最新刊期

    1994年第5期
    • 一种用于神经网络汉字识别系统的自组织聚类方法

      吴佑寿, 徐宁, 丁晓青
      1994(5)
      摘要:本文提出一种用于大类别模式识别系统的改进的自组织聚类方法.采用这种方法把3755种多体印刷汉字聚类为几千个子集.聚类正确率优于98%.  
      关键词:自组织聚类;神经网络;汉字识别   
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      更新时间:2025-12-08
    • 平面凸多边形斜支撑线求解的最佳算法

      鄢勇, 金灿明
      1994(5)
      摘要:平面凸多边形斜支撑求解是计算几何中诸多问题的一个核心算法.至今,求解该问题的最好算法的时间复杂度为O(n+m).本文在巧妙利用凸多边形特殊性质的基础上,给出了一时间复杂度为O(log(n+m))的最佳算法,从而彻底解决了这一问题.  
      关键词:计算几何;平面凸多边形;支撑线;最佳算法   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种面向巨型机的软件调试技术

      钟志新, 杨学军, 黎勇
      1994(5)
      摘要:强有力的调试工具是巨型机软件研制过程中所必需的.由于巨型机特殊的体系结构,传统调试手段难于施用.本文提出了一种基于调试行的软件调试技术.该技术不仅原理上有独到之处,而且实践中行之有效.  
      关键词:巨型机;软件;调试行;行为   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种并行图象标记算法

      张德富, 陈燕平, 沈平
      1994(5)
      摘要:本文提出一种并行图象标记算法,它简化了图象标记的局部操作,将并行收缩和标记传播合并为一个操作,降低了存储空间复杂性;在几个处理器的线性脉动阵列上的运行时间为O(n),达到了运行时间与处理器数乘积的最佳值.  
      关键词:局部操作;图象标记;脉动阵列   
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      更新时间:2025-12-08
    • 循环扭曲技术的再认识

      金国华, 陈福接
      1994(5)
      摘要:本文对Wolfe86年提出的循环扭曲转换技术进行了重新认识,通过引入相关距离矩阵和相关方向矩阵概念,给出了扭曲变换多重紧嵌套循环的一般化方法,然后分析了循环扭曲对并行性和数据局部性的影响,最后讨论了它和其它转换技术之间的相互关系.  
      关键词:循环扭曲;相关距离矩阵;相关方向矩阵;并行性;数据局部性;编译;FORTRAN   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种新型的FFT地址发生器集成电路的设计

      罗文哲, 徐葭生
      1994(5)
      摘要:本文通过对FFT计算流图的分析,得到了FFT计算过程中连续参加蝶形运算的结点数据和三角常数WNK的地址产生规律,并总结出逻辑表达式.在此基础上设计了一种新型的FFT地址发生器.与传统设计方法相比,减少了晶体管数量,提高了速度,经逻辑模拟验证了设计上的正确性.由电路模拟可知,采用2μCMOS工艺制作时,可达到50MHZ的工作频率.  
      关键词:FFT;地址发生器;传输门逻辑;筒式移位器   
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      更新时间:2025-12-08
    • 混合型LIGBT/LDMOS晶体管瞬态响应的电荷控制模型

      李肇基, 张旻
      1994(5)
      摘要:本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管/横向扩散MOS混合晶体管(LIGBT/LDMOS),在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型,由考虑非准静态效应的积分式连续性方程,导出双载流子动态电荷控制表示式;计及其中双极晶体管宽漂移区的电导调制效应和瞬态电荷分布效应,利用保角变换求得抽出区导通电阻,从而获得归一化瞬态截止电流和瞬态截止时间及它们与漂移区长度和材料参数,特别是与两器件宽度比的关系,据此,可制作高速开关器件.  
      关键词:绝缘栅双极晶体管;双扩散MOS晶体管;瞬态响应;电荷控制模型   
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      更新时间:2025-12-08
    • 高场势垒调制效应及其对陷阱测试分析的影响

      刘晓卫, 许铭真, 谭长华, 王阳元
      1994(5)
      摘要:高场应力条件下,VLSI/ULSIMOS结构场发射极附近的镜像力效应和半导体/氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响MOS结构的高场隧穿势垒高度及形状,本文研究了这种高场势垒调制效应及其对MOS结构高场隧穿特性和陷阱测试分析的影响,并给出了初步的修正分析方法.  
      关键词:高场势垒调制效应;镜像力;表面量子化;陷阱;氧化层电流弛豫谱   
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      更新时间:2025-12-08
    • 中国电子学会1994~1995年重点国际学术会议

      1994(5)
      摘要:中国电子学会1994~1995年重点国际学术会议中国电子学会1994~1995年重点国际学术会议...  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 500A、1200V光控双向晶闸管的研制

      赵善麒, 高鼎三, 王正元
      1994(5)
      摘要:本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点,介绍了该新型结构器件的关键生产工艺,并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究,研制成功的直径为40mm,电流容量为500A,耐压为1200V的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于15mW,动态峰值压降小于1.6V,换向dv/dt耐量大于100V/μs,换向di/dt耐量大于50A/μs.  
      关键词:光控双向晶闸管;光敏门极;光触发灵敏度;换向dv/dt耐量;换向di/dt耐量   
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      更新时间:2025-12-08
    • HFE超低温度系数的硅双极晶体管

      郑茳, 吴金, 肖志雄, 魏同立
      1994(5)
      摘要:随着高可靠电子技术的发展,要求硅双极器件的电流增益HFE具有很低的正温度系数.发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数的主要原因.为了减小这一正温度系数,结合发射区轻掺杂技术,我们采用了新颖的多晶硅部分发射区、多晶硅发射区和非晶硅发射区等结构,获得了电性能优异的HFE超低温度系数的硅双极器件,HFE的125℃高温上升率和-55℃低温下降率均小于20%,有些甚至小于10%.  
      关键词:硅双极晶体管;电流增益;低温度系数   
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      更新时间:2025-12-08
    • 振荡限幅器型卫星电视接收解调器

