最新刊期

    1985年第1期
    • 有耗网络S参数的相角关系不等式

      梁昌洪
      1985(1): 1-8.
      摘要:本文提出了一种分析任意有耗网络的新方法。推导了S参数的相角关系不等式。文中的结果与实验结果作了比较。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 真空电子学第五届学术年会侧记

      张永康
      1985(1): 8-18.
      摘要:<正> 中国电子学会真空电子学专业学会第五届年会于1984年11月26日到12月1日在咸阳市召开。会议分别以大会报告与分组宣讲的形式对73篇经过优选的论文进行了交流。现概括为如下几个专题作一些初浅的评介。 真空电子学的发展 长期以来,我们的注意力过多地集中在真空电子学的单一主角——真空电子器件,特别是微波器件身上,因此十多年来始终被诸如真空电子器件会不会被固态器件取代、哪些真空器件还有生  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 鳍线设计的经验公式

      王秉中, 薛良金
      1985(1): 9-18.
      摘要:本文给出一组经验公式,用以计算单面、双面和对极型鳍线中主模的传播常数和特性阻抗。对于常用鳍线,用这组经验公式计算的结果与文献[2]、[4]、[6]~[10]中给出的结果比较,相对误差一般不超过±4.5%。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 光相干式时域反射计的研究

      杜懋畅
      1985(1): 19-22.
      摘要:本实验在1.15μm波长波段运用APD及Ge-PIN前置调谐式前级放大器实现了光相干式时域反射计(Coherent OTDR)。观察到了长1500m的单模光纤的二次菲涅尔反射及一次瑞利散射。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 自适应最大熵谱估值器的检测性能

      王永德, 顾慰华, 苗家林
      1985(1): 22-30.
      摘要:本文从理论分析与计算机模拟两方面分析了自适应最大熵谱估值(AMESE)的统计特性,并绘出了它的接收机工作特性曲线(ROC)。最后,将该谱估值器的检测性能与自适应谱线增强器(ALE)的检测性能进行了定量的比较。结果表明,在检测单个正弦信号的情况下,两者的检测性能基本相同。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 模拟电路单一差错与多重差错的双线性求值判断法

      李于凡
      1985(1): 31-37.
      摘要:本文阐明了模拟电路双线性偏差映射理论,提出了单一差错与多重差错的求值判断法。不论差错元件是短路、开路或任意参数偏离,可用线性方法从外部若干个测量值确定其差错位置并计算出其差错值。文末用了一个实例在侦错效果上与别的方法作了比较。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 取样锁相环的实用噪声带宽公式

      孙启万
      1985(1): 38-42.
      摘要:本文应用双线性变换,导出了离散全方积分计算公式的新结果,并据以给出了几种主要取样锁相环的简单而实用的噪声带宽公式,以及这些公式之间的关系。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 印刷体字符的识别方法

      郭熙凡, 罗耀光
      1985(1): 43-48.
      摘要:本文以字符在各象限的端点数和转动惯量为识别特征,并利用邻类兼容和多级分类来识别印刷体字符。这种方法具有较强的区分相似字符的能力。本方法在C-4500数字图象处理机和FELIX-C512电子计算机组成的系统上做了实验,对6000个印刷体汉字的识别取得了令人满意的结果。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 内置导线的开缝矩形导电腔的电磁耦合

      马柏林
      1985(1): 49-55.
      摘要:本文对电磁功率通过狭缝进入内部置有导线的矩形导电腔的耦合问题作了初步研究。用等效定理将问题分作两部份。按有关边界条件得出关于狭缝上等效磁流和导线上电流的联立方程组,用矩量法将其转化为矩阵方程组,利用狭缝和细线近似简化了计算。从典型的数值计算结果中可以看到,在某些入射波频率下,存在着关于磁流、电流和腔内场的谐振现象。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 叠加白噪声图象的“双向Kalman滤波”

      王欣
      1985(1): 56-60.
      摘要:本文对叠加白噪声图象的恢复问题提出了一种“双向Kalman滤波”的新方法,它有效地节省了处理图片的时间。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 第七届全国激光学术会议于成都召开

      陆家和
      1985(1): 60.
      摘要:<正> 中国电子学会和中国光学学会联合举办的第七届全国激光学术报告会于11月15日至20日在成都市召开。中国光学学会理事长王大珩同志和四川省科委等有关领导出席了会议。参加这次会议的有来自全国25个市省、自治区包括高等院校、科研机构和工厂企业等130多个单位的350多位代表。 会议以大会和分组会形式宣读了130多篇学术论文,书面交流论文90多篇。大会宣读的特邀报告,如高  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 显象管中阴极失效机理的分析

      白鹤翔, 赵守珍
      1985(1): 61-64.
      摘要:本文用离子探针(IMA)和扫描电子显微镜(SEM)对不同寿命显象管中阴极的失效机理进行了初步分析。结果表明:不同寿命下超额Ba在涂层内的分布是中间含量大于两端,其含量峰值随寿命下降并内移,相对含量亦随寿命而降低;寿命初期Ni与涂层介面处有Mg的富集峰。随着寿命加长,Mg的总量降低,富集蜂内移;在Ni中有Ba的“反扩散”现象,Ba的累积量和渗透深度均随寿命而增加。上述现象对电子发射均产生不良影响。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 陈倜嵘
      1985(1): 65-71.
      摘要:利用一种新的激光—三极管对InGaAsP/InP双异质结激光器中的电子和空穴泄漏电流,首次进行了直接测量。表明在激光器正常运转条件下,存在着明显的电子泄漏,而空穴泄漏却小到可以忽略。电子泄漏电流随总注入电流的增大而迅速增大,并对温度敏感。如果能防止电子泄漏,则激光器的特征温度T0可提高约30K。本文考虑到漂移电场及热载流子效应而提出的理论模型可解释实验事实。据此设计并制作了一种具有低阈值电流(20mA)及高特征温度(90K)的新结构激光器。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 毛细管放电着火特性的研究

