最新刊期

    1995年第5期
    • 多晶硅发射极晶体管(PET)Gummel-Poon模型

      郑云光, 郭维廉, 李桂华, 李树荣, 蒋翔六, 王阳元, 张利春, 吉利久
      1995(5)
      摘要:本文建立了能直接用于SPICE电路分析程序中的PET-GP模型。研究表明:可以采用两种方法来使用PET-GP模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了PET-GP模型参数β_F和特征频率f_T,f_T的计算和实验结果符合较好。β_F的计算表明,所研究器件的多晶硅/硅界面复合较强,复合速度S_p达到10 ̄6cm/s。  
      关键词:多晶硅发射极晶体管;GP模型   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种通用神经网络处理机设计及其VLSI集成化讨论

      魏允, 王守觉, 王丽艳, 鲁华祥
      1995(5)
      摘要:本文讨论了通用神经网络处理机的性能要求以及全模拟量处理、全数字量处理和数字模拟混合处理等各种处理方式的优缺点,设计了一种数字模拟混合处理的通用神经网络处理机结构。这种结构在当前VLSI集成工艺的条件下,具有较高的性能价格比。  
      关键词:神经网络;数字模拟混合处理;处理机;大规模集成电路   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种高效地实现运动估计算法的VLSI结构

      舒清明, 徐葭生
      1995(5)
      摘要:本文提出了一种全新的低延滞、高吞吐率、可编程的VLSI树型结构,它能十分有效地实现FSA和TSSA运动估计算法,该结构比其它树型结构少1/3的处理单元(PE),而且PE单元的延时减少一半。独特的ME窗缓冲结构使I/O带宽和I/O管脚大大减小,交叉流水线技术使硬件利用率可达到100%,这些特点使得该结构适合VLSI实现。  
      关键词:视频图象编码;运动估计;运动补偿;块匹配算法;树型结构   
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      更新时间:2025-12-08
    • 专用设备驱动程序交互式生成器的设计与实现

      范植华, 邢国光
      1995(5)
      摘要:主要作为电子高科技的重点领域,专用实时设备无论类别和型号,抑或数量和质量,均与日俱增,令人目不暇接。它们的高效管理与灵活加接,是任何计算机专用实时系统不可或缺的基本功能,其驱动模块随之成为任何专用实时系统无法回避的设计难点。本文介绍我们自行研制的专用实时设备驱动程序交互式生成器RTDG(RealTimeDriverGenerator)的设计与实现。  
      关键词:专用实时母系统;专用实时外部设备;设备驱动程序;数据模型;操作模型   
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      更新时间:2025-12-08
    • 动态对象的原理、实现与应用

      高飞, 叶尚辉
      1995(5)
      摘要:面向对象的思想已被CAD、EDB等领域普遍接受,本文针对机械CAD的需求,提出了动态对象的概念,指出类是对象动态变化中某些状态的抽象,并实现了原型系统DOC++(C++withDynamicObjects)。DOC++被用来解决产品几何模型的进化问题。  
      关键词:面向对象;对象;动态对象;继承;C++   
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      更新时间:2025-12-08
    • 超导逻辑门JAWS的电压态特性分析

      汤玉生, 余兴, 蒋建飞
      1995(5)
      摘要:本文是在数值分析基础上,用节点相位差的线性近似对JAWS门的非线性状态方程进行线性化,由此获得了门电压态特性的解析描述。其结果与数值分析非常一致,并揭示了门的隔离特性、扇出和电压态上叠加的高频振荡特性与门电路参数之间的关系。电压态振荡源于约瑟夫逊结的超流分量,因此它同样可存在于由约瑟夫逊结构成的以电压为状态特征的超导逻辑门中。  
      关键词:超导逻辑门;电压态;高频振荡   
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      更新时间:2025-12-08
    • 两段式双稳半导体激光器的行波研究

      罗斌, 吕鸿昌, 陈建国
      1995(5)
      摘要:采用行波速率方程组对两段式双稳半导体激光器进行理论分析,推导出了腔内光子通量的隐含形式解,利用解析结果,可以进一步探讨双稳半导体激光器的特性。  
      关键词:双稳半导体激光器;光子通量;载流子密度   
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      更新时间:2025-12-08
    • 改善微波功率管小电流特性的模拟分析

