最新刊期

    1983年第4期
    • 迎接“世界通信年”努力发展我国的电信科学技术

      童志鹏
      1983(4): 1-9.
      摘要:电信对一个国家的经济建设和社会发展具有十分重大的作用,它不仅直接创造财富,并在国民总产值中占有相当的份额,而且更为重要的是还为社会提供综合效益。必须十分重视作为社会基础结构的通信事业的建设。本文通过对发达国家在七十年代、八十年代初的电信科学技术的简要评述,以及对国内当前水平的回顾,提出了关于发展我国电信科学技术的若干政策性见解。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 我国的通信技术教育

      陈太一
      1983(4): 9-13.
      摘要:文中回顾了我国建国前和建国以来的通信技术教育的概况,并就如何开创通信技术教育的新局面提出了几点看法。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 数字网传输性能规范

      孙玉
      1983(4): 13-22.
      摘要:本文的目的有三点:(1)建立误码、抖动、漂移、滑动、延时、失帧及总失真之间的关系式;(2)提供一种关于数字网传输损伤的简明的规范方法;(3)提供某些1981~1984研究期CCITT建议中推荐的及各国主管部门文稿中提出的数据。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 数字微波接力通信系统在中国的发展

      孔宪正
      1983(4): 23-29.
      摘要:近代通信技术正处于“数字革命阶段”。微波接力通信系统也面临数字化问题。本文简要介绍数字微波接力通信系统在中国的发展。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 卫星通信的发展与展望

      吴慕龙
      1983(4): 29-37.
      摘要:本文概述了国际卫星通信系统的发展简况及区域卫星通信系统在国外的进展,简述了我国发展国内卫星通信系统的近况,提出了可供我国卫星通信工程界参考的若干技术见解。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 发挥移动通信在我国四化建设中的应有作用

      胡思益
      1983(4): 38-43.
      摘要:简要地描述了移动通信的发展背景,举例说明了移动通信对促进我国四化建设事业有着十分重要的意义,提出了发展我国移动通信技术的若干见解。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 对流层散射通信的三十年

      骆正彬
      1983(4): 43-48.
      摘要:本文简要回顾了对流层散射通信近三十年的发展,概述了我国在这一领域内的进展,展望了它的发展方向。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 行波管设计上的一个新步骤

      陆钟祚
      1983(4): 48-52.
      摘要:本文提出一个行波管设计的新步骤。从行波管小信号增益参数工作区域图着手,在图上首先选择合宜的工作区域和定出中心频率下的工作点,然后求出整个频带范围的动态工作曲线。这样就可在图上明显地看出所选行波管内部工作参数的情况是否合宜,并明确了为进一步提高管子性能是否还有潜力或应向什么方向移动工作点。这种按图索骥的步骤既可使心中有数,也避免了盲目性。该设计步骤不论是对小信号增益行波管或高效率行波管或是超宽频带行波管均适用。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种新型的PLA模块及其计算机辅助设计的优化算法

      刘春和
      1983(4): 52-60.
      摘要:本文提出了一种新型的PLA(R-PLA),它是由“与一异或”阵列组成的。用向量布尔代数描述的多通道大型数字网络和具有奇偶校验及奇偶预测等容错技术的加法器,用这种R-PLA实现起来是非常方便的。这种R-PLA模块对于生成布尔差分法测试码是很简单的。本文以更大的篇幅介绍了为求到一个最优或准最优的环和覆盖的计算机辅助算法。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 三维三值树型细胞结构的通用逻辑阵列

      潘明, 姜希莉
      1983(4): 61-68.
      摘要:本文以对称三值逻辑为基础,提出一种利用立体的树型细胞结构来实现的通用逻辑阵列。文中讨论了这种通用阵列的基本特性和设计方法,以及使这种阵列化简的问题。最后把这种树型通用阵列与二值通用阵列以及其它三维三值通用阵列作了比较。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 微带型曲折线慢波结构的研究

