最新刊期
      1994年第2期

      • Si亚微米MESFET的Monte　Carlo法模拟

        赵鸿麟, 战长青, 潘姬
        1994(2)
        摘要：本文是继用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ（ＦａｓｔＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）代替迭代法，加速解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程过程；用快速自散射代替常规自散射，压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果，给出亚微米栅长时ＳｉＭＥＳＦＥＴ的性能。  
        关键词：半导体器件模拟;MonteCarlo法;Si亚微米器件   
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        更新时间：2025-12-08

      • 序列二次逼近下的集成电路统计最优化方法

        郝跃
        1994(2)
        摘要：基于对电路特性函数的序列正交二次逼近，本文给出了考虑工艺参数随机起伏引起电路特性随机变化的统计最优化方法。该方法是根据集成电路设计和制造的特殊性提出的，它与传统的统计最优化模型和方法有显著区别，适合于电路设计参数和工艺扰动参数不在同一空间的最优化问题。本文给出了这一模型的理论框架及其证明，并结合ＣＭＯＳ电路的最优设计证明了该方法的可行性和实用性，得到了满意的结果。  
        关键词：集成电路;统计最优化;参数设计   
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        更新时间：2025-12-08

      • 一种新型结构的a－SiN∶H／a－Si∶H多层雪崩光电二极管

        焦丽虹, 孟志国, 孙钟林
        1994(2)
        摘要：本文提出一种新结构的多层膜异质结雪崩光电二极管（ＡＰＤ）──穿通沟道型（ＲｅａｃｈＴｈｒｏｕｇｈＶａｌｌｅｙ），对标志其性能的两个重要参数──倍增因子Ｍ和额外噪声因子Ｆｅ做了定性分析，从理论上推导出Ｍ和Ｆｅ的定量表达式，并详细讨论了此种结构中载流子输运的微观机制。通过对实验室制备的穿通沟道型ＡＰＤ的测试及对测试结果的分析，提出一种新模型──隧穿模型，由实验曲线计算Ｍ，当ＶＲ＝－１３Ｖ时，Ｍｅ＝５．８，额外噪声因子Ｆｅ＝１．４８。  
        关键词：穿通沟道型;雪崩光电二极管;倍增因子;额外噪声因子   
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        更新时间：2025-12-08

      • PVC敏感膜组分比对K＋─ISFET响应特性的影响

        牛文成
        1994(2)
        摘要：本文研究了以二苯并—３０—冠—１０作为敏感物质的ＰＶＣ膜Ｋ＋—ＩＳＦＥＴ传感器，以及改变膜中的敏感物质和增塑剂的组分比对Ｋ＋—ＩＳＦＥＴ响应特性的影响．同时，对Ｋ＋敏感膜的响应机理进行了讨论。实验结果与理论分析相符。  
        关键词：敏感物质;增塑剂;组分比;K＋－ISFET   
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        更新时间：2025-12-08

      • 半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取

        任新根, 徐国萍, 董天临
        1994(2)
        摘要：本文提出了一种由半导体激光器（ＬＤ）的外特性，如端口电特性和小信号频率响应，确定其大信号等效电路模型参数的新方法。并对一个ＩｎＧａＡｓＰ脊形波导ＬＤ和一个隐埋异质结ＬＤ进行了参数提取。这种方法，不需要了解ＬＤ的内部特性，分析的结果与已报道的理论、实验值一致。  
        关键词：大信号电路模型;小信号电路模型;半导体激光器;参数提取   
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        更新时间：2025-12-08

      • 电子工业部第13研究所70项科研成果通过鉴定

        1994(2)
        摘要：电子工业部第１３研究所７０项科研成果通过鉴定电子工业部第１３研究所第２９次科研成果鉴定会于１９９３年１２月２３—２５日在石家在１３所召开。本次会议鉴定项目为历年来最多的一次，提交专家评议的鉴定项目共计７０项，这次科研成果鉴定会在技术上有以下特点：１．...  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 原材料物理化学特性对多孔性PTC陶瓷结构与性能的影响

        梁瑞林
        1994(2)
        摘要：本文研究了以不同物理化学形态的含结晶水有机酸盐草酸氧钛钡为原料时，对多孔性ＰＴＣ陶瓷的结构与性能的影响；以及同时以不同结晶水含量的草酸氧钛钡为主原料时，二者分别对同一块多孔性ＰＴＣ陶瓷的不同结构特征、不同性能特征做出的不同贡献。  
        关键词：有机酸盐;物理化学特性;结晶水;多孔性陶瓷   
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        更新时间：2025-12-08

