首页
关于期刊
电子学报
编委会
在线内容
在线期刊
在线文章
专栏
出版指南
投稿指南
客座编委指南
下载中心
个人中心
退出登录
浏览全部资源
扫码关注微信
首页
关于期刊
电子学报
期刊介绍
同行评议
出版伦理
联系我们
期刊订阅
编委会
现任编委会
在线内容
在线期刊
优先出版
当期目录
过刊浏览
在线文章
论文数据
引用排行
热门下载
专栏
出版专栏
虚拟专栏
专栏征稿
出版指南
投稿指南
准备稿件
审稿流程
出版过程
版权信息
争议处理
客座编委指南
专栏申请
专栏组织
下载中心
最新刊期
1985年第3期
本期电子书
封面故事
上一期
下一期
向量化中的识别指导性指令
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
范植华, 吴健安, 郭强, 魏奎超
1985(3): 1-12.
摘要:以向量计算机向量识别器作为背景,本文介绍向量化识别指导性指令的意义,提出它的一种较好的设计方法。
2
|
13
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34272782 false
更新时间:2025-12-08
选控图的一类新实现方法——标准变换法
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
张公绪
1985(3): 13-20.
摘要:将选控图与通用图相结合是一个新的进展。应用标准变换方法使得正态、二项、Poisson各类分布情况的选控图都获得改进或提出新的实现方法,称为标准变换法。文中所举实例是对本文方法的验证。
2
|
63
|
1
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273046 false
更新时间:2025-12-08
电网络的主划分与最优调和分解
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
黄汝激
1985(3): 20-28.
摘要:提出了求线图之主划分的一个改进算法;引入了图之调和分解树的概念,进而提出了求一个网络图之全部调和分解与最优调和分解的方法。这些方法将有利于分裂法的应用。
2
|
13
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273277 false
更新时间:2025-12-08
一般和延时取样锁相环的稳定性研究
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
孙启万
1985(3): 29-35.
摘要:本文根据取样数据控制系统的稳定性理论,利用z变换和修正变换方法,导出了取样锁相环和延时取样锁相环在工程设计中常用的一般稳定判据。文中还给出了这些稳定判据间的重要关系。
2
|
56
|
3
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273210 false
更新时间:2025-12-08
5-硝基苊光致特性的研究
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
韩阶平, 钟慧莉, 马俊如, 王守武
1985(3): 36-41.
摘要:作者发现,负性光刻胶常用的增感剂5-硝基苊,在受紫外光照射后,物理、化学特性有明显的改变。分析表明,5-硝基苊在曝光中产生了光化反应,其主要反应物是8-甲基-4-硝基-1-萘醛(C
12
H
9
NO
3
,简称MNNA)。利用5-硝基苊受光照后特性的变化,可在SiO
2
层上实现选择刻蚀,并能较满意地解释无显影刻蚀过程。
2
|
45
|
5
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273312 false
更新时间:2025-12-08
小型氢脉塞金属加载谐振腔的研究
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
曹康白, 窦文斌, 薛良金
1985(3): 42-50.
摘要:本文对氢脉塞小型谐振腔进行了理论和实验研究。用变分法给出金属加载圆波导的载止波数的上、下限,以及加载圆柱形谐振腔的f
0
、Q
0
和η’。计算结果与实验一致性较好,可供腔体设计参考。还得出了与前人不同的一些结论。
2
|
18
|
1
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273527 false
更新时间:2025-12-08
氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
姜祥祺, 加藤隆男
1985(3): 50-55.
摘要:采用钽针尖氮化法首次制得了氮化钽场发射阴极。在加速电压为6.8kV,尖端温度为1300℃时,热场发射电流达210μA,相应的亮度可达3×10
8
A/cm
2
·str,角电流密度为5×10
3
μA/str。在真空度为10
-8
托时,能得到较为稳定的发射,30分钟内发射电流的漂移在2.5%以下。典型的场发射图象由中央为暗区,二侧有二叶对称的明区所构成。采用俄歇谱仪对阴极表面进行了组成分析。
2
|
25
|
1
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34272953 false
更新时间:2025-12-08
Si
3
N
4
薄膜对集成晶体管特性的影响
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
晋琦, 吴宪平
1985(3): 56-62.
摘要:本文研究了用不同的制备方法,以及制备不同厚度的Si
3
N
4
膜对集成晶体管电流增益的影响,取得了能明显地提高电流增益的最佳Si
3
N
4
膜厚及其制备的方法。通过对硅片平整度和少子寿命的测试,估计了Si
3
N
4
膜对硅片因热氧化而引起的表面应力的补偿作用,发现电流增益提升效果最佳的Si
3
N
4
膜与最佳的表面应力补偿相对应,这时的硅片少子寿命最长。
2
|
51
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34274146 false
更新时间:2025-12-08
嵌套并发软件机网在函数式程序设计系统中的表示
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
江明德
1985(3): 63-70.
