最新刊期
      1983年第1期

      • 献计献策 开创电子科技事业新局面

        1983(1): 1-6.
        摘要：<正> 中国电子学会于1982年10月15～18日及20～23日相继召开了她的第三届学术年会和第二届理事会第二次会议。到会专家在党的十二大精神鼓舞下,就如何使电子科学技术适应我国四化建设需要这个主题,在他们的论文中或座谈讨论中,提出了许多富有启发性的见解与建议。为使我国电子学界广大科技工作者和技术指挥人员都来关心这件关系到新时期总任务如何实现的大事,本刊特摘编其中的一部分加以发表,以求集思广益。但由于本刊篇幅十分有限,以致未能将更多的内容介绍出来,编者特先致歉意。  
          
        2
        |
        16
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275244 false
        更新时间：2025-12-08

      • 中国电子学会第二届理事会第二次会议记实

        1983(1): 7-8.
        摘要：<正> 中国电子学会第二届理事会第二次会议于1982年10月20日至23日在南京市召开。到会的理事共有132名。大会在常务理事会的领导下,由理事长刘寅,副理事长朱物华、蔡金涛、卢宗澄、孙俊人主持始终。  
          
        2
        |
        14
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274669 false
        更新时间：2025-12-08
      • 1983(1): 9-12.
        摘要：<正> 1982年10月15—18日,中国电子学会为了纪念她成立二十周年,在古城南京举行了第三届年会。这是三十个分支学科开展横向智力协作的一次盛会,是我国电子学界学习、宣传和贯彻党的十二大精神的动员大会。 会议期间共交流了264篇论文。在这些论文作者中,30～49岁的科技人员占总数的66％  
          
        2
        |
        16
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274055 false
        更新时间：2025-12-08

      • 网络拓展理论和反馈电路分析

        邹谋炎
        1983(1): 13-26.
        摘要：本文介绍电网络拓展理论及其对电路分析的应用。拓展理论是近年才发展起来的一种电路理论,它着重研究线性连通网络结构改变时的性质。该理论为电路分析提供了一套新方法,特别适合于电路变形和连接的计算,适合于处理大网络问题。这些是现有其他方法难于胜任的,文中详细介绍了它的实际处理方法,并用例子说明它是有效而易行的。  
          
        2
        |
        45
        |
        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274070 false
        更新时间：2025-12-08

      • 全国数字系统设计自动化学术交流会在明昆召开

        1983(1): 26.
        摘要：<正> 去年九月在昆明召开了全国数字系统设计自动化（DA）第二次学术交流会。收到论文102篇,内容涉及系统及DA数据库、各级模拟、故障诊断与测试、自动逻辑综合以及实体设计等DA领域的各个方面。来  
          
        2
        |
        13
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274065 false
        更新时间：2025-12-08

      • 不同区域小孔耦合的广义等效网络

        梁昌洪
        1983(1): 27-35.
        摘要：本文研究了不同区域小孔磁耦合的广义网络表述。为了说明其应用和有效性,给出了几个典型例子。  
          
        2
        |
        73
        |
        8
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274922 false
        更新时间：2025-12-08

      • 广义反射系数概念的新进展

        唐家明
        1983(1): 36-40.
        摘要：本文利用共轭匹配网络对,分析了二端口网络及n端口广义反射计的共轭匹配电路。根据分析结果,确立了有关测量方法。运用广义反射系数概念可以测量单端口、二端口元件的本征参数及电路参数。  
          
        2
        |
        45
        |
        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274761 false
        更新时间：2025-12-08

      • 有切断区的注入式正交场放大器的小信号理论

        张克潜
        1983(1): 41-48.
        摘要：本文应用计及空间电荷效应的小信号薄电子注理论,建立了有切断区的注入式正交场放大器的物理模型,并导出了其增益及相移计算公式。式中包括了空间电荷效应、线路衰减及电子与波非同步的影响。切断区的作用可归结为引入了“切断跌落”及“切断相移”。由于切断区中存在着正交场空间电荷波增益效应,“切断衰减”有可能出现负值,从而成“切断增益”。最后,用零长度切断区模型分析了切断区位置对整管增益的影响。  
          
        2
        |
        18
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274677 false
        更新时间：2025-12-08

      • 异步时序电路的测试生成法——H算法

        阮根鸿
        1983(1): 49-57.
        摘要：本文以六值逻辑系统为基础,提出了可求得异步时序电路中固定故障的测试的新算法—H算法。将H算法与Muth的九值算法进行了比较,指出了九值算法的局限性。H算法克服了九值算法的缺点,是一个能够在电路中存在回路的情况下找寻敏化通路的算法,并且可以使得所求得的测试无竞态。  
          
        2
        |
        38
        |
        14
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275380 false
        更新时间：2025-12-08

      • 判决反馈前馈均衡器的探讨

        陈炽文
        1983(1): 58-65.
        摘要：本文提出了用判决反馈前馈（DFF）来克服前导符号间干扰的新概念。文中给出了有、无迫零限制均方准则下的最佳接收机及相应的自适应算法,得到了迫零条件下DFFE的误码率的一个上界,证明了不论有、无迫零限制,判决反馈（DFE）加上前馈滤波,均能降低误码率。计算机模拟表明自适应算法是可行的。 若取消前置均衡就得到无前置DFFE。它结构简单,收敛和信道无关,抽头数最少。  
          
        2
        |
        111
        |
        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275331 false
        更新时间：2025-12-08