      • 用多项式变换及W变换计算二维卷积

        周六丁
        1994(2)
        摘要：本文先给出了一种用Ｗ变换计算模（ＺＮ＋１）多项式积的新算法。然后将它与多项式变换结合用于计算Ｎ×Ｎ（Ｎ＝２ｔ）二维复值圆卷积。这种结合法完成上述卷积仅需２Ｎ２·（ｌｏｇ＿２Ｎ＋３／２）次实乘及１０·Ｎ２·ｌｏｇ＿２Ｎ＋Ｎ２次实加．该乘法量仅为常规多项式变换法的一半。  
        关键词：卷积;多项式变换;W变换;算法   
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        更新时间：2025-12-08

      • 全国第五届CAD／CAM学术会议召开

        程景云
        1994(2)
        摘要：全国第五届ＣＡＤ／ＣＡＭ学术会议召开中国电子学会全国第五届ＣＡＤ／ＣＡＭ学术会议于１９９３年１２月７日至１１日在“重钢天山”号轮船上举行。会议由上海海运学院主办，交通部公路科学研究所、浙江大学ＣＡＤ＆ＣＧ国家重点实验室、华东计算技术研究所、《计算机辅...  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 基于子空间迭代的快速高分辨技术

        李有明, 保铮
        1994(2)
        摘要：本文应用子空间迭代技术于多源定位问题中，可以快速得到信号或噪声子空间，而无需对原协方差矩阵做特征分解。理论分析与计算机模拟表明：该方法性能与Ｍｕｓｉｃ相近，然而计算量却大大减小。  
        关键词：阵列;谱估计;多源定位;矩阵方法   
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        更新时间：2025-12-08

      • 神经网络A／D转换器电路的两种改进方法

        樊社民, 邱关源
        1994(2)
        摘要：本文对Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络Ａ／Ｄ转换器电路进行了分析。对照转换条件及电路的稳态方程，讨论了输出状态与参考输入必须满足的条件。在此基础上提出了两种改进Ａ／Ｄ转换电路的途径：（１）对原电路选择适宜的参考输入；（２）根据Ｈｏｐｆｉｅｌｄ线性规划网络提出的一种新电路．文中还给出了ＰＳＰＩＣＥ模拟计算，所得结果与理论分析吻合。  
        关键词：Hopfield神经网络;线性规划网络;A／D转换   
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        更新时间：2025-12-08

      • 太阳电池测试中心站

        孔凡建, 于培诺
        1994(2)
        摘要：太阳电池测试中心站电子部天津第１８研究所的太阳电池测试中心站，是国家商检局认定的中国物理电源进出口产品认可实验室；是电子工业物理电源产品质量监督检测中心；国际标准化组织等全国性专业技术组织的挂靠单位。该中心站从七十年代初期开始研究并探索太阳电池的计量...  
          
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        更新时间：2025-12-08

      • 环路流水线数字系统的最大速率

        陈书明, 陈福接
        1994(2)
        摘要：如何计算流水线系统的最大速率，这是文献［１～３］的著名结论。本文在建立一般模型的基础上，分析说明了在环路流水线中由于相移关系要受到约束，速率上限事实上要比先前的结论悲观，本文就边沿触发器和门闩为站寄存器的不同情况，证明了环路流水时最小周期的确定，等价于对一线性规划问题的求解。通过运行程序ＰＩＰＥ—ＬＰ，本文给出了若干系统的求解。  
        关键词：环路流水线;时钟周期;行波;定时规则;设计优化   
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        更新时间：2025-12-08

      • 图象恢复和边缘提取的后验均值方法

        王勇, 吴立德
        1994(2)
        摘要：本文将０－１损失改为均方损失，使损失函数更为合理。给出了相应的图象恢复与边缘提取算法和该算法收敛速度的精确估计。由于算法避免了模拟退火，极大地提高了算法的收敛速度，实验结果还表明，在边缘的定位精度，特别是困难的边缘角点、边缘交叉点处的定位精度，较现有方法有明显的提高。  
        关键词：图象恢复;边缘提取;后验均值方法;Markov随机场;中心极限定理;均方损失   
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        更新时间：2025-12-08

      • 硅超高速双极技术的潜力与变革方向

        魏同立, 郑茳
        1994(2)
        摘要：本文评述了硅超高速双极技术的研究现状与极限，指出ＳｉＧｅ异质结构将显著提高现有纯Ｓｉ器件的电性能，并将成为发展下一代硅超高速双极器件和电路的技术途径。  
        关键词：硅;硅锗;双极晶体管;超高速   
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        更新时间：2025-12-08

