275689 false
        更新时间：2025-12-08

      • 汉字识别的CHASRE/30软件

        朱德全
        1980(3): 99-101.
        摘要：CHASRE/30软件是为印刷体、打字体和手写体汉字的自动识别而研制的。使用这一识别逻辑,也可以实现对字母和数字的自动识别。本文概略地介绍了这一系统的识别原理,并给出了就这一软件逻辑所进行的计算机模拟的结果。  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275865 false
        更新时间：2025-12-08

      • 测量Gunn器件热阻的新方法

        郑一阳, 金秀雯, 张进昌
        1980(3): 102-104.
        摘要：本文研究了Gunn器件中的畴雪崩阈值与温度的依从关系,证实了畴雪崩阈值也是随温度的增加而增加的。我们利用这一关系测量了普通Gunn器件的热阻,发现在工作点测得的热阻要比在低场下测得的热阻大得多。这一结果值得在器件设计和可靠性研究中加以利用。  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275700 false
        更新时间：2025-12-08

      • 逐级进入式对数放大器的理论分析及应用

        谷学敏
        1980(3): 105-110.
        摘要：本文着重讨论了逐级进入式对数放大器在各级参数并非一致、单级振幅特性斜率不连续、且单级对数的底是任意数时的理论。文末介绍了用此理论设计的动态范围达80dB、误差为1％的高精度对放的基本方法。  
          
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        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276367 false
        更新时间：2025-12-08

      • 500g磷化铟单晶的制备

        1980(3): 111-112.
        摘要：<正> 河北半导体研究所使用本所设计的高压单晶炉,采用炉内合成的液封直拉技术,于1980年初成功地制备出锭重500g质量良好的InP单晶（如图1所示）。  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275835 false
        更新时间：2025-12-08

      • W205型4GHz 50K非冷参放

        1980(3): 112.
        摘要：<正> 南京固体器件研究所研制的供卫星通信地面站用的W205型4GHz非冷参放系统（如图所示）,已于1979年底通过定型考核。该系统采用了截止频率fc≥600GHz的变容二极管、5mm的耿氏泵源和高性能的四端环行器。在设计腔体时已照顾到防止空闲和频泄露问题。小心地把信号频率和这两个频率分隔开是获得低噪声的关键之一。整机采用热电致冷恒温,所有部件工作在20℃。  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275754 false
        更新时间：2025-12-08
      • 1980(3): 114.
        摘要：<正> 中国电子学会于今年7月12～19日在北戴河召开了第一次工作会议。如何使电子科学技术转化为生产力、从而为四化建设多作贡献,是贯串于这次会议的中心议题。 出席会议的28个省、市、自治区电子学会和26个专业学会主持日常会务的负责工作人员,在听取了关于中国科协二大精神的传达后,各据1978年恢复学会活动以来的成就,交流了许多值得互相借鉴的好经验:科技力量相对地强的地方学会关于提高与普及并举的经验;基础比较薄弱的地方学会关于普及与  
          
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275725 false
        更新时间：2025-12-08
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