最新刊期
      1981年第2期

      • 下限扩张了的BCH码的译码

        冯贵良
        1981(2): 1-9.
        摘要：本文引进了对距离下限扩张了的BCH码进行译码的一般方法。运用多重连续校验子集合构成矩阵A,错误位置多项式的系数即可通过解线性方程组求得,这就克服了距离下限扩张大于4时所碰到的困难。  
          
        2
        |
        32
        |
        10
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276352 false
        更新时间：2025-12-08

      • 将L=GF（qm）的Goppa码扩展成循环码的充要条件

        冯贵良
        1981(2): 10-13.
        摘要：Tzeng和Zimmermann指出,令L=CF（qm）,g（z）=[（z-β1）（z-β2）]a（a≥1）的Goppa码增加一个总计校验位后可扩展成循环码。最近Tzeng和Yu又指出,当a=1时,L=GF（qm）的Goppa码可扩展成循环码,其必要条件是g（z）为二次的。本文推广了这一必要条件,指出a为小于qm的正整数,g（z）=[（z-β1）（z-β 2）]a。是L=GF（qm）的Goppa码可扩展成循环码的必要条件。  
          
        2
        |
        29
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276221 false
        更新时间：2025-12-08

      • 具有边信息的信源编码定理

        沈世镒
        1981(2): 14-23.
        摘要：本文第一部分给出了一般具有边信息信源序列Sn为(Rn,Dn)-压缩与(Fn,Dn)-信息有界的定义,并且得到了具有边信息信源序列的编码基本定理:Sn为(Rn,Dn)-压缩的充要条件为,Sn是(Rn,Dn-信息有界。 由这个基本定理出发就可推出以下结论:1.一般信源序列Sn关于率失真函数R2n（D）的反编码定理;2.有边信息的平稳遍历信源关于R2（D）的正、反编码定理;3.对有边信息的平稳遍历信源关于R2（D）的反编码定理。  
          
        2
        |
        112
        |
        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275593 false
        更新时间：2025-12-08

      • 六值模拟

        阮根鸿
        1981(2): 24-31.
        摘要：本文提出了一个新的逻辑系统——六值模拟系统。文章指出采用六值逻辑系统对数字系统进行模拟,既可以克服二值逻辑模拟中由于只有稳定状态没有对应的过渡状态所带来的局限性,也可以克服三值逻辑模拟中由于引进了x、但x=X所带来的局限性。可以认为二值逻辑系统是研究处于稳定状态的数字系统的有效工具,而六值逻辑系统则不仅是研究处于稳定状态时数字系统的有效工具,而且是研究数字系统处于非稳定状态时的行为的有效工具。  
          
        2
        |
        11
        |
        6
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275119 false
        更新时间：2025-12-08

      • SEM摄象系统低照度下极限分辨率研究

        戴逸松
        1981(2): 32-39.
        摘要：本文应用量子噪声起伏理论计算了SEM摄象系统在低照度下的极限分辨率,并据此探讨了提高极限分辨率的可能途径及理论上可达到的探测极限。文中给出了实验比较。  
          
        2
        |
        31
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275903 false
        更新时间：2025-12-08

      • 多晶发射极超增益晶体管

        张全, 朱恩均
        1981(2): 39.
        摘要：用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管,当Ic从1mA减小到20nA时,hFE始终保持在2000左右。  
          
        2
        |
        21
        |
        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276452 false
        更新时间：2025-12-08

      • 参量放大器相位特性研究

        李永富, 赵福勤
        1981(2): 40-48.
        摘要：本文分析了参量放大器的幅、相特性,给出了相应的实验结果。文章的着重点是分析参量放大器的相位特性。  
          
        2
        |
        26
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276284 false
        更新时间：2025-12-08

      • τn■τp的光导器件的探测率

        胡燮荣
        1981(2): 49-55.
        摘要：我们取消了τn=τp的条件,取消了无限吸收的限制,考虑了表面复合,得到了本征光导器件探测率D4的表达式。 在本文得到的D公式中,出现了τPEM,但公式中这个量的影响很小,完全可以略去。 计算表明,77°K、P型InSb光导器件,在通常的表面复合速度下,最佳厚度约3μm。DA随多数载流子浓度的降低而增高,但由于背景限制,过低的浓度非但困难,也无必要。  
          
        2
        |
        17
        |
        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276153 false
        更新时间：2025-12-08

      • 矩形波导单孔耦合的性能极限及带宽不等式

        梁昌洪
        1981(2): 56-62.
        摘要：本文研究了两相互平行的矩形波导离散孔的宽壁耦合。得出了单孔（或孔对）在[u1,u2]频带间的性能极限,最佳耦合平稳度min（△C）和带内最小定向性的最大极限max（Dmin）的数学表述。证明了圆孔不能同时达到这两个极限。文中还给出了最佳单孔（或孔对）的条件式和带宽不等式。  
          