      刁鸣
      1994(5)
      摘要:本文分析了振荡限幅器的基本工作原理及工作条件,并设计了一种振荡限幅器型卫星电视接收解调器,同时将其用于接收苏联714MHz卫星电视信号.实验表明,该解调器性能良好,门限改善量可达3dB以上.  
      关键词:门限扩展;振荡限幅器;跟踪滤波器   
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      更新时间:2025-12-08
    • 多传感器信息融合浅析

      邵远, 何发昌, 罗志增
      1994(5)
      摘要:利用多传感器的信息融合获得有关目标的知识,可以避免单一传感器的局限性限制,减少各传感器不确定性误差的影响.本文阐述了多传感器信息融合研究的三个主要领域,即信息表示、融合的模型结构和方法及融合中的控制,并以典型成果介绍了在这些领域研究中已取得的进展.最后,根据国外研究的发展趋势提出了我们的对策.  
      关键词:机器人;多传感器;信息融合   
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      更新时间:2025-12-08
    • 氢对硅中4d过渡杂质的钝化

      周洁, 王永康, 孙景兰, 卢励吾, 吴汲安
      1994(5)
      摘要:本文研究了氢原子与Si中4d过渡杂质(Pd、Rh、Ru、Mo)引入深中心的相互作用,得到了Si中这些深中心被钝化的难易程度.从钝化角度支持了Si:Pd与Si:Rh中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断,同时提出了Si:Mo中E(0.53)和H(0.16)两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据,通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用,对氢的钝化机理作了初步探讨.  
      关键词:Si;氢钝化;4d过渡杂质;深能级瞬态谱   
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      更新时间:2025-12-08
    • 熔区固液界面温度梯度的优化与再结晶SOI晶膜质量的提高

      张鹏飞, 侯东彦, 杨景铭, 钱佩信, 罗台秦
      1994(5)
      摘要:本文研究了多晶硅薄膜在红外熔区再结晶过程中熔化和固化前沿不同的推进行为,指出为了提高再结晶质量,熔区两侧对所得到的辐射能流密度分布有不同的要求,据此提出了一种兼顾熔化和固化要求的不对称加热区熔再结晶技术,成功地制备了高质量的SOI晶膜.  
      关键词:SOI;区熔再结晶;半导体材料   
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      更新时间:2025-12-08
    • 薄膜SOI/CMOS的SPICE电路模拟

      王阳元, 奚雪梅, 甘学温, 程玉华, 李映雪
      1994(5)
      摘要:鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实用性,分析了器件参数对SOI/CMOS电路速度的影响,这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践.  
      关键词:SPICE电路模拟;薄膜SOI/CMOS电路;器件模型移植   
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      更新时间:2025-12-08
    • 深亚微米MOSFET二维数值模拟的若干结果

      余山, 陈达, 张燕文, 黄敞
      1994(5)
      摘要:对深亚微米器件,由于工作电压下降,要求重新确定LDD和常规MOSFET在VLSI中的作用.本文从基本器件数理方程出发,对深亚微米常规及LDDMOSFET的器件特性、热载流子效应及短沟道效应进行了二维稳态数值模拟,指出了常规和LDDMOSFET各自的局限性,明确了在深亚微米VLSI中,LDD仍然起主要作用。  
      关键词:深亚微米器件;器件模拟   
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      更新时间:2025-12-08
    • 图象序列中缓动小目标运动参数的提取

      李智勇, 沈振康, 刘鲁勤
      1994(5)
      摘要:本文介绍了一种对缓慢运动(>0.1象素/帧)的斑点目标质心进行高精度跟踪的方法.该法通过对图象序列中目标质心位置和帧间位移测量误差的分析,提出了改进的滤波模型,有效抑制了图象空间量化噪声和灰度噪声的影响,获得了高精度的斑点目标运动参数.  
      关键词:目标跟踪;图象序列;滤波   
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      更新时间:2025-12-08
    • 查询式完全服务排队模型分析

      赵东风, 郑苏民
      1994(5)
      摘要:本文对查询式完全服务排队系统,采用嵌入马尔可夫链理论和概率母函数的分析方法进行了研究,给出了报文的平均延迟计算公式和有关的参数值。最后,通过计算机模拟实验,给出了查询式完全服务排队系统的模拟数值结果。理论计算与模拟结果相一致。  
      关键词:查询系统;离散时间;报文;排队模型   
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      更新时间:2025-12-08
    • RC-Nullor网络的一种拓扑分析方法及不定导纳矩阵的形成

      王光义
      1994(5)
      摘要:本文提出了一种RC-nullor网络拓朴分析的简便方法,并着重研究这种方法中不定导纳矩阵的直接形成.  
      关键词:RC-Nullor网络;拓扑分析;不定导纳矩阵   
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      更新时间:2025-12-08
    • 中国电子学会1994年─1995年重点国内学术会议

      1994(5)
      摘要:中国电子学会1994年─1995年重点国内学术会议中国电子学会1994年─1995年重点国内学术会议...  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 哈尔滨工业大学

      1994(5)
      摘要:哈尔滨工业大学HARBININSTITUTEOFTECHNOLOGY哈尔滨工业大学(以下简称哈工大)位于北方名城哈尔滨市,创建于1920年,建国后,1951年由政府确定为我国高等教育学习苏联的两所试点院校之一,1954年作为国家首次确定的6所重点大学...  
        
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