      • CMOS连续时间电流型滤波电路的分析与模拟

        凌燮亭, 董国杰
        1994(2)
        摘要：本文对ＣＭＯＳ电流镜电路组成的电流积分器，二阶滤波电路和高阶滤波电路进行了分析和ＳＰＩＣＥ软件的模拟，结果表明利用常规的３μｍ工艺，电路可以工作到１０ＭＨｚ。  
        关键词：电流积分器;开关电流滤波器;电路模拟   
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        更新时间：2025-12-08

      • 半导体激光放大器中超短光脉冲放大过程的研究

        邱昆, 高以智
        1994(2)
        摘要：本文对超短光脉冲在半导体激光放大器内的放大过程进行理论和实验研究。首次推导出描述这一瞬态变化过程的一系列方程组，并利用方程组进行了数值模拟求解，最后给出与理论相一致的实验结果。  
        关键词：半导体激光放大器;超短光脉冲   
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        更新时间：2025-12-08

      • GaAs　MESFET的压力敏感特性

        孙金坛, 陈军宁
        1994(2)
        摘要：本文研究了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ对应力的敏感特性，分析了敏感原理。对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ用作力学量传感器的可能性进行了讨论。  
        关键词：GaAsMESFET;压力效应;传感器   
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        更新时间：2025-12-08

      • 指数型光波导的近似解析法

        石邦任, 刘骥
        1994(2)
        摘要：本文用一级微扰理论，对指数型折射率分布光波导，进行了波方程的解析求解，推得用Ａｉｒｙ函数表示的场解和色散方程。用一级近似计算了传播常数（β／ｋ）ｍ，与Ｃｏｎｗｅｌｌ的精确计算相比较，其结果也是好的。  
        关键词：光波导;传播常数;模场   
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        更新时间：2025-12-08

      • 0．50微米LDD　PMOS工艺研究

        余山, 章定康, 黄敞
        1994(2)
        摘要：为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。  
        关键词：热载流子效应;器件工艺   
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        更新时间：2025-12-08

      • 基于多值开关级代数的电容模型及其应用

        胡谋, 徐申生
        1994(2)
        摘要：本文应用多值开关级代数为ＭＯＳ电路中的电容建立模型，并提出了应用多值开关级代数分析ＭＯＳ动态电路、时延及电荷共享的方法。  
        关键词：多值逻辑;电容模型;MOS电路   
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        更新时间：2025-12-08

      • 全平衡式OTA－C连续时间滤波器性能研究

        王萍, 赵玉山
        1994(2)
        摘要：本文讨论全平衡式ＯＴＡ—Ｃ滤波器的性能特点，分析表明，这种滤波器的优点是提高电源抑制比，提高信噪比，克服非平衡结构的高频畸变等。ＳＰＩＣＥ程序模拟结果证实了理论分析的正确性。  
        关键词：运算跨导放大器;滤波器;全平衡式滤波器   
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        更新时间：2025-12-08

      • 可逆三值逻辑细胞阵列研究

        韩曙
        1994(2)
        摘要：本文提出一种新的三值平面逻辑细胞阵列，对这种阵列的性质进行了研究，这种阵列具有设计简单、可逆和易于推广等特点，不仅可用于逻辑函数的设计，还可实现具有较高安全性的数据加密与解密系统。  
        关键词：细胞阵列;三值逻辑;数据加密   
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        更新时间：2025-12-08

      • 准连续式电势函数分布的全搜索求解方法

        殷明玉, 张波, 段东元
        1994(2)
        摘要：本文给出一种准连续式电势函数分布的超定方程组在椭圆圆柱坐标系下的全搜索求解方法。为了提高计算精度，引入矩阵的尺度变换；为了减少对称正半定矩阵的病态与奇异性，引入二次插值搜索；为了防止驻点的存在，引入鞍点搜索，从而能够精确地获得电势与电场的准连续式分布函数。  
        关键词：数值解法;超定方程组;电势函数分布   
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        更新时间：2025-12-08

      • 北京大学微电子学研究所

        1994(2)
        摘要：北京大学微电子学研究所ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＰｅｋｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ￥／／北京大学微电子学研究所成立于１９８５年，其前身为北大物理系半导体物理专业（建立于１９５６年）和计算机系微电子学专业，它是国家集成电路应...  
          
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