最新刊期

    1993年第2期
    • 研究双稳半导体激光器的新方法——逐点跟踪法

      陈建国
      1993(2): 1-5.
      摘要:逐点计算非均匀泵浦半导体激光器输出双稳环上四个关键点处的运行参量,对吸收型双稳半导体激光器进行了研究。该法不但可以给出双稳激光器“启动”和“下跳“点的阈值电流和相应的输出功率,而且还可以给出用这些值来表示的增益截面的解析表达式,这将使得实验上可以简单地由测量到的双稳环的宽度和高度来确定难于测定的增益截面。  
      关键词:逐点跟踪法;吸收型光学双稳态;非均匀泵浦半导体激光器   
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      更新时间:2025-12-08
    • 宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

      柯导明, 童勤义
      1993(2): 6-13.
      摘要:本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃~300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在饱和区误差从29%以上,减小到8%以下。理论分析和实验结果都说明了本文的结论是正确的。  
      关键词:耐高温;MOSFET;硅集成电路   
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      更新时间:2025-12-08
    • 多晶硅发射极晶体管hFE、Ge、和K的普遍表达式及其分类

      蒋翔六, 郭维廉, 张咏梅
      1993(2): 14-21.
      摘要:本文综合考虑了影响多晶硅发射极晶体管(PET)电流增益的多种因素,针对最全面的器件结构推导出PET的共发射极直流电流增益hFE发射极Gummel数Ge,和电流增益的增强因子k解析形式的普遍表达式,覆盖了PET的多种结构。并以此对PET从器件结构上进行了科学地分类。此普遍表达式也包含了Ning和Graaff的理论结果。  
      关键词:多晶硅发射极晶体管;双极晶体管;器件物理模型   
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      更新时间:2025-12-08
    • 差值取样数对氧化层电流弛豫谱分辨率与灵敏度的影响

      许铭真, 谭长华, 刘晓卫, 何燕冬, 段小蓉, 王阳元
      1993(2): 22-27.
      摘要:本文讨论了差值取样数对氧化层电流弛豫谱(OCRS)分辨率与灵敏度的影响,给出了差值取样数七在实际分析过程中的最佳选择原则,研究了用计算机技术改善氧化层电流弛豫谱的灵敏度问题。  
      关键词:差值取样数;氧化层电流弛豫谱;分辨率;灵敏度   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种时延驱动的VLSI布局方法

      严晓浪, 戚肖宁, 金玲
      1993(2): 28-33.
      摘要:时廷特性对于高性能的超大规模集成电路(VLSI)来讲是十分重要的。本文提出了一个新的时延驱动的布局方法。在初始布局中,我们提出了给线网加权的新方法,在迭代改善布局中提出了等位场的概念。实验结果表明:这是一种有效的时延驱动布局方法。  
      关键词:超大规模集成电路;布图;时廷驱动布局   
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      更新时间:2025-12-08
    • 自寻优模糊集的模糊控制器算法

      冯宏娟, 王守觉
      1993(2): 34-39.
      摘要:文献讨论了简单模糊控制器的基本原理和实现方法.文献考虑了简单模糊控制器的动态性能与稳态精度之间的矛盾,但是他是采取用线性切换的办法,没有充分发挥模糊控制器的功能。本文讨论了简单模糊控制器中模糊集的改变对系统性能的影响,为了解决简单模糊控制器的动态性能与稳态精度之间的矛盾,提出了可变模糊集的模糊控制器,仿真试验的结果表明,可变模糊集的模糊控制系统可以大大改善系统的响应性能。在可变模糊集的模糊控制器的基础上,进一步讨论了模糊集自寻优问题,提出模糊集自寻优算法。仿真结果表明,寻优后的模糊集模糊控制系统效果非常好,表明算法是行之有效的。  
      关键词:模糊控制;模糊集;自寻优;算法;仿真   
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      更新时间:2025-12-08
    • DCTT统计最优化的进一步策略和方法