      黄宗琳, 王欲知
      1985(1): 72-80.
      摘要:在6301型标准压强系统上,就H2、N2、He、Ne、Ar、Kr等六种气体在10-1~20托范围内对毛细管放电的着火特性进行了研究,并与平板电极系统及无管壁影响的系统做了比较。结果证实:(1)在气体压强、极间距离相同时,毛细管的着火电压Vs普遍比平板电极的高;(2)在毛细管放电中Paschen定律不成立。 参照实验结果,提出了一个简要理论,考虑管壁影响并导出了毛细管放电的着火条件。理论与实验结果有一定程度的符合。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 氧本征吸除工艺的实验研究

      宗祥福, 顾孝义, 戚盛勇, 神承复, 罗林基, 黄慧玲, 俞桂贞, 袁小莺, 秦涛, 杨灏, 陈智生
      1985(1): 80-85.
      摘要:通过红外吸收测量、带电粒子活化分析及腐蚀后的金相观察,证实了经三步热处理退火后的CZ硅片,表面层氧外扩散而形成“清洁区”,体内氧沉淀形成高密度的缺陷区。采用中子活化、C-T测量、p-n结试验等技术,证实了氧本征吸除的吸杂效果。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • I1-ch窗函数及其应用

      邹谋炎, 刘瑞荣
      1985(1): 85-92.
      摘要:I1-ch窗函数是Dolph-窗函数的一个极好的近似,它在时域和频域都能给出显式表达,因而应用上比Dolph-窗函数方便得多。本文研究了I1-ch窗函数的性质,着重讨论了在滤波器设计中的应用,说明了与其他窗函数方法以及最优化方法相比,I1-ch窗方法兼有运算量小和接近最佳设计的优点。最后还给出了实际应用的例子。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 回旋管动量离散的演化及其饱和机理

      张世昌, 张春
      1985(1): 93-98.
      摘要:本文采用准线性理论,研究了回旋管动量离散的演化,提出了由此引起的不稳定性饱和机理,求得了包括初始横向及纵向动量离散影响在内的计算输出功率、效率、增益、饱和时间和腔长的数学表达式。文中对所得结果进行了数值计算分析。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 对雷达的干扰与雷达的反干扰

      郦能敬, 张益汀
      1985(1): 99-109.
      摘要:对雷达的干扰与雷达的反干扰始终是电子战的核心内客。本文简要地回顾了它的发展进程,着重综述了它的技术要点,展望了它的发展趋势,讨论了它的效果评价、复合使用等系统性问题。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 集成电路技术综述

      马俊如, 王守武
      1985(1): 109-116.
      摘要:晶体管的发明是固体物理与先进技术相结合的成果。在一块硅片上用相同的工艺流程制作晶体管、电阻和电容的技术导致了集成电路的发明。LSI的成功归因于成品率的提高。芯片的设计和工艺方面的重要革新使VLSI进展很快。研究短沟道效应、降低功率密度和互连电阻值,开发1μm或小于1μm的光刻技术和低于800℃的低温工艺流程以及高集成度芯片的封装,将是下一步的重要课题。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 脉冲光泵混合气体远红外激光器

      潘承志, 韩绍平, 秦毅, 后其国, 刘秀云
      1985(1): 117-119.
      摘要:采用D2O-CH3I、D2O-CH3F、CH3I-CH3F和D2O-CH3I-CH3F等四种混和气体、作为脉冲光泵远红外激光器的工作物质,只需改变TEA-CO2激光器的泵浦谱线,就能获得这些工作物质各自产生的强远红外激光辐射。作者认为这是由同一器件获得多波长强远红外激光输出的新的可行方案。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 具有阳极氧化层的N-InP肖特基势垒的研究

      胡冰华, 周炳林, 张洪方
      1985(1): 119-121.
      摘要:用阳极氧化方法在N-InP与金属之间夹入薄层自体氧化物,得到了势垒高度φB>0.70eV,理想因子n=1.1~1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中测出一个位于导带之下0.62eV的较深的电子陷阱。最后,采用稍加修正的肖特基势垒模型解释了势垒高度的增加。结果表明,氧化层中的固定电荷对势垒高度的影响是极其重要的。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 用非晶硅作绝缘层的表面变容二极管

      王万录, 沈浩平
      1985(1): 122-123.
      摘要:本文提出了一种用a-Si作绝缘层的表面变容二极管。该器件光敏性高,电容比大,稳定性好以及制造工艺简单,可望获得新的应用。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 极树的生成

      孟宪强
      1985(1): 124-126.
      摘要:在得出图的树及树余间的一个数量关系后,引进了极树定义的一种新形式,得到了极树的几个充分条件,进而提供了一个生成极树的新方法。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 雷达实时数据处理中反正切函数的改进算法

      章治本
      1985(1): 127-128.
      摘要:本文给出了雷达实时数据处理反正切函数的改进算法,其所需乘除法运算次数最多为两次。  
        
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      更新时间:2025-12-08
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