摘要:为了使函数式程序设计(FP)系统适用于分布处理环境,本文引入通讯函数型,在此基础上提出并发软件机(CSM)概念。CSM在FP系统中将表示成一个模块,即一个函数,它们可以是嵌套的、递归的。各CSM通过通讯函数型相互联系,组成CSM网。
3
|
6
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273229 false
更新时间:2025-12-08
超声全息的成象方程、最佳估计与算法
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
李在铭, 吴军蹄
1985(3): 71-76.
摘要:本文讨论了超声Fourier全息术的成象方程、最佳估计模型及计算机处理算法,分析了干扰背景的影响与去除。运用这一模型与算法,获得了良好的结果。
2
|
42
|
1
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273653 false
更新时间:2025-12-08
三值“阈”门和T门集成电路的实现
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
刘百勇, 郑学仁, 黄兆俊, 曾绍洪
1985(3): 77-82.
摘要:本文介绍了一种结构简单、适于集成化的三值“阈”门电路,并设计了一个多功能三值T门集成电路。给出了它们的研制结果、逻辑操作波形以及线性“与或”门三值运用时的瞬态特性分析结果。实验表明:我国提出的多元逻辑(DYL)电路结构在实现多值集成电路方面同样有广阔前景。
2
|
40
|
6
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273573 false
更新时间:2025-12-08
用伪贝叶斯包络估计方法从噪音中提取语音信号
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
于学武, 袁保宗
1985(3): 82-87.
摘要:本文首先对用于混噪语音改善的最大似然包络估计方法进行了简要叙述,并作了适当修正。同时结合语音的统计特性,推广为伪贝叶斯估计。试验表明,在-5dB信噪比情况下,噪声可以减小到极微弱的程度,此外,还着重讨论了语音处理质量的相干系数评价方法。
2
|
62
|
1
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34272863 false
更新时间:2025-12-08
一种采用前馈控制的锁相环
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
林玉老
1985(3): 88-94.
摘要:本文提出一种身用前馈控制的锁相环。分析表明,这种环路性能良好,精度高,而且不影响环路的稳定性,捕捉特性也有很大改善。文中还讨论了在噪声作用下采用这种环路的可能性和滤波器的设计问题。
2
|
58
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273461 false
更新时间:2025-12-08
装有圆锥法兰的成形副反射器的散射场GTD的分析
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
张益凤
1985(3): 94-98.
摘要:本文介绍了一种初级馈源放在散焦区和装有圆锥法兰的成形副反射器主平面的散射方向图的几何绕射理论的分析。文中除了考虑成形副反射器和圆锥法兰的几何光学场外,还考虑了成形副反射器和圆锥法兰之间形成的劈的绕射,以及法兰盘边缘的绕射。计算和实验结果的一致性良好。
2
|
11
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34272985 false
更新时间:2025-12-08
分布处理的进展与问题
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
蔡希尧, 金益民
1985(3): 99-106.
摘要:本文回顾了分布处理的进展,着重讨论了系统结构、分布式数据库、作业分配和分布处理软件等方面的有关问题,指出了存在的困难和发展前景。
2
|
15
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273420 false
更新时间:2025-12-08
忆阻元件浅说
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
陈大棓
1985(3): 107-110.
摘要:本文简单介绍忆阻元件的定义、性质、应用与如何实现等问题。
2
|
346
|
6
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34274219 false
更新时间:2025-12-08
对“用搜索法化简非相干系统失效树”一文的注记
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
廖炯生, 史定华
1985(3): 110-112.
摘要:本注记对文献[1]提出两点管见:(1)对非相干失效树使用最小割集作为故障模式的抽象欠妥,只能用质蕴涵集;(2)搜索法无法保证求得非相干失效树的质蕴涵族或者无冗余质蕴涵族。
2
|
17
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273004 false
更新时间:2025-12-08
金属件变形对金属—陶瓷封接应力的影响
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
李松茂, 李佛标, 马德青, 陈树坤
1985(3): 113-115.
摘要:通过一种陶瓷和一些新合金的封接试验和测量封接过程中的应力,提出了一些降低陶瓷电子管内应力的方法。
4
|
56
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273479 false
更新时间:2025-12-08
一种全数字式帧同步码组识别器
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
周军成
1985(3): 116-117.
摘要:本文介绍了一种能自动变换容错位数的全数字式帧同步码组识别器的电路构成。
2
|
44
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34273294 false
更新时间:2025-12-08
Karhunen-Loéve变换的几种特例
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
王中德
1985(3): 118-119.
摘要:本文考虑了一阶马尔柯夫过程的Karhunen-Loéve变按(KLT)的两种特殊情况,证明了当相关系数p→0时,一阶马尔柯夫过程的KLT退化为第Ⅰ种离散sine变换(DST-I),当p→-1时,一阶马尔柯夫过程的KLT退化为第Ⅱ种离散sine变换(DST-Ⅱ)。
2
|
71
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34274202 false
更新时间:2025-12-08
共 0 条
1
前往:
页
跳转
上一期
下一期
0
批量引用
回到顶部