最新刊期
      1986年第2期

      • 人工智能控制及其在控温中的应用

        涂象初, 张子明, 李维良, 涂承宇, 张龙生, 程兆兰
        1986(2): 1-5.
        摘要：介绍了一种实现人工智能控制的新方法。借助专门设计的智能软件,实现了一系列专家功能,收到了兼具模糊控制和传统控制的优点的效果。运用本控制器构成的控温系统,具有极为优良的控制品质,在13～120K的低温范围内,其温度稳定性优于0.0004K/h,甚至更佳。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • W频段部分高铁氧体柱H面g重对称波导环行器

        刘跃武
        1986(2): 6-16.
        摘要：本文用严格的模式匹配方法,分析部分高铁氧体柱H面g重对称波导环行器,并在W频段上对Y结波导环行器进行数值计算和实验验证。所得结果表明,在86～90GHz频率范围内,计算值和实验值符合良好。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 纠三个错的二元BCH码的新的完全译码

        冯贵良
        1986(2): 17-25.
        摘要：本文给出了求解一类非线性方程组的根的新方法。这类非线性方程组出现在纠三个错的二元BCH码的Van der Horst和Berger的完全译码中。当m是偶数时,长n=2m-1的纠三个错的二元BCH码的新的完全译码,只需要寻找二次方程的根以及最多m次计算GF（2）上m元矢量的内积。因而新的完全译码非常简单,并对中等大的m也很实用。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 横闩式同轴波导过渡的理论分析

        赵清明
        1986(2): 25-29.
        摘要：应用辅助势函数,推导了一端具有短路板的矩形直波导中单位电流源的辐射场。当波导只传输主模(TE10模)时,求得从同轴线看去的输入阻抗的实部和虚部表达式。理论计算和实验结果接近。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • Ar+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件

        沈宗雍, 林成鲁, 邹世昌, 薛自
        1986(2): 30-34.
        摘要：在Ar+激光再结晶多晶硅岛上制备出的CMOS/SOI器件,性能良好。N沟和P沟MOSFE7在沟道长度为4μm时,低场电子和空穴表面迁移串分别为510cm2/V.s和142cm2/V.s;CMOS六倒相器有好的静态和瞬态特性;CMOS九级环形振荡器P沟负载管和N沟输入管的W/L分别为112μm/6μm和52μm/6μm,其最小传输延时为2.8ns/级,最小延迟功耗乘积为2.6pJ/级。速度性能优于同尺寸的体硅CMOS器件。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管

        苏里曼
        1986(2): 35-39.
        摘要：研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×103Ω-1cm-1)禁带宽（Eg（Γ）=2.5eV）的氧化镉（CdO）透明膜,形成宽发射区。测试结果表明,该管具有较宽的波长响应（λ=0.5～1.6μm）,共发射极电流增益hfe为10(VCE=3V,IC=1mA)。并对发射结的伏安恃性、hfe-IC及暗电流等进行了讨论。  
          
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        更新时间：2025-12-08
      • 1986(2): 39.
        摘要：<正> 中国电子学会于一九八五年十一月七日至十二日在上海召开了《中国电子走向二○○○年学术讨论会》暨《第三届理事会第三次会议》,上海市市长江泽民、电子工业部部长李铁映出席会议并讲了话。 李铁映部长在讲话中指出,电子工业面临的形势是改革和发展。“七五”期间,电子工业要面向全行业,面向四化、面向新的技术革命,把服务重点转向为国民经济,为整个社会生活服务,把发展方向转向以微电子技术为基础、以计算机和通信为主体,使电子工业成为国民经济建设的技术装备部门。李部长还希望  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 多速率数字滤波器的设计

        何振亚, 龚伟
        1986(2): 40-45.
        摘要：本文首先推导出了窄带信号下的抽样定理,指出在窄带信号下抽样频率可以低于信号最高频率分量的二倍。利用这一原理,可以得出带通多速率滤波器的非常简明的设计方法。文章还就多速率滤波器的性能进行了讨论,得出了一些与文献介绍不同的结论。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 正态可靠寿命的Bayes限、Fiducial限及经典限

        周源泉
        1986(2): 46-52.
        摘要：当正态参数取右不变Haar先验测度时,正态可靠寿命的Boyes限、Fiducial限与经典限完全相同。为解决单边容许限系数表值有限的矛盾,推导了可靠寿命精确限计算的直接法,为工程应用方便,给出了可用手算解近似限的方法。所得结果可平行地用于对数正态分布的可靠寿命及最大维修时间的区间估计。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 波数字滤波器与参考滤波器的灵敏度之间的关系