      彭自安
      1983(4): 68-75.
      摘要:本文对微带型双列曲折线慢波结构中的场进行了分析。用数值求解法计算了电位函数U(y,z)和特征导纳Yc,推导出曲折线的色散方程和耦合阻抗表达式,并利用电子计算机计算了不同结构参量的曲折线特性。由此法所设计的二组曲折线已用于印制电路行波管中。实验结果与理论计算比较一致。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 微波单片集成电路宽带FET放大器的计算机辅助设计

      吴詠诗, Herbert J. Carlin
      1983(4): 76-84.
      摘要:本文提出了一种可用于低噪声宽频带MMIC FET放大器设计的计算机辅助设计方法。它计入了FET的非单向特性、匹配网络中的损耗与两端的复数失配。它比目前采用的一些机助设计方法更为完善和精确。文中给出了两个设计实例(8~12GHz和6~15GHz的MMIC FET放大器),以说明此方法的应用。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 用WFT算法实现TDM/FDM信号变换的误差分析

      何振亚, 茅一民, 亓永刚
      1983(4): 84-93.
      摘要:本文分析了TDM/FDM变换复接系统中数字信号处理器的系数误差和定点运算误差,以及两种误差对于系统特性和噪声特性的影响。所分析系统是用维纳格阑-付里叶变换算法(WFTA)+数字多相网络,但给出的方法对于一般DFT+多相网络方案也是适用的。文中还分别给出了一般WFTA定点运算误差和复数数字滤波器定点运算误差的分析方法。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 对ARMA序列的预滤波

      谢衷洁
      1983(4): 93-101.
      摘要:本文研究了当xt为ARMA序列和线性系统的频率响应函数H(λ)具有可用式(9)表示的有理函数形式的条件下关于式(2)的最优解。文末给出了一个在通讯系统中预滤波对码间干扰的校正效率的计算实例。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • YIG磁调器件滞后效应的分析

      郝循一
      1983(4): 102-105.
      摘要:文中分析了YIG磁调器件在两种常用输入信号激励下的输出信号频率滞后问题。得到了器件的频率滞后量与其结构参数及激励信号波形参数之间的数学关系式,为器件调谐速度的计算和推广应用提供了方便和根据。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 运动目标回波位于地杂波区或无杂波区的分析

      燕公韬
      1983(4): 105-107.
      摘要:本文根据脉冲多卜勒空载雷达的基本原理推导出了一组通用公式。利用它们可以很方便地确定动目标的回波是位于地杂波区还是无杂波区。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 半导体器件反向漏电流的高灵敏度测量

      徐剑石, 庄绍雄
      1983(4): 108-110.
      摘要:本文在对运放分压式反馈高灵敏度电流测量电路的极限灵敏度、稳定性等问题进行分析的基础上,报导了一种用于半导体器件直流参数高灵敏度测量的仪器。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • B.P.PAL and R.Th.KERSTENFraunhofer-Institut fur Physikalische Messtechnik, Heidenhofstrasse 8, D-7800 Freiburg, Federal Republic of Germany
      1983(4): 111-112.
      摘要:<正> In the above publication dispersion calculations have been made for monomode step-index weakly guiding optical fibers. However, as explained below the approach followed in it was. approximate and therefore the conclusions drawn therefrom as regards the accuracy of the two sets of given approximate empirical formulas for prediction of zero dispersion wave-length was. not correct.  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 研制定型的四种高性能电路

      1983(4): 113.
      摘要:<正> 四川永川固体电路研究所研制出的M4116 16kMOS DRAM、M2114 4kMOS SRAM、M2115 E/DHMOS SRAM以及S100101 3-5输入或/或非门电路等科研成果已于1983年3月通过了部级设计定型。这些电路的研制成功为我国计算机和MOS大规模集成电路、超高速ECL电路的发展开创了道路。 M4116 16kMOS DRAM 采用N沟双层多晶硅工艺制造,芯片面积3×5.6mm2,集成度37000个元件/片。电路用多路分时行、列地址输入,三态输出;数据输出由列地址选通控制并在取数时间至列地址  
        
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