最新刊期
      1984年第2期

      • Searle运算的逻辑特征与网络设计

        马华孝
        1984(2): 1-8.
        摘要：本文讨论了Searle运算的逻辑特征,给出了交错式真值表,并用布尔逻辑的分析方法提出了Searle运算、与等的异或逻辑转换公式。文中还作出了Searle运算的逻辑网络设计,从而有利于它在序率理论中的进一步应用,诸如用于快速沃尔什—付里叶变换（FWFT）,里德—马勒（Reed-Muller）信号检测等等。本文还简评了二进制数字与信号的无进位四则运算的重要意义。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • VIS-SC滤波器的分析

        J.Pandel A.Fettweis, 黄大卫
        1984(2): 9-14.
        摘要：本文给出了一类特殊开关电容滤波器（即VIS-SC滤波器）的有效分析方法。由于采用了分节计算,所以仅需计算小矩阵,节约了计算时间。一个大的VIS-SC滤波器也可很快地被分析出来,且精确度高。该方法可推广到其他SC网络的分析。文末给出了VIS-SC滤波器的数字分析实例。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 一类弯曲天线引向阵的最佳定向性

        梁昌洪
        1984(2): 15-22.
        摘要：本文提出一类由弯曲单元构成的引向阵最佳定向性的计算方法。同时确定了最佳的弯曲形状和位置。在优化过程中采用矩量法导出公式,且用单纯形法调优。给出的例子表明,三元1.5λ构成的引向阵,最佳定向性可达11.79l dB。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 多波形信号发生仪中正弦波形逼近的优化设计

        陈开周, 胡俊文, 殷峰
        1984(2): 23-27.
        摘要：在电路设计中产生正弦信号的方法,通常用折线函数进行逼近。当折线的段数n选定后,子区间的端点如何分布,方能使非线性失真系数γ最小化?我们用最优化方法较圆满地解决了这一问题。第一、推证出γ的计算公式,第二、由此公式,应用最优化方法,得出了较优的数值结果和通用计算程序。对于n=6的结果,我们还具体做了实验和测试,效果较好。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 选择重传ARQ系统的通过率

        王育民, 林舒
        1984(2): 28-33.
        摘要：本文对任意有限接收缓存器下选择重传ARQ系统的通过率进行了分析。结果表明,选择适当容量的缓存器（在对溢出作适当处理的情况下）,可以得到较好的性能。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • MOSLSI自给衬偏电路的研究与改进

        汪仁里, 岳震五, 石秉学, 李志坚
        1984(2): 34-41.
        摘要：本文对MOS自给衬偏电路的工作原理和特性进行了定量的分析和研究,得出了一个有助于设计的等效电路,用此算出的输出特性与实验结果基本一致。设计并研制成功一种高效能衬偏产生器,它能输出-5V的衬偏电压,供给大于50μA的输出电流。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 电子光学系统的最优化设计

        顾昌鑫, 陈乃群, 吴学梅
        1984(2): 41-47.
        摘要：提出了一种单纯形优化方法（Simplex Method）,它能直接搜索目标函数——球差系数最小的电子光学系统的最终结构。叙述了应用该法求得的扩展场透镜的最佳结构和电参数,在像方焦距不增大的情况下,可以使球差系数的相对值从未经优化搜索时的826.9降低至393.2。应用这种最优化设计方法还能方便地得出机械公差对球差系数的影响。该法不需要已知目标函数与搜索变量之间解析关系式并求导,因此作为电子光学系统的最优化设计具有明显的优越性。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 波纹系统特征值的深入研究

        王汉礼, 章日荣
        1984(2): 48-57.
        摘要：本文对波纹喇叭的边界条件特征方程的解提出了新的简便方法。据此可以简便、迅速地求出特征方程的实根解和虚根解,在求复根解时更有突出的优越性。文中首次求出了波纹圆柱波导内场的全部特征值,阐明了实根模、虚根模和复根模的存在条件及其随波导参数变化的相互转化关系,为高性能波纹喇叭的选模设计提供了比较完备的理论依据。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 球面上孔径型天线间的互耦分析

        杨伟中, 张钧
        1984(2): 57-63.
        摘要：本文利用正交模级数法和高频渐近解法分析了球面上孔径型天线之间的互耦问题,导出了计算互耦的公式。提出了一些可行的适合用于计算机的计算方法并给出了计算结果。在比较的基础上指出了这两种方法各自的优缺点,检验了高频渐近解的准确性。本文还研究了缝间互耦随其相互位置变化的规律。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 无显影光刻机理的探讨

        刘济民, 郭增权, 李大虹
        1984(2): 63-69.
        摘要：本文研究了无显影光刻的机理,得出的结论是:氢氟酸与SiO2反应生成气态SiF4,是无显影光刻实现的基础,凝胶的半透膜物化作用是促进氢氟酸腐蚀作用的媒介;光敏物质经光化学反应形成或改变其共振结构,是导致氢氟酸腐蚀效率改变的关键。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 单元平均检测器的性能研究