      郝跃
      1993(2): 40-47.
      摘要:本文基于半无穷不可微最优化方法的框架和模型,提出了求解电路成品率极大的中心值设计,容差设计,调整设计及电路制造费用极小化为一体的统计最优化(DCTT)的求解方法及其策略。该方法不需要电路函数的凸性要求和构成可按受域的电路性能函数的半光滑假设。在引入抑制约束膨胀的策略后,该方法在确定性优化框架下可解决较大规模的统计最优化问题。为统计最优化的进一步发展开辟了一条新径。  
      关键词:电路优化设计;统计最优化;成品率极大化   
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      更新时间:2025-12-08
    • CMOS电路的最大动态功耗计算和测试生成

      金树泽, 树下行三
      1993(2): 48-54.
      摘要:本文首先提出,CMOS电路的最大动态功耗计算,可以通过计算在特定输入序列作用下电路中的不变门数的最小值来实现。本文提出的极性推导、赋值法可以快速求解不变门数的最小值,并生成相应的输入序列。该算法与电路的输入变量数无关。  
      关键词:CMOS电路;动耗计算;测试生成算法;组合电路   
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      更新时间:2025-12-08
    • 改进KNOB法实用化开关电容滤波器设计程序

      李松银, 郑君里, 李梅
      1993(2): 55-63.
      摘要:本文给出一个开关电容滤波器(SCF)设计程序。利用作者提出的改进KNOB法自动生成等效电路,借助通用电路模拟程序SPICE计算SCF频响特性。同时考虑了运放的有限增益带宽等非理想因素的影响,方法简便易行,几种实例硬件测试与计算机模拟结果一致。  
      关键词:开关电容滤波器;KNOB法;自动生成等效电路   
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      更新时间:2025-12-08
    • 2-3混值电路中的3B-2T编码技术

      赵小杰, 吴训威
      1993(2): 64-69.
      摘要:本文通过对2-3混值电路中信号编码效率与冗余度的讨论,分析了传统的1T-2B编码的缺点,提出了3B-2T编码方案,设计了用于3B-2T编码的CMOS接口电路。讨论表明,利用该编码的电路具有效率高,设计容易,并能在不增加电路内部连线的前提下减少三分之一的外部信号线等优点。  
      关键词:多值逻辑;接口电路;编码技术   
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      更新时间:2025-12-08
    • 铜丝球焊中形球过程的数值模拟

      方鸿渊, 钱乙余, 姜以宏
      1993(2): 70-76.
      摘要:本文采用数值模拟的方法研究了铜丝球键合技术中的形球过程。通过对超细铜丝在微电弧作用下形球过程中的温度场、速度场和位移场的计算,阐明了铜丝球形成的规律.文中对位移场的计算结果进行了实验验证。  
      关键词:铜丝球形成过程;温度场;速度场;位移场   
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      更新时间:2025-12-08
    • ULSI相移光刻技术

      王阳元, 徐立, 武国英, 俞忠钰
      1993(2): 77-83.
      摘要:相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。  
      关键词:光学光刻;相移;相移掩模   
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      更新时间:2025-12-08
    • 国际联合神经网络学术大会在京召开

      1993(2): 83.
      摘要:<正> 由国际神经网络学会、跨国电气电子工程师学会神经网络联合会、中国神经网络联合会共同组织的1992年北京国际联合神经网络学术大会(IJCNN′92—Beijing)于1992年11月1—5日在北京国际会议中心举行并获得成功。出席会议的400名代表来自21个国家和地区,其中海外代表154人,日本代表达59人,代表中30岁左右的青年人占一半以上,反映青年人在新兴学科中正在起着生力军的作用。  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种汉字楷书特征提取方法