        杜裕曾
        1986(2): 53-61.
        摘要：通过对波数字滤波器的低灵敏度性质进行理论分析,获得了波数字滤波器与其参考滤波器灵敏度之间直接关联的公式,解释了以往从数值计算上观察到的结果,并据以从参考滤波器的灵敏度简捷地推求波数字滤波器的灵敏度。文末给出了计算实例以说明上述结果。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 三线平行耦合线宽带带通滤波器的设计

        廖承恩, 韩晓录
        1986(2): 62-68.
        摘要：本文分析了三线平行耦合线带通滤波器的设计原理,给出了有关设计曲线。这种滤波器具有频带宽、易于设计制作、性能良好等优点。文中给出了S波段带状线带通滤波器设计实例,其测试结果与理论计算结果基本一致。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 超导弱连接对外辐射的电压响应及RF阻抗

        邬彬若
        1986(2): 68-77.
        摘要：本文讨论用外辐射RSJ模型的解析解求超导弱连接的电压响应和RF阻抗的一种方法。在最低近似条件下,求得了相应的电压响应及RF阻抗的解析式,表明在电流电压特性曲线（IVC）上,第零号（0th）电流台阶到第一号（1st）电流台阶间的阻抗是连续变化的。第一号电流台阶上的阻抗解析式也被首次求得。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 大型天线结构地震响应分析

        陈建军, 曾余庚
        1986(2): 78-84.
        摘要：大型天线结构通常是由众多杆、梁、板壳等诸种构件组合而成的复杂结构。本文用有限单元法将某大型轮轨式天线结构离散为多自由度系统（2694阶）,以振型迭加法进行确定性地震响应分析,获得了结构前5阶固有频率和振型、各节点位移响应历程、各构件应力响应最大值等对抗震设计有参考价值的数据。最后对天线结构地震响应的有关问题提出了几点看法和建议。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • Ⅲ-Ⅴ族化合物外延材料的表面光伏谱的研究

        沈(岂页)华
        1986(2): 85-91.
        摘要：测量了不同掺杂浓度和外延层厚度的Ⅲ-Ⅴ族化合物外延材料的光伏谱。由曲线拟合计算出了外延层的掺杂浓度和少子扩散长度等参数,并与实验测量值作了对比,结果表明,理论与实际基本一致。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 移动通信中多径传播时延的分布密度

        李元青
        1986(2): 92-99.
        摘要：本文根据移动通信中电波传播的基本特点,推导出以地形特征及传播特征为参数的多径传播时延的分布密度。这一分布密度与目前公认的指数分布不同,但将它作为一种特殊情况包括在内。文中给出了时延服从指数分布的条件,并较圆满地解释了试验中观察到的一些现象。最后讨论了分布密度公式中两个参数的物理意义。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 射电干涉仪中互调分量分析

        纪志浩
        1986(2): 100-105.
        摘要：本文研究了射电干涉仪中互调分量对相位估计的影响,讨论了双通道干涉仪通道频率的选取原则。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 模糊集在信息系统中的应用

        梁泰基, 郭桂蓉
        1986(2): 106-114.
        摘要：本文论述模糊集在信息系统中的应用问题。首先介绍它在信息系统中应用的现状,然后对其在电子工程中的应用前景作一预测。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 热处理NTD CZ Si中的两个氧施主

        孟祥提
        1986(2): 115-118.
        摘要：本文用Hall效应、电阻率和红外吸收测量研究了热处理NTD CZ Si中的热施主TD和新施主ND的形成和退火行为。中子辐照使表观TD浓度显著下降,而促使ND的形成。在NTD CZ Si中,氧因辐照增强扩散在无序区处聚集成大尺寸复杂硅-氧集团是ND形成的主要原因。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 电路中心设计的一个新算法——中心随机游动

        于骁勇, 王如筠, 朱辉
        1986(2): 119-124.
        摘要：本文提出了一个电路中心设计（DC）的新算法。在正态分布、同一方差的假设下,借助随机逼近理论讨论了它的收敛性。因其只要求对电路进行Monte Carlo分析（MCA）,不用计算灵敏度,故适用于线性和非线性电路,易于在计算机上实现。算例表明,本算法收敛快,计算量少,对非凸、非单连通可行域均有效。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 易测电路的构成及其测试生成算法

        茅巍巍, 凌燮亭
        1986(2): 125-128.
        摘要：本文提出一种将任意组合电路转变为易测电路的方法和易测电路的测试生成算法。对电路中所有引线的单固定故障都能产生测试向量。测试生成所需的计算量的上限是2（n1+4n2）2。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 关于参考文献书写格式的说明及举例

        1986(2): 128.
        摘要：<正> 《电子学报》参考文献条目书写格式,是依本刊自1962年创刊以来的惯用格式,并参照IEEE有关期刊习用的规格略加调整而成的。现举例如下。 （1） 源于期刊的书写顺序为:[序号]作者姓名:文题,刊名或其缩写,卷号,期号,起止页码,年  
          
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