        赵树杰
        1984(2): 70-75.
        摘要：本文研究了在窄带稳态高斯杂波背景和X2分布目标模型下的测检器性能,导出了检测概率的通用公式和便于计算的递推算法表示式。计算结果表明,当参考单元中存在目标信号时,虚警概率随着信杂比的增加而迅速降低,检测概率也明显下降。当目标的起伏程度不同时,检测器的性能也不同。文中还提出了减小参考单元中目标信号对检测性能影响的基本自适应方案。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 提高回旋单腔振荡管电子效率与功率的途径

        李宏福, 杜品忠
        1984(2): 76-82.
        摘要：本文用轨道理论对具有圆柱形谐振腔的回旋单腔振荡管作了非线性理论分析与归一化计算,给出了谐振腔中场分布、电磁储能、Q值等表示式,证明了在互作用区采用抛物线磁场分布可以显著提高回旋管的效率。文中对a(=ν⊥0/ν‖0)为1.5和2两种情况进行了计算,研究了电子注电压V0、绕射品质因数Qd、电流Io以及电子注位置等因素对回旋管电子效率、输出功率的影响。所得结果具有一定的普适性。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 纵向并联缝的等效导纳及短路板的影响

        彭仲秋
        1984(2): 83-90.
        摘要：本文应用变分法结合应用Babinet原理,导出波导宽边纵缝的等效导纳公式。这些公式可用于计算缝中心距短路板为四分之一波导波长和离短路板较远两种情况的等效导纳。通过分析计算结果,说明用通用归一化导纳曲线提供阵的设计的可能性。还给出实验结果与计算结果的比较。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 电子光学的发展动向

        西门纪业
        1984(2): 90-96.
        摘要：本文讨论了电子光学学科发展的一些值得注意的动向,即:旋转对称的弱流细束电子光学;电子光学的矩阵代数和优化设计;非旋转对称的多极系统;扫描束电子光学系统的新发展即聚焦-偏转复合系统;宽束电子光学系统;弯曲轴电子和离子光学系统以及波动电子光学。文中还展望了电子光学今后的发展和应用。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 首届全国光电器件学术交流会在宁召开

        周进
        1984(2): 96.
        摘要：<正> 由中国电子学会和中国光学学会联合主办的首届全国光电器件学术交流会于1983年12月在南京市召开。通过讨论,专家们高兴地指出,我国光电器件近年来有了很大的发展,其设计、试制力量已初具规模;国际上各种光电器件,我国都在研制,其中不少器件的主要性能指标达到了国外同类产品先进水平。光电器件  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 电视同步信号的优化综合

        全子一, 董旭
        1984(2): 97-104.
        摘要：本文根据文献[1]给出的设计,对电视同步信号的电子综合法,采用优化设计及组合逻辑函数多变量输出的计算机化简方法,取得了与计算机模拟验证和电路实验验证完全一致的结果。经比较发现,本文的效果优于电视同步机常用方法的相应结果。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • GD非晶硅电子迁移率的测量

        李德林, 林美荣, 张桂兰, 徐温元
        1984(2): 105-107.
        摘要：本文介绍用“渡越时间”法测量辉光放电硅烷生长的本征非晶硅材料的电子迁移率。讨论了电场强度和注入光强度对瞬态光电流的影响。由于制备条件的不同,a-Si:H材料中电子迁移率在0.3～1.2cm2/V.s之间。由于非晶硅材料中局域态对电子的陷阱作用,电子陷阱的释放弛豫时间均大于1μs。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 硅阳极氧化的XPS研究

        宗祥福, 陈一, 张过路
        1984(2): 108-112.
        摘要：硅-二氧化硅界面过渡区的状态与半导体器件制造工艺有密切关系。以不同的光电子发射角对不同的阳极氧化样品得到的XPS（X-ray Photoelectron Spectroscopy）谱表明;阳极氧化生成的氧化层接近双层突变结构,而热氧化生长层的界面存在过渡层。本文讨论了阳极氧化生长过程,分析了两种氧化方法引起过渡区差别的原因.  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 彩色电视机色通道单片集成电路

        白元根, 曹建安, 葛垂安, 骆季奎
        1984(2): 112-115.
        摘要：本文介绍了一种彩色电视机色通道单片集成电路的简单原理,制造工艺要点,测试结果以及本工艺技术的可行性和可靠性。 该电路是采用标准双极线性集成电路工艺和双层布线技术制成的大规模线性集成电路。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 用核反应法测定硅表面氧含量

        钱景华, 臧德鸿, 张宝全, 张钰蓉, 吴小凤, 王维龙, 张阿根, 张龙兴, 胡瑞娟, 神承复
        1984(2): 116-118.
        摘要：简要介绍了用核反应16О（d,P1）17О分析硅表面氧含量的方法。鉴别了集成电路制备工艺中对硅表面氧化层的清洗效果,给出了对硅表面自然氧化过程的观察结果。  
          
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        更新时间：2025-12-08
      • 袁孝康
        1984(2): 118-120.
        摘要：本文对文献[1]进行了评论,指出了该文存在的问题和不足之处。同时给出了逐级进入式对数放大器和双增益级对数放大器的一般化设计公式。  
          
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