      周昌乐, 马希文
      1993(2): 84-85.
      摘要:本文针对汉字楷体手书识别问题,从整体计算的角度,提出了一种汉字形体特征提取的解决方法并付诸于具体系统的实现。由于强调了汉字整体信息和相对关系的结构特征,比较成功地把握了区分手书汉字的关键因素,汉字识别率达80%以上,效果比较理想。  
      关键词:楷书识别;特征提取;整体计算   
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      更新时间:2025-12-08
    • 激光超声测厚系统的实验研究

      叶培德, 史珺, 陈桂林
      1993(2): 86-88.
      摘要:本文介绍了作者研制的激光超声测厚系统的基本原理和部分实验结果,讨论了该系统用于无损测厚的几个问题。  
      关键词:激光超声;Fabfy-Pelot干涉仪;无损检测   
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      更新时间:2025-12-08
    • 高灵敏的酞菁铜薄膜NO2气体传感器

      傅敏恭, 龙定华, 游幼, 赵湛, 邹子亚, 杨连贵
      1993(2): 89-92.
      摘要:本文采用真空气相物理沉积技术,在平面叉指电极上沉积酞菁铜薄膜制成的气体传感器。该传感器对NO2有很高的灵敏度和良好的选择性,能检测出空气中1ppm浓度的NO2,响应时间几十秒、恢复时间几分钟。在320℃下进行退火处理,传感器的稳定性和重复性有明显的改善。  
      关键词:传感器;酞菁铜;NO2响应   
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      更新时间:2025-12-08
    • 瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累

      阎宝杰, 石立峰, 耿新华, 孙仲林, 徐温元
      1993(2): 93-96.
      摘要:本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×1011/cm2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。  
      关键词:a-Si:H/a-SiN:H;界面层;电子积累   
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      更新时间:2025-12-08
    • 双极型IC核辐射下的瞬时损坏

      夏培邦
      1993(2): 97-100.
      摘要:本文从连续性方程和粒子通量方程出发,导出了矩形y辐射脉冲作用下双极器件中光电流的数学模型;论述了扩散电阻的光电流效应和电导调制效应,以及扩散电阻随γ剂量率变化的模型。最后给出了集成稳压电源的模拟数值与现场辐射结果的比较,并据此提出了双极型IC抗γ辐射的加固建议。  
      关键词:计算机模拟.核辐射;电导调制效应;光电流效应   
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      更新时间:2025-12-08
    • LPE-GaAs掺Er的研究

      施益和, 李韻仪, 李双喜, 丁墨元, 周济, 袁佑荣
      1993(2): 101-102.
      摘要:本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。  
      关键词:液相外延;稀土掺杂;光萤光   
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      更新时间:2025-12-08
    • 深入·全面·易读——评《数字通信》

      陈常嘉, 约翰G普罗斯基, 齐怀亮
      1993(2): 103-104.
      摘要:<正> 电子工业出版社出版的《数字通信》是一本非常有价值的书。它系统地阐述了数字通信的基本理论,涉及信源编码、数字调制与解调、编码与译码等基本理论和数字处理方法。还以较大篇幅阐述了近年来数字通信技术发展的新成果,特别是在均衡技术和多径衰落信道传输方面进行了深入的分析。 自从四十四年前仙农关于信息论的工作发表以来,随着微电子技术的迅速发展,数字通信领域有了惊人的进展。数字化已成为全球通信不可阻挡的历史潮流。无论是在干线通信或区域通信,无论是有线通信、微  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 第三届国际固态技术和集成电路技术会议简况

      1993(2): 104.
      摘要:<正> 中国电子学会发起并主办的国际固态技术和集成电路技术会议于1992年10月19—22日在北京举行. 这是继1986年、1989年在北京举行的第一届,第二届之后的第三届会议。参加本届会议的代表共有210余人,其中来自奥地利、比利时、英国、香港、德国、匈牙利、印度、日本、韩国、荷兰、瑞典、美国、台湾等13个国家和地区海外代表约90人,国内代表120余人。  
        
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