首页
关于期刊
电子学报
编委会
在线内容
在线期刊
在线文章
专栏
出版指南
投稿指南
客座编委指南
下载中心
个人中心
退出登录
浏览全部资源
扫码关注微信
首页
关于期刊
电子学报
期刊介绍
同行评议
出版伦理
联系我们
期刊订阅
编委会
现任编委会
在线内容
在线期刊
优先出版
当期目录
过刊浏览
在线文章
论文数据
引用排行
热门下载
专栏
出版专栏
虚拟专栏
专栏征稿
出版指南
投稿指南
准备稿件
审稿流程
出版过程
版权信息
争议处理
客座编委指南
专栏申请
专栏组织
下载中心
最新刊期
1993年第11期
本期电子书
封面故事
上一期
下一期
同伦BP网络理论与算法
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
焦李成, 保铮
1993(11): 1-6.
摘要:BP网络和算法是使用最广泛的神经网络模型之一,但由于它使用梯度算法,因而存在有固有的局域极小及收敛速度慢等问题。本文首先把一BP网络的优化问题变换为一非线性方程的求解,然后将同伦思想引入到神经网络学习训练之中,提出了相应的同伦BP网络理论与算法,它具有全局收敛的优点,同时具有比传统梯度法收敛速度快一个数量级以上和克服病态的能力,在BP梯度法不收敛时它也能给出正确解答。本文的理论证明和计算机仿真实验也表明了这些结论的正确性和有效性。
关键词:同伦;BP;神经网络
2
|
119
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263048 false
更新时间:2025-12-08
Transputer阵列上的并行抽象机PAM/TGR性能评价
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
田新民, 王鼎兴, 沈美明, 郑纬民
1993(11): 7-14.
摘要:并行系统的性能评价对于完善系统和提高系统性能具有重要作用。本文首先扼要地讨论并行系统中影响程序并行加速效果的因素,然后提出平均并行度μ
ave
的分析方法,从理论上分析并行抽象机PAM/TGR所能开发的平均并行度,并与实测结果进行比较。其次讨论超越加速和病态加速两种在并行多机系统中可能出现的加速现象。在此基础之上,基于典型的Benchmark测试和评价并行图重写抽象机PAM/TGR的性能,最后给出一些基准程序在PAM/TGR上的运行性能与国外同类系统性能的比较。
关键词:并行图重写抽象机;性能评价;平均并行度
2
|
12
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263134 false
更新时间:2025-12-08
广义AND/OR图的自底向上的启发式搜索算法BFA0
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
王士同
1993(11): 15-23.
摘要:本文首先根据三角模及其扩张运算概念,定义了一类新的更具普遍意义的模糊广义AND/OR图。根据新定义的启发式函数h(n,x)以及模糊广义AND/OR图的最佳解树之所有子树亦是最佳子解树的原理,提出了自底向上的启发式搜索算法BFAO·。文中证明了算法BFAO·的可采纳性。本文还提出了两类新的启发式函数的单调限制概念,并据此研究了算法BFAO·的单调限制性质,研究了两个BFAO·算法间的比较性质。
关键词:模糊广义AND/OR图;启发式搜索;启发式函数;单调限制;算法
2
|
40
|
1
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264411 false
更新时间:2025-12-08
薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
程玉华, 王阳元
1993(11): 24-30.
摘要:本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。
关键词:SOI技术;薄膜SOI器件;短沟道器件模型;VLSI电路CAD
2
|
60
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263003 false
更新时间:2025-12-08
CMOS数字集成电路的高温电学性能分析
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
柯导明, 童勤义, 冯耀兰
1993(11): 31-38.
摘要:本文给出了CMOS倒相器的高温等效电路,分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性。文章还讨论了CMOS静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出的CMOS数字集成电路的高温电学特性模型和实验结果相接近。
关键词:高温;CMOS倒相器;CMOS数字集成电路;直流传输特性;瞬态特性
2
|
77
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264068 false
更新时间:2025-12-08
1300V、1600V高压IGBT的实现
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
杨谟华
1993(11): 39-43.
摘要:本文基于理论分析和实验研究,分别在n
-
/n
+
/p
+
外延和硅单晶基片上实现了1300V及1600V高压IGBT;并进而证实了获得高压IGBT相互关联的关键技术——器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化,低缺陷密度高性能厚层硅材料的工艺生长技术,和复合高压终端结构的叠加组合形成。
关键词:高压;绝缘栅双极晶体管(IGBt);关键技术
3
|
119
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263670 false
更新时间:2025-12-08
并行测试的测试调度及其控制
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
向东, 魏道政
1993(11): 44-50.