        2
        |
        44
        |
        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275827 false
        更新时间：2025-12-08

      • 操作系统DJS200/XT1G

        孙钟秀, 谢立, 衣文国, 谭耀铭, 费翔林, 姜恒远
        1981(2): 63-68.
        摘要：本文概述了操作系统DJS200/XTIG（简称XTIG）的特点、结构和实现要点,并给出了一个多道工作的实例。  
          
        2
        |
        32
        |
        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276168 false
        更新时间：2025-12-08

      • 分组数据平滑法

        徐振来
        1981(2): 69-75.
        摘要：对数据平滑法中的平滑系数进行适当分组,使每一组中的平滑系数相等,那么进行平滑运算时,就可大大地减少乘法运算次数。本文给出了q阶多项式逼近的任意点上的分组平滑方法,并与通常的多项式逼近的数据平滑的误差进行了比较。  
          
        2
        |
        100
        |
        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275680 false
        更新时间：2025-12-08

      • 加权相控阵天线的普遍统计理论

        方能航
        1981(2): 76-80.
        摘要：本文提出了单元的随机待定量的概念。所有已知的加权相控阵天线都可据此用一个普遍的理论模式加以处理。文中进一步证明了不存在给出预定的平均方向图的其它加权形式。  
          
        2
        |
        54
        |
        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276270 false
        更新时间：2025-12-08

      • 半导体光电阴极在强光照射下层面场与光电疲乏的关系

        史久德
        1981(2): 81-86.
        摘要：当涂敷于玻壳内壁上的光电阴极各处受到强光照射而产生光电发射时,发射层表面的电场将会使发射层晶体解体,并使正离子沿电场方向迁移,从而导致光电疲乏。本文讨论了层面场与光电疲乏的关系,给出了一种计算光电阴极正离子迁移的数学模型。这个模型能较好地说明若干实验中出现的物理现象。  
          
        2
        |
        22
        |
        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276372 false
        更新时间：2025-12-08
      • 翟宝光
        1981(2): 82-80.
        摘要：<正> 编辑同志: 贵刊1978年第二期发表的“电子束泵浦异核型XeF准分子激光器的实验研究”一文（以下简称该文）,是在我不知情的情况下由署名于该文的前面两位作者撰写发表的。我作为这项研究的主要参加者,自始至终负责了脉冲发生器的调试工作,对该文关于脉冲源等的论述,感到有一些值得商榷之处,其中主要有如下几点供读者以及该文撰写人参考。 1.关于该文第94页4—6行中……实验采用电流脉冲前沿小于Ins的毫微秒高压脉冲电流经Blu-  
          
        2
        |
        10
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276312 false
        更新时间：2025-12-08

      • 相控阵天线的一种新的馈相方法

        李知新
        1981(2): 87-88.
        摘要：本文提出一种新的馈相方法——移位加权馈相方法。它是将前一个单元相位量化的余数经幅度加权后移位加到后一个单元的相位上。这种方法经一次馈相就可以准确控向,简单易行,成本低,易提高扫描速度,能增多天线的功能。  
          
        2
        |
        93
        |
        5
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276334 false
        更新时间：2025-12-08

      • 自选色彩色显象管

        张金忠
        1981(2): 89-91.
        摘要：本文提出一种采用红、绿、兰三根电子束自动寻色的彩色显像管的方案设想。它不需要荫罩彩色显像管中的荫罩结构;管子的重量约可减轻1/8;电子束功率可以降低80％以上。  
          
        2
        |
        10
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276490 false
        更新时间：2025-12-08

      • FIR滤波线性相位特性条件的讨论

        滕文善
        1981(2): 92-93.
        摘要：本文重新导出FIR滤波器实现精确线性相位特性的条件。所得结果与以往的研究并不矛盾,但允许频率取样为实数序列,利于实现FIR频率取样滤波器。  
          
        2
        |
        162
        |
        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275697 false
        更新时间：2025-12-08

      • 用脉冲激光束在N型GaAs上制备欧姆接触

        吴恒显, 柳襄怀, 林成鲁, 吴鼎芬, 陈朝荣, 陈芬扣, 邬慧娟
        1981(2): 94-96.
        摘要：本文用调Q红宝石脉冲激光器（波长6943A、脉宽30ns）以1.1～2.9J/cm2的激光能量密度,在N型GaAs上进行激光合金化研究,试验了不同GaAs外延层浓度、不同合金层组分、不同激光脉冲次数对欧姆接触电阻率的影响。结果表明,适当能量密度激光合金化所得到的接触电阻率同加热合金化最好结果相当或更好,激光合金化表面均匀,质量好,而且不影响半导体器件内结的特性。  
          
        2
        |
        27
        |
        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34276411 false
        更新时间：2025-12-08
      0