      林绪伦, 朱恩均
      1995(5)
      摘要:对于新型N ̄+IP发射结结构的微波功率管,采用一维数值模拟,分区计算了它的渡越时间,结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。  
      关键词:微波功率管;渡越时间;模拟   
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      更新时间:2025-12-08
    • 汉字输入的新处理技术及“自由”输入法

      何尔恭, 朱斌, 曾锡山, 温立新
      1995(5)
      摘要:本文提出以汉字信息库替代扫描表为特点的新的汉字输入内部处理方式,新方式给予人们以"按键自由"和"输入方法选择的自由",完成的自由输入法,输入汉字可用笔划法,部件法,或每一步都可自由地选择两法之一。自由输入法含大自由,小自由和超自由等多种方法,可适用于专业或非专业人士。  
      关键词:汉字信息处理;输入方法;编码   
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      更新时间:2025-12-08
    • 铷原子法拉第共振滤光特性研究

      彭玉峰, 汤俊雄, 王庆吉
      1995(5)
      摘要:我们在不同磁场强度、原子气体密度下,实验观测了780nm铷原子气体的法拉第共振滤光效应,并进行了理论分析。结果表明:透射峰中心频率的调谐能力为~100GHz/T,透过率大于40%,通频带宽为0.001nm~0.01nm,背景光抑制本领优于10 ̄(-4)。  
      关键词:法拉第旋光效应;反常色散;原子滤波器   
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      更新时间:2025-12-08
    • 宋健, 范崇澄, 姚彦, 冯重熙
      1995(5)
      摘要:通过引入一个描述掺铒光纤放大器(EDFA)受扰后偏离其常态程度的参数X_i,本文推导出一个不依赖于具体参数的归一化的EDFA增益表达式,应用该式进行分析的结果表明,以X_i作为衡量系统恢复程度的参数,具有简便易行等优点。对于EDFA饱和程度较浅的陆上光纤通信系统而言,系统经3dB的扰动后,光功率在3级内即可恢复到原值的90%。扰动引起的系统误码率(BER)的变化,随扰动开始级数的不同而显著不同:前几级EDFA处开始受扰对系统BER的影响甚微;而后几级、特别是末级EDFA开始受扰则可能导致系统达不到所要求的BER,当EDFA增益比小信号增益低10dB时,即使末级EDFA受到3dB扰动,BER仍小于10 ̄(-9),系统饱和越浅,受扰动的影响就越严重,需要在实际的系统设计中认真加以考虑。  
      关键词:光纤通信;系统特性;信号恢复;掺铒光纤放大器;误码率   
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      更新时间:2025-12-08
    • 掺铒光纤放大器噪声特性的全面分析

      顾金星, 徐承和
      1995(5)
      摘要:本文对掺铒光纤放大器(EDFA)的噪声特性进行了全面的分析。把光信号和EDFA中放大自发辐射(ASE)产生的量子噪声,以及信号──ASE拍频噪声和ASE─ASE拍频噪声一并加以考虑。通过数值模拟,给出了不同信号功率和泵浦功率下的EDFA噪声系数。这些结果对优化EDFA的工作参量及其工程制作具有一定的指导作用。  
      关键词:光纤通信;掺铒光纤放大器;噪声系数   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种新的计算机网络性能灵敏度估计方法

      晏蒲柳, 石冰心, 黄铁侠
      1995(5)
      摘要:本文定义了计算机网络路由选择与流量控制算法的联合控制变量。建立了路选及流控控制器的摄动迭代算式和联合控制变量的摄动估计算式,将网络参数的微小摄动映射成节点信包队长的有限摄动,在各种负载条件和参数摄动环境下,分析计算机网络性能灵敏度。  
      关键词:摄动分析;性能评价;计算机网络;路由选择;流量控制   
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      更新时间:2025-12-08
    • 人工神经网络的容量、学习与计算复杂性

      阎平凡
      1995(5)
      摘要:本文讨论了人工神经网络(ANN)解决问题的能力,从广泛的角度讨论了容量问题,推广与学习问题,深入研究了ANN通过学习解决问题的计算复杂性,以及解决实际问题时困难所在。  
      关键词:神经网络;计算复杂性;学习   
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      更新时间:2025-12-08
    • LB膜光电转换研究的进展

      王丽颖, 李亦兵, 席时权
      1995(5)
      摘要:LB技术开辟了光电转换研究的新领域,本文综述了利用LB膜进行光电转换研究的发展状况,并对这一领域的发展及应用前景进行了探讨,提出了几点建议。  
      关键词:LB膜;酞菁;光电转换;光生电流;光电器件   
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      更新时间:2025-12-08
    • 两端线网布局的遗传算法

      蔡煜东
      1995(5)
      摘要:两端线网布局的遗传算法蔡煜东(中国科学院上海冶金所,上海200050)1.遗传算法1975年,Holland受生物学中"生物进化"和"自然选择"学说的启发,提出了著名的遗传算法,经过近20年的研究、应用,遗传算法已成为非线性优化和系统辨识的有效工具,...  
        