摘要:本文首先从理论上比较严格的证明了测试调度问题是多项式可解的。提出了一种O(n
2
)的最优测试调度策略。最后,阐述了一种测试调度的控制策略,使得多路转换器控制输入最少。
关键词:测试生成的并行处理;测试调度;最优算法;多项式可解;多路转换器
3
|
61
|
1
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264636 false
更新时间:2025-12-08
高压MZ-JTE终端边界元数值模拟
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
梁苏军, 罗晋生
1993(11): 51-56.
摘要:本文采用边界元数值方法,编制了统一的多区结终端扩展(Multiple-Zone Junction Termination Extension, MZ-JTE)边界元程序,模拟高压MZ-JTE终端电场、电位分布,以平面结算例验证了边界元数值解精度及可靠性,定量模拟了界面态影响,取得了与国外用差分或有限元得到的结论相一致的结果。边界元方法的提出与算法、程序的成功开发,为MZ-JTE结构及其它终端结构的深入研究与分析,为最终解决复杂(合)终端结构的最佳设计开辟了一条新路。
关键词:雪崩击穿;边界元;数值模拟
2
|
41
|
4
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263389 false
更新时间:2025-12-08
计算机辅助测试(CAT)工作站的实现
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
陈光(礻禹), 李为民, 顾亚平, 匡实, 王厚军, 杨鸿谟, 谭钧, 田书林, 徐建南
1993(11): 57-60.
摘要:计算机辅助测试(CAT)工作站是一个集各种电参数的测试、仪器系统的硬件软件开发、仿真和调试、系统的状态显示和故障诊断以及文本编辑于一体的一个集成测试环境。本文介绍了我们课题组研制开发CAT工作站取得的一些重要进展,并论述了CAT工作站的组建方式、工作模式和发展情况。该课题已通过技术鉴定,并已经取得了良好的经济效益和社会效益。
关键词:工作站;主控计算机;GPIB/VXI;计算机辅助测试
2
|
39
|
7
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264193 false
更新时间:2025-12-08
一种管理磁盘存储空间的新方法
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
方粮, 陈福接
1993(11): 61-65.
摘要:本文提出并探讨了一种管理磁盘存储空间的新方法——区间管理法(IMM)。这种方法把磁盘存储空间视为若干连续块区间的集合,将物理上连续的盘空间分配给每个写请求,这为高速存取提供了支持。文中给出了IMM的分配和回收算法流程,并作了可行性模拟。模拟结果表明,IMM是一种有效的盘空间管理方法。
关键词:磁盘存储空间;操作系统;文件系统;I/O瓶颈
2
|
46
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264999 false
更新时间:2025-12-08
(p+q)端口回转器及其群特性
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
熊元新
1993(11): 66-71.
摘要:本文提出了一类多端口电阻元件——(p+q)端口回转器,用群论的方法研究了所有(p+q)端口回转器与变压器构成的集合GIT(p+q)。结果表明,当p=q=n时,CIT(2n)构成群,同时还讨论了(p+q)端口回转器的分解、电路实现方法和应用。
关键词:(p+q)端口;回转器;变压器;分解;电路实现方法
2
|
44
|
4
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264376 false
更新时间:2025-12-08
P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
卢励吾, 周洁, 瞿伟, 张盛廉
1993(11): 72-75.
摘要:对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。
关键词:MIS结构;界面陷阱;深能级
4
|
32
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263610 false
更新时间:2025-12-08
Mach-Zehnder干涉条纹的辨向检测及信号处理
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
叶玉堂, 彭远旺, 雷肇棣, 陈梅
1993(11): 76-79.
摘要:本文报道了Mach-zenhder干涉条纹的辨向检测及信号的计算机处理。
关键词:辨向检测;信号处理;光纤传感器
2
|
79
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263757 false
更新时间:2025-12-08
激光扫描声学显微镜谐波技术的研究
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
王亚非, 袁敬闳, 陈瑞征, 莫怀德
1993(11): 80-82.
摘要:本文将谐波技术应用于激光扫描声学显微镜(SLAM)换能器,提出了提高其工作频率的方法。实验实现了SLAM从100MHz提高到300MHz。并就一些样品进行了测试,得到了较满意的声象。
关键词:激光扫描声学显微镜;换能器;基波;三次谐波
2
|
36
|
3
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264006 false
更新时间:2025-12-08
指导nM0S数字电路元件级设计的开关信号理论
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
吴训威
1993(11): 83-86.
摘要:本文指出了布尔代数在指导数字电路设计中的不足,并在区分描写开关状态与信号的二类变量的基础上建立了能反映数字电路内开关元件与信号相互作用过程的开关信号理论。本文把该理论具体用于对nMOs数字电路的研究,结果表明该理论可很好地指导nMOS数字电路在元件级的逻辑设计。
关键词:数字电路;nMOS;开关理论
4
|
53
|
8
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34265147 false
更新时间:2025-12-08
双极晶体管1/f噪声参数f
L
和γ的测量提取
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
罗涛, 戴逸松
1993(11): 87-90.
