最新刊期
      1992年第5期

      • 基于混合图的总体布线调整

        唐璞山, 李英梦
        1992(5): 1-8.
        摘要：本文提出了一种基于混合图的总体布线调整方法。混合图是对表示布局的有向图进行一系列精确的顶点分解而产生的。用得到的图模型来表示总体布线信息,从而可以在总体布局优化的同时估计布线对芯片面积的影响,并对总体布线进行调整。由于总体布线是自动更新的,所以布局同时随着布线的调整和模块的移动而改进。本文还提出了多种瓶颈的概念和瓶颈间走线随模块旋转而变化的规律。最后给出的实验结果表明,这种算法在减小芯片面积上获得比较好的结果。  
        关键词：自动布图;混合图;总体布线;专用集成电路   
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        更新时间：2025-12-08

      • 混沌吸引子的重构和检验

        裴留庆, 徐志忠
        1992(5): 9-17.
        摘要：从一个二阶强制电子学系统中提取了一个混沌时间序列,用2维时延技术重构了一个混沌吸引子。以广义维数Dq（或奇异性标度谱）,Lyapunov指数和测度熵为检验重构吸引子质量的动力学判据,对恢复轨线进行了估算。结果表明,重构吸引子与原系统的数值模拟轨线之间在定性和定量二方面都有良好的一致。  
        关键词：混沌吸引子;重构吸引子;广义维数;Lyapunov指数;测度熵   
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        更新时间：2025-12-08
      • 曾军, 李肇基, 陈星弼
        1992(5): 18-24.
        摘要：本文提出了在模拟有浮空场限环（FFLR’s）和横向变掺杂（VLD）结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点（LFP）边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二极管的反向击穿特性进行二维数值模拟;同时,为进一步克服由于高反偏压导致的低求算效率,本文引入一套与外加偏压相关的归一化参数对Poisson方程进行归一化,并给出归一化参数随外加偏压变化的经验公式。利用上述技术,分别对平面结二极管以及具有双FFLR’s的结构和由五段Gauss掺杂分布形成的VLD的结构的平面结二极管的表面电场进行二维数值分析,得到了满意的结果。  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • DPC结露传感器通过技术鉴定

        杨大本
        1992(5): 24.
        摘要：<正> 湿敏传感器技术的一个新型领域——非线性湿敏传感器“DPC结露传感器”,于1991年12月5日在电子科技大学通过技术鉴定。 DPC结露传感器系电子聚合物复合膜电阻式非线性沮敏湿度检测元件。具有全湿度范围,高温与水份开关及结露检测正特性:非线性响应好,响应时间短,湿滞回差小,精度高、工作温度范围宽;耐污染、长期稳定与可靠性;体积小,无需加  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 多陷阱相干效应对氧化层电流弛豫谱的影响

        许铭真, 谭长华, 刘晓卫, 王阳元
        1992(5): 25-32.
        摘要：本文用单陷阱产生一俘获模型和一级电场因子近似弛豫函数研究了“多陷阱相干效应”对簿栅氧化层电流弛豫谱（OCRS）的影响。给出了高场下、多陷阱共存时,各陷阱OCRS峰并存的条件和峰位、峰值的修正公式。  
        关键词：薄SiO2;陷阱;相干效应;氧化层电流弛豫谱   
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        更新时间：2025-12-08
      • 傅兴华, 陈军宁
        1992(5): 33-38.
        摘要：根据CV数据用数值模拟反求杂质浓度时,遇到了不确定性问题。本文认为这实际上是用CV数据反求杂质浓度时的非单值性问题。针对数值方法的非单值性问题,本文提出了逐点反求多次循环的算法。本算法已成功地应用于分布陡峻的高斯离子注入分布及矩形阶跃分布,反求的杂质浓度分布与理论杂质浓度分布符合得很好。  
        关键词：cv特性;杂质浓度;阶跃分布;唯一性;逐点反求多次循环算法   
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        更新时间：2025-12-08

      • 一种位级流水线乘法器的设计

        陈弘毅, 岳震五, 顾群
        1992(5): 39-46.
        摘要：本文提出一种位级流水线乘法器的设计方法。在算法上考虑了无符号数与符号数各种组态的乘法运算;采用并行的半脉动阵列结构,节省了大量寄存器;使用带寄存的多米诺电路型式,减少了器件数、提高了速度并降低了功耗。按这种方法设计的8×8乘法器所需器件数少于3000个,采用2μmCMOS工艺可以达到100MHz以上的流水线工作频率。  
        关键词：乘法器;流水线;脉动阵列;多米诺电路   
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        更新时间：2025-12-08

      • α-SiC/α-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究

        徐重阳, 王长安, 周雪梅, 邹雪城, 赵伯芳
        1992(5): 47-52.
        摘要：本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-SiC窗口层和分离反应室的PECVD工艺,使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显改善。  
        关键词：非晶硅;异质结;最佳化设计;色敏元件   
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        更新时间：2025-12-08

      • 分布式系统中的动态测试调度

        向东, 魏道政
        1992(5): 53-58.
        摘要：本文提出了一种在分布式环境下电路的并行测试调度算法。文中采用了动态调度的策略,最大限度地提高了测试的并行度。这种动态测试调度不同于静态调度在测试以前对各处理机分配任务,而是在测试过程中逐步形成测试方案,充分利用了处理机的空闲时间。  
        关键词：测试调度;分布式调度;并行测试;动态测试调度   
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        更新时间：2025-12-08

