最新刊期

    1995年第2期
    • 前向多层神经网络模糊自适应算法

      李松银, 郑君里
      1995(2)
      摘要:本文将模糊集理论与人工神经网络的研究相结合,提出一种模糊自适应BP算法,用典型异或问题与规模更大的打印机磁泄漏信息识别问题进行计算机模拟表明,该算法可使BP算法的收敛速度明显提高。此项工作为神经网络与模糊系统相结合探索了一条新的途径。  
      关键词:人工神经网络;前向多层神经网络;BP算法;模糊系统   
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      更新时间:2025-12-08
    • 机载合成孔径雷达实时数字成像处理器通过鉴定

      1995(2)
      摘要:机载合成孔径雷达实时数字成像处理器通过鉴定AirborneSyntheticApertureRadaeReal-TimeProcessorProvedtobeAutheuotic¥//(中科院电子所二室,北京100080)我国合成孔径雷达系统研究又向...  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 基于“反体存储器”概念的分类器:SORTER

      杨利, 吴涛, 周兴铭
      1995(2)
      摘要:本文描述和分析了一个基于反体存储器概念模型的新型分类器(SORTER)的硬件结构和相应的分类算法。由于不是采用基于比较的分类方法,SORTER避免了常规分类算法O(nlogn)的时间下界。SORTER仅利用两种基本的读写操作实现数据元素的分类,按存储器访问次数计算,该算法的复杂度仅为O(n).此外,对SORTER算法稍加修改,就可以实现数据库中的多数运算,其时间的复杂性同样为O(n).SORTER基于常规的RAM技术,其结构和实现都不困难。  
      关键词:反体存储器;快速分类;分类器;关系数据库管理系统   
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      更新时间:2025-12-08
    • 合成型语言FOPL的语义研究

      梅宏, 孙永强
      1995(2)
      摘要:函数式面向对象程序设计语言FOPL,是笔者设计并实现的一种同时支持函数式程序设计和面向对象程序设计的合成型智能语言,本文在一个全称抽象域上描述了它的指称语义,进而讨论了一个和该指称语义计算一致的按值调用的操作语义。  
      关键词:函数式程序设计;面向对象程序设计;合成语言;指称语义;操作语义   
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      更新时间:2025-12-08
    • 快速时域模拟器FTSIM

      何磊, 章开和, 唐璞山
      1995(2)
      摘要:开关级快速时域模拟器FTSIM(FastTimingSIMulator),可对MOSLSI/VLSI数字电路进行逻辑功能和时间特性的模拟与验证;基于波形松弛算法,FTSIM首先将电路分解成直流连通单元(DCC),然后利用晶体管非线性模型按一定次序计算每个DCC的输出波形。在求解该模型特征方程的过程中,采用了电压步进方法,同时提出了处理DCC之间反馈问题的事件驱动自适应窗口算法。FTSIM可以充分利用电路的多速率特性和各类休眠特性来提高分析速度,测试结果表明,对于中规模的MOS数字电路,速度比SPICE提高2~3个数量级,而波形偏差约5%;并且速度提高随着被分析电路规模的增大而近似线性增加。由于被分析电路采用晶体管级描述,FTSIM可以用于分析门级和开关级逻辑,DOMINO结构等MOS电路,也可直接用于验证从集成电路版图中提取的MOS数字电路。  
      关键词:超大规模集成电路计算机辅助设计;开关级模拟与验证;快速时域模拟程序   
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      更新时间:2025-12-08
    • 硅基微静电马达

      孙夕庆, 李志坚, 刘理天
      1995(2)
      摘要:本文介绍了硅基微静电马达的设计考虑、制作工艺和测量结果,该马达结构上的改进主要体现在两方面:通过在微马达转子的下面集成光伏器件实现了对马达转速的片内检测,这对于研究微马达动力学和构成MEMS有着重要的意义;利用复合膜牺牲层技术制成了一种锥状轴承,该轴承能够减小马达的摩擦力矩,微静电马达转子直径分100μm和120μm两种,定子与转子极之间的空气间隙有2μm、3μm和4μm三种。初步测量结果表明该马达的最小启动电压为93V,最高平衡转速达239rps。  
      关键词:微静电马达;微电机械系统   
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      更新时间:2025-12-08
    • MIM隧道二极管的发光机理