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      更新时间:2025-12-08
    • 注入条件对SIMOX材料的影响

      李映雪, 游曲波, 甘学温, 武国英, 王阳元, 丁富荣, 韦伦存
      1995(5)
      摘要:利用RBS和TEM技术分析研究了不同注入剂量、注入方式(单重注入,多重注入)对SIMOX材料各层结构的影响,特别着重研究了Si/SiO_2界面过渡区受注入条件的影响.结果表明,在注入剂量相同的情况下,多重注入不仅能改善顶层单晶、SiO_2绝缘层的质量,而且能显著减小Si/SiO_2界面过渡区宽度。  
      关键词:氧注入;SOI;单重注入;多重注入   
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      更新时间:2025-12-08
    • 用逐层淀积法制备a-Si∶H薄膜

      潘广勤, 廖显伯, 王燕, 刁宏伟, 孔光临
      1995(5)
      摘要:本文用逐层淀积法制备了a-Si:H薄膜,研究了生长速率、子层厚度及氢等离子体处理对薄膜性质的影响,结果指出:不同条件下的氢等离子体处理不仅可以使淀积的样品发生从非晶到微晶的相变,而且可以使费米能级的位置向上或者向下移动,在较低的淀积速率及较小的子层厚度下淀积,并配合以适度的氢等离子体处理,可以得到具有较高光电灵敏度及稳定性的a-Si:H薄膜。  
      关键词:a-Si:H;氢等离子体处理;稳定性   
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      更新时间:2025-12-08
    • 柴燕杰, 张汉一, 谢世钟, 周炳琨
      1995(5)
      摘要:本文从理论上分析了外部光反馈对强耦合外腔半导体激光器特性的影响,对相干外部光反馈和非相干外部光反馈两种情形的分析结果均表明强耦合外腔半导体激光器可将半导体激光器所能容忍的临界光反馈强度提高大约20dB以上,同时得出了长外腔和强耦合有利于提高外腔半导体激光器抗反馈能力的结论。  
      关键词:半导体激光器;光反馈   
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      更新时间:2025-12-08
    • 掺铒光纤放大器增益特性及参量优化

      张明德, 殷国理, 王劲松, 杨祥林
      1995(5)
      摘要:本文以铒光纤放大器的速率方程理论分析计算了铒光纤参量与放大器增益特性的关系,首次得到了铒光纤截止波长的解析表达式。  
      关键词:掺铒光纤放大器;速率方程;增益   
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      更新时间:2025-12-08
    • 注入锁定半导体激光器频率失调的下限

      李林林
      1995(5)
      摘要:在考虑非线性增益的情况下,本文给出了注入锁定半导体激光器锁定带宽的表达式,该激光器稳定运转的失调频率下限受非线性增益的影响,特别是在激光器偏置电流较大和或非线性增益系数较大时更为如此。  
      关键词:半导体激光器;注入锁定;锁定带宽;非线性增益   
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      更新时间:2025-12-08
    • 新型光电子光源器件电场分布特性测试研究

      吴小萍, 朱祖华
      1995(5)
      摘要:本文介绍了应用连续波电光检测法(CWEOP)对GaAs/GaAlAs双异质结激光器及其列阵和发光管列阵电场分布进行扫描测量的结果,研究了这三种光源器件不同部位的电场分布和电力分布特点及列阵器件的发光均匀性。  
      关键词:激光器;激光器列阵;发光管列阵;电场分布;连续波电光检测   
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      更新时间:2025-12-08
    • 表面物理性吸附与石英晶体湿度传感器性能的研究

      董永贵, 冯冠平
      1995(5)
      摘要:本文针对带有吸湿性涂层的石英晶体谐振器的研究,提出了一种三层结构的力学模型,并在此基础上导出了谐振器频偏量与表面吸附量间的关系公式。实验证明该公式更好地反映了表面吸附与湿敏特性的关系。对于其它石英晶体谐振式气敏及离子