      • 锁式变极化器的耦合波理论

        蒋仁培, 魏克珠, 李士根
        1983(1): 66-72.
        摘要：本文用耦合波理论处理了对称四磁极磁化情况下,微波铁氧体的非互易双折射效应和变极化效应。提出了多磁化中心锁式态工作的非均匀磁化系统中铁氧体张量磁导率的概念。讨论了两种实现变极化的方法,推导了求解波型差相移、非互易差相移和变极化系数的精确公式。实验与理论计算相符。  
          
        2
        |
        36
        |
        8
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274877 false
        更新时间：2025-12-08

      • 广义传输矩阵

        林守远
        1983(1): 73-78.
        摘要：本文在广义逆矩阵的基础上定义了一类广义传输矩阵,推导出散射矩阵与该矩阵之间的变换式,并指出该矩阵在分析一般多端口（非2m端口）网络的广义级联时的优越性和局限性。  
          
        2
        |
        162
        |
        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274119 false
        更新时间：2025-12-08

      • 关于P型直拉硅单晶中旋涡形成的探讨

        盛振鸣, 秦福, 万群
        1983(1): 79-83.
        摘要：研究了P型<100>、<111>直拉Si单晶中旋涡缺陷形成的因素。发现晶体的冷却速度对旋涡缺陷的形成起了决定性作用。氧浓度在0.5～1.7×1018cm-3、碳浓度在0.2～1.9×1017cm-3范围内,对旋涡缺陷的形成无明显影响。在偏心8mm下拉制的晶体中,虽然回熔严重,但采用适宜的冷却速度,仍能拉出无旋涡单晶。  
          
        2
        |
        40
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275138 false
        更新时间：2025-12-08

      • 第二届全国三束及超精细加工年会在常州召开

        1983(1): 83.
        摘要：<正> 由中国电子学会生产技术学会、半导体与集成技术学会联合召开的第二届全国电子束、离子束、光子束及超精细加工学术年会于1982年10月27日至11月1日在常州举行。来自全国各地95个单位的282名代表参加了这次会议。会上共有174篇论文分别在6个专业组上宣读,另有51篇论文进行书面交流。美国橡树岭国家实验室B.R.Applton博士应邀到会作了半导体离子注入及激光退火的专题报告。  
          
        2
        |
        10
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274833 false
        更新时间：2025-12-08

      • 消费类电子产品开发的决策方法探讨

        王恩聚
        1983(1): 84-90.
        摘要：本文以历史资料的统计分析为基础,探讨产品开发的决策方法,找出影响产品开发效果的主要因素和各因素影响产品开发的概率,并采用加权评分法确定同类型产品可开发的最低决策值和求得待开发产品的决策值。当待开发产品的决策值大于同类产品可开发的最低决策值时,产品即可投入开发。对没有历史资料的产品开发的决策,本文按正态分布规律并结合实践也给出了可开发的最低决策值。该法在消费类电子产品的开发应用中取得了较好的效果。  
          
        3
        |
        69
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274964 false
        更新时间：2025-12-08

      • 程序变换概论

        樊哲民
        1983(1): 91-103.
        摘要：本文系统而概括地论述了程序设计思想的演变,程序变换技术的基本概念、原理和方法,提出了实现程序变换系统的一些设想。  
          
        2
        |
        63
        |
        8
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275156 false
        更新时间：2025-12-08

      • 建议大力发展电子敏感元件

        1983(1): 103.
        摘要：<正> 一九八二年十二月二日至五日,电子工业部科学技术委员会元件组在北京召开了“敏感元件发展建议咨询会议”,来自46个单位的56名代表出席了会议。中国电子学会电子元件学会主任委员、电子工业部科学技术委员会元件组组长陈克恭同志组织和领导了这次会议的筹备工作。  
          
        2
        |
        10
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275181 false
        更新时间：2025-12-08

      • 用连续CO2激光合金化制备Au-Ge-Ni-n GaAs欧姆接触

        邹世昌, 王渭源, 林成鲁, 夏冠群
        1983(1): 104-106.
        摘要：本文利用CW CO2激光对GaAs的穿透性从GaAs晶片背面进行辐照,形成了良好的Au-Ge-Ni-n GaAs欧姆接触。研究了激光合金化对不同摻杂浓度GaAs的欧姆接触,并与热合金化作了对比试验。结果表明,激光合金化有较低的比接触电阻,材料的载流子浓度越低,比接触电阻降低得越显著。AES分析表明,激光合金化造成了一个优良的以Ge取代Ga的重掺杂的n型GaAs层。  
          
        2
        |
        49
        |
        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34275264 false
        更新时间：2025-12-08

      • 一种判断介质波导场型的方法

        张雪霞
        1983(1): 107-108.
        摘要：本文提出了判断及分类具有不同形状介质分界面的介质波导场型的方法。  
          
        2
        |
        39
        |
        4
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274778 false
        更新时间：2025-12-08

      • LC正弦振荡器的暂态分析

        黄炳华
        1983(1): 109-112.
        摘要：通常认为,LC正弦振荡器的自激条件是:arg（?）=±2nπ;κ=|（?）|=（βM/rbeCR）≥1。本文指出,建立正弦振荡的网络在起振时并不满足上述条件;当k很大时,满足上述自激条件的网络并不产生正弦振荡,而是发生雪崩翻转,网络成为一个有容性负载的间歇振荡器。  
          
        2
        |
        75
        |
        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34274799 false
        更新时间：2025-12-08
      0