      蔡益民, 孙承休, 高中林, 魏同立
      1995(2)
      摘要:本文介绍金属-绝缘体-金属(MIN)结的基本结构及其发光机理,根据电流波动理论计算得到的表面等离子极化激元(SPP)慢模能量分布与测量光谱的比较,得出发光中慢模起主要作用的结论,并以此来说明MIM结I-V特性的负阻现象。  
      关键词:MIM隧道结;表面等离子极化激元;粗糙度   
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      更新时间:2025-12-08
    • SOI MOSFETI-V特性的计算机模拟

      王煜, 张鹏飞, 侯东彦, 钱佩信, 罗台秦
      1995(2)
      摘要:本文研究了SOIMOSFET的I-V特性,建立了一套模拟SOI器件工作特性的解析模型,适用于不同的SOI膜厚和各种前、背栅的偏置情况,在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合,该模型物理意义明确,计算简便快速,所用参数易于提取。  
      关键词:计算机模拟;SOI/MOS器件   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一个基于规则的神经网络系统

      王继成, 吕维雪
      1995(2)
      摘要:本文提出了一个基于规则的神经网络结构,它溶基于规则的方法和神经网络技术于一体,使得隐含于神经网络结构中的知识可以表示成规则的形式,从而增强了神经网络的解释功能。为了验证基于规则的神经网络结构的优越性,本文介绍了用该神经网络结构实现的心电信号分析系统。实验结果表明:该系统无论在分析效率上,还是在系统的自适应能力上都较传统的心电信号分析方法有很大的改进。  
      关键词:神经网络;基于规则系统;心电图分析;模式识别   
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      更新时间:2025-12-08
    • 超导逻辑门RCJL的传输特性

      汤玉生, 余兴, 蒋建飞
      1995(2)
      摘要:RCJL(电阻耦合约瑟夫逊逻辑)是电流注入控制型的典型超导逻辑门电路,本文用四阶龙格-库塔法(RungeCutta)分析了RCJL的传输特性,并分别对门的边沿激励、阻尼作用及门间隔离电阻对传输性能的影响作了详细的分析讨论。  
      关键词:超导逻辑门;边沿激励;隔离电阻   
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      更新时间:2025-12-08
    • 光伏法研究掺金硅特性

      朱文章, 沈顗华, 刘士毅
      1995(2)
      摘要:本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命,掺金浓度为1012~6.62×1015cm-3,4个数量级;根据对两类不同电阻率的N型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算,提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性,实验和计算结果都表明,高浓度金掺杂可以改变N型高阻硅的导电类型。  
      关键词:掺金硅;少子寿命;光伏;深能级   
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      更新时间:2025-12-08
    • 多值模代数中的减法与除法运算及其应用

      吴训威, 沈继忠
      1995(2)
      摘要:本文提出并讨论了模加与模乘运算的逆运算──模减与模除运算。它们的引入使模代数的取值域扩展到负数与分数,并以此建立相应的对称模代数与分数模代数系统,通过五值逻辑中函数表示的讨论,证明该二种新运算对建立一个功能完整的模代数系统是必要的。  
      关键词:模代数;模减运算;模除运算;多值逻辑   
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      更新时间:2025-12-08
    • 直流电-直流电开关变流器的统一建模方法

      高潮, 邱关源
      1995(2)
      摘要:提出一种能通用于脉宽调制(PWM)型,准谐振型,桥式串(并)联谐振型等各类开关变流器的统一建模方法,脉冲波形积分法。本法能充分反映各类变流器的自身特点,为变流器动态性能指标的分析与设计提供统一衡量标准,文中以两种类型变流器为例阐明建模原理,并将建模结果与有关文献进行比较,计算机仿真结果证明所建模型是正确的。  
      关键词:直流电-直流电(DC-DC);变流器;统一拓扑;采样;积分   
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      更新时间:2025-12-08
    • 跨世纪新学科──纳米电子学

      林鸿溢
      1995(2)
      摘要:本世纪最后十年,一个崭新的学科领域──纳米科学技术诞生了,这一新领域为多科性交叉学科,包括纳米电子学、纳米材料科学、纳米生物学、纳米机械学、纳米显微学和纳米制造等,本文讨论了新颖的纳米电子学的提出、设想、内容、现状和前景。纳米科学技术的最终目标是直接操纵单个原子或分子,制造具有特定功能的产品,从而将惊人地改变着人类的生产和生活模式。  
      关键词:纳米科学技术;纳米电子学;纳米材料科学   
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      更新时间:2025-12-08
    • 微小激光功率标准