      • 行半不定与互补网络统一的研究

        王慧云, 苏文钧
        1992(5): 59-66.
        摘要：本文研究了半不定网络和有源互补性网络的几个重要性质。在此基础上证明了行半不定网络与互补性网络实际上是同一种网络,从而使得对这类网络的分析和应用得到了统一。  
        关键词：行半不定;列半不定;互补网络;端子封禁   
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        更新时间：2025-12-08

      • 大规模集成电路中的互连问题和微波技术

        李征帆
        1992(5): 67-73.
        摘要：本文叙述了大规模和超大规模集成电路中当电路规模和工作速度增加时的互连问题,此时互连系统中出现的波效应将十分明显,并将影响集成电路的电性能。为对这种效应进行估算并和集成电路的整体设计相配合,必须与微波理论和方法相结合,本文对这一领域的研究工作进行了概括性的评述。  
        关键词：互连;多芯;时域响应;互耦   
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        更新时间：2025-12-08

      • 驱动视频TFT-LCD的CMOS集成电路

        关旭东, 韩汝琦, 刘晓彦, 翟霞云
        1992(5): 74-84.
        摘要：<正> 北京大学微电子所于1991年4月在国内首次研制成功了用于驱动薄膜晶体管（TFT）有源矩阵液晶电视显示屏的专用GMOS集成电路。它包括栅驱动器——扫描电极总线驱动电路BDD1001和漏驱动器——信号电极总线驱动电路BDD2001两块IC。适合于驱动200线左右的TFT有源矩阵液晶电视显示屏。 用于TFT有源矩阵液晶电视显示屏的专用IC的具体结构参数、性能要求是由矩阵驱动方式、扫描方法、液晶材料的性质及电光特性、TFT的性  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展

        王阳元, 陈南翔, 王忠烈
        1992(5): 75-80.
        摘要：SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。  
        关键词：硅-绝缘体技术;氧注入隔离;离子注入;退火;金属-氧化物-半导体   
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        更新时间：2025-12-08

      • 高频有源滤波器的稳定性问题

        易明銧
        1992(5): 81-84.
        摘要：本文基于稳定性考虑,分析了若干典型的二阶有源带通滤波器电路,导出了滤波器临界稳定条件下运放带宽与极点频率和极点Q之间的简单关系。进行了计算机电路模拟,模拟结果与理论分析一致。  
        关键词：有源滤波器;稳定性   
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        更新时间：2025-12-08

      • 开关电容Q倍增带通结构

        杨志民
        1992(5): 85-87.
        摘要：高Q值的开关电容带通双二次节需要很高的电容比和较大的芯片面积。本文从理论和设计两方面说明采用Q倍增结构可以使这个问题得到较好的解决。  
        关键词：滤波器;开关电容;高Q;带通   
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        更新时间：2025-12-08

      • P/C柔性复合压电薄膜通过技术鉴定

        杨大本
        1992(5): 87.
        摘要：<正> 现代电子功能材料与器件学科的一个新型领域——柔性复合压电功能薄膜,于1991年12月29日在电子科技大学通过技术成果鉴定。 P/C柔性复合压电薄膜系PVDF基压电聚合物与铁电陶瓷PZT等3—0型柔性复合压电PVDF/PZT薄膜系列,具有兼顾优异机械韧性与高度综合压电特性,柔韧性（C33<9N/m2柔韧强度）,耐震抗冲击、紧触检测灵敏性,可塑加工性(大面积成膜、  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 容错轮询系统分析模型

        李福建, 陈廷槐, 康泰
        1992(5): 88-91.
        摘要：本文提出的多服务器轮询系统分析模型考虑了故障对系统性能的影响,特别适应于在任务级或传输子系统级评估分布式实时系统的响应特性,对容错分布式系统设计及系统重组策略的优化、选择具有指导意义。  
        关键词：性能评价;轮询系;排队模型;可靠性   
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        更新时间：2025-12-08

      • 双极模拟集成电路计算机辅助剖析和验证系统

        叶铭, 张明, 曹阳
        1992(5): 92-93.
        摘要：本文介绍双极模拟集成电路计算机辅助剖析和验证系统的功能、特点及主要编制原理。  
        关键词：集成电路;剖析;验证;识别;提取   
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        更新时间：2025-12-08

      • 具有HEMT和MMIC的Ku波段低噪声放大器

        戴永胜
        1992(5): 94-96.
        摘要：本文介绍了由HEMT和MMIC组成的一种新颖的Ku波段低噪声放大器,放大器第一级采用了HEMT和反馈技术以同时获得噪声和增益的最佳化,讨论了这种放大器的设计,MMIC采用了二次混合微波集成,放大嚣输入和输出端均为BJ-120波导。在11.7—12.2GHz频率下,放大器噪声系数小于1.9dB,增益大于27±0.25dB,输入和输出驻波比小于1.4。  
        关键词：Ku波段;高电子迁移率晶体管;单片微波集成电路;低噪声放大器   
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        更新时间：2025-12-08

      • 第一届全国智能信息技术讨论会在京召开

        1992(5): 97-96.
        摘要：<正> 由中国电子学会主办的第一届全国智能信息技术讨论会于1992年3月9日至12日在北京召开。来自全国各地的100余名科技工作者参加会议。会议经过三个阶段,1.大会综合报告,2.大会学术交流及录相交流,3.热点问题的即席讨论。大会主席、学部委员、自动化学会理事长杨嘉墀教授论述了国际智能和信息技术发展的概况。国家科委外国专家局局  
          
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        更新时间：2025-12-08
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