摘要:双极晶体管在低频段的噪声主要成分是1/f噪声,其参数f
L
和γ的获取目前尚很困难。本文给出了这两个参数的测量提取方法,其基本思想是基于噪声电压谱测量和最小二乘曲线拟合获得。最后给出了测量提取的实例与结果。
关键词:1/f噪声;fL;γ参数;噪声测量
2
|
95
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264531 false
更新时间:2025-12-08
金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
杨炳良, 王曦, 郑耀宗
1993(11): 91-94.
摘要:本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方法生长的氧化硅的不同。氮氧化硅膜漏电机理可分为三种。当电场小于8MV/cm时,漏电是由于注入电子的直接隧穿填充绝缘体中的浅陷阱而引起的。在高场范围(>10MV/cm)Fowler-Nordheim(FN)效应占支配地位。这些机理与介质膜的制备条件有关。在中等电场区域,注入电子能通过FN电流和直接隧穿到达能被填充的陷阱,从而使漏电流产生准态饱和。另一方面,随着氮化的继续,可观察到在漏电流一电压特性中的台阶和在电流的电场依赖性的逆转行为。
关键词:漏电流;氮氧化硅;浅陷阱
2
|
96
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264909 false
更新时间:2025-12-08
中国电子学会第六届雷达学术年会在北京召开
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
1993(11): 94.
摘要:<正> 由中国电子学会雷达分会主办的第六届雷达年会于1993年10月9日—12日在北京召开。出席会议代表120余人。孙俊人理事长等领导同志出席了大会并做了指导性发言。 雷达学会主任委员张锡熊教授以“雷达的未来”为题分析了目前雷达的研究方向、雷达技术的发展前景以及21世纪初新一代雷达的构成、雷达技术的跃变点等问题。航天公司23所的陆林根教授就“制导雷达发展的
2
|
9
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264581 false
更新时间:2025-12-08
三值触发器设计及其变换
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
方振贤
1993(11): 95-98.
摘要:本文研究基于状态图设计三值触发器的通用方法,对称和非对称三值逻辑均适用,用一个状态图统一地导出主从结构和维持阻塞结构触发器,以及其它等效触发器。本文设计出双极性cp触发器,改进了mR和JK触发器。
关键词:三值逻辑;状态图;触发器
2
|
57
|
4
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264967 false
更新时间:2025-12-08
改进型多星LAN
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
逯昭义, 斉藤忠夫
1993(11): 99-103.
摘要:本文介绍了“改进型多星LAN”的性能。
关键词:多星LAN;分流控制
2
|
19
|
2
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34263893 false
更新时间:2025-12-08
全国第七届ICCAD学术年会在西安召开
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
1993(11): 103.
摘要:<正> 全国第七届ICCAD学术年会于1993年9月21日至9月25日在西安召开。来自全国各地的38个单位近100名代表参加了年会。学部委员王守武先生任大会主席,并在会上作了报告。ICCAD学组专业委员会主任委员夏武颖研究员主持了学术会议。西安电子科技大学为此次年会的筹办单位。 本次学术年会共发表学术论文101篇,属历次ICCAD学术年会中较多的一次。其中综合技术有10篇,工艺和器件的模型和模拟18篇,电路模拟、可制造性分析和优化18篇,布局和布线11篇,版图编辑和版图验证
2
|
12
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264677 false
更新时间:2025-12-08
亚微米电子束曝光机数控电流源系统
封面论文
封底论文
增强出版
AI导读
徐群, 张玉林, 裘培勇
1993(11): 104.
摘要:<正> 对于亚微米级的电子束曝光机而言,电子光柱体电流源系统的自动化程度及各路电流源尤其是物镜电源的稳定度,对束斑的影响极大。为突破0.1μm的束斑,特研制了一种电流源系统,集高稳定度、高精度、高抗干扰性、大电流、低噪声、多路输出、计算机控制于一体,它的研制成功为亚微米电子束曝光机的自动化调机奠定了基础,并可推广用于其它需要高稳定度数控电源的领域。 系统构成 该系统在结构上抛弃了传统的开环控制方式,首次将电压/频率转换器(VFC)用于连续可调的电源。整个电流源系统由23个模块组成,其中20块电源板输出20路独立的电流;一块8255板作为IBM主机
2
|
29
|
0
<HTML>
<Meta-XML>
<引用本文>
<批量引用>
34264855 false
更新时间:2025-12-08
共 0 条
1
前往:
页
跳转
上一期
下一期
0
批量引用
回到顶部