      1995(2)
      摘要:微小激光功率标准StandardofMini-LowLaserPower¥//(电子工业部第四十一研究所,蚌埠233006)微小激光功率标准是利用QED-200硅光电二极管自校准技术而建立的,这是一种新的测量激光功率的方法,它完全不同于统统的以黑体热...  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 非对称大光腔GaAlAs/GaAs激光器分析与实验

      康晓黎, 李锡华, 朱丽津, 宋南辛
      1995(2)
      摘要:本文分析了非对称大光腔结构在提高GaAlAs/GaAs激光器输出光功率方面的优越性,计算了为获得最大功率和基模工作所应选用的有关参数,在上述分析的基础上,研制了非对称大光腔(A-LOC)GaAlAs/GaAs激光器,其未涂覆输出光功率达85mW以上,这一结果与理论计算基本符合。  
      关键词:激光器;大光腔;非对称   
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      更新时间:2025-12-08
    • 1.55μm波长新型InGaAsP/InP电调频分器研究

      蔡伯荣, 刘永智, 庞涛, 叶玉堂
      1995(2)
      摘要:本文提出一种新型电调频分器设计,采用InGaAsP/InP双异质结(DH)脊形波导(RWG)和分布布喇格反射器(DBR)结构,通过改变加于器件的反偏压,由电光耦合效应改变波导折射率,以满足四频分要求,实现频率分割的目的,分析计算结果表明:对于1.55μm激光束的传输,频分间隔为8GHz时,实现四频分的外加偏压分别约为0,4,8和12伏。  
      关键词:频分器;电调谐;双异质结-脊形波导-分布布喇格反射器结构   
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      更新时间:2025-12-08
    • 多模渐变光纤数值孔径测试系统

      1995(2)
      摘要:多模渐变光纤数值孔径测试系统TheMeasurementSystemofNumericalApertureforGraded-IndexMultimodeFiber¥//(电子工业部第四十一研究所,蚌埠233006)数值孔径是多模光纤的一个重要参数,...  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 阙端麟, 陈修治, 徐冬良
      1995(2)
      摘要:本文在数值分析和实验数据的基础上,提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。  
      关键词:硅;少子寿命;光电导衰减法   
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      更新时间:2025-12-08
    • 双管S型负阻器件的研究

      魏希文, 王美田, 李建军, 李雪梅, 李凤银, 王化雨, 曹体伦
      1995(2)
      摘要:模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有S型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端S型负阻器件(TBNRD器件).本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。  
      关键词:负阻器件;两端器件   
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      更新时间:2025-12-08
    • 电流型CMOS多值乘法器分析与芯片的设计

      杨洪利, 靳东明, 李志坚
      1995(2)
      摘要:本文以电流型CMOS电路为基础,提出了种一高速、高集成度的多值乘法器设计方案,讨论了多值乘法器与集成度、速度和精度的关系,同时用改进CMOS工艺实现了3×3位8值乘法器的设计,得到了较理想的结果。  
      关键词:多值逻辑;乘法器;全加器;电流CMOS电路   
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      更新时间:2025-12-08
    • 18×18并行流水乘法器芯片设计

      徐加全, 候朝焕, 张骥
      1995(2)
      摘要:本文详细介绍了18×18ModifiedBooth算法和华士树乘法器的全定制芯片设计。芯片的工艺采用1.2μm,整个算法仿真和版图设计工作是在MentorGraphics公司的GDT上完成的。芯片加工完成后,一个样片通过所有测试,实测工作频率为36兆赫。  
      关键词:全定制;布思译码;华莱士树   
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      更新时间:2025-12-08
    • Spindt型真空微三极管按比例缩小的CE规则

      黄庆安
      1995(2)
      摘要:本文根据恒定电场原理,提出了Spindt型真空微三极管按比例缩小规则.研究指出,Spindt型真空微三极管按比例缩小后,性能明显改进,工作电压降低。  
      关键词:真空微电子学;场发射阵列;按比例缩小   
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      更新时间:2025-12-08
    • 电子部13所1994年科研成果简介

      1995(2)
      摘要:电子部13所1994年科研成果简介在1994年12月电子部13所第34次科研成果鉴定会上,专家们评审出具有国际先进水平的成果1项,达到九十年代初期国际同类产品水平的7项,国际八十年代中后期水平的15项,国内领先水平23项,国内先进水平18项。·多层陶...  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • BF2注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

      张廷庆, 刘家璐, 张正选, 赵元富
      1995(2)
      摘要:本文系统地研究了BF注入硅栅PMOSFET阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF注入抗γ辐照加固的机理。结果表明,BF注入是一种抗γ辐照加固的新方法。  
      关键词:二氟化硼;离子注入;γ辐照;硅栅PMOSFET   
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      更新时间:2025-12-08
    • HCE:一个层次化VLSI版图的电路提取系统

      张顺茂, 唐璞山
      1995(2)
      摘要:本文采用基于边的线扫描算法的图形逻辑操作,并以此为基础设计了一个层次化的电路提取器(HCE),单元重复利用率越高,层次化的电路提取器HCE比平面化的电路提取器的速度越快,并且,本提取器HCE能够处理非曼哈顿图形,提取器HCE系统是在HP9000/834图形工作站上开发完成的,该系统采用了已成为工业标准的软件开发环境,即UNIX操作系统,X窗口,C语言和EtherNet网络,便于系统移植、维护和再开发。  
      关键词:图形逻辑操作;线扫描;电路提取   
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      更新时间:2025-12-08
    • 二维正交子波变换的VLSI并行计算

      陈崚
      1995(2)
      摘要:本文提出一个二维离散正交子波变换的VLSI并行结构,该结构将二维输入信号分解成不重叠的若干行组,从而使每组中的所有行被并行处理,而不同组的行的处理、不同级上的计算,以至不同信号的计算可以在此结构上流水线地进行。  
      关键词:子波变换;VLSI并行计算结构   
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      更新时间:2025-12-08
    • 32kb/s ADPCM中高速乘法器的设计

      韩雁, 宋杭宾, 姚庆栋, 戴文琪
      1995(2)
      摘要:本文介绍了60路32kb/sADPCM专用芯片中的高速乘法器的逻辑设计和提高运算速度的方法。通过优化设计,该乘法器运算速度高,电路简单,对芯片制造工艺要求不高。  
      关键词:浮点乘;流水结构;CCITTG.721标准   
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      更新时间:2025-12-08
    • 关于电子产品性能的模糊综合评判

      丁瑾, 胡健栋
      1995(2)
      摘要:利用模糊数学理论对电子产品的性能进行综合评判,以便对电子产品性能价格比有一个量的理解。  
      关键词:模糊综合评判;性能价格比;可靠性   
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      更新时间:2025-12-08
    • 时延驱动的VLSI版图规划算法

      戚肖宁, 冯之雁, 严晓浪
      1995(2)
      摘要:本文提出了时延驱动布图规划(TimingDrivenFloorplanning)的思想。在用改进的广义力矢量法优化功能单元间连线时延的同时,运用非线性规划的方法进一步优化关键路径上功能单元的时延及连线时延,结果表明,这是一种有效的优化版图时延的方法。  
      关键词:超大规模集成电路;时延驱动布图;布图规划   
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      更新时间:2025-12-08
    • 应变SiGe合金的喇曼光谱研究

      顾书林, 张荣, 韩平, 王荣华, 郑有斗
      1995(2)
      摘要:本文利用喇曼(Raman)光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变SiGe合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量SiGe合金中Ge的组分,实验中发现:高Ge组分的SiGe合金中Ge原子分布较低Ge组分样品无序和均匀,反应气体的氢气稀释以及完全无应变会使生长的SiGe合金中Ge原子的分布较为均匀,生长过程中应变的影响、原子的迁移以及氢原子的覆盖解释了以上实验结果。  
      关键词:喇曼光谱;SiGe合金;Ge组分   
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      更新时间:2025-12-08
    • W波段光控Gunn管谐波振荡器的实验研究

      朱晓维, 陈忆元, 李嗣范
      1995(2)
      摘要:本文提出了W波段Gunn管谐波型光控振荡器的设计方案,该方案在振荡器的基波腔内填充本征半导体Si片,并通过光纤将半导体激光器产生的光束耦合到Si片,以达到光对振荡器工作频率的控制,在实验中采用波长为0.863μm的激光照射Si片,取得了光控频率达7MHz的结果。  
      关键词:光控振荡器;毫米波振荡器;光敏半导体材料   
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      更新时间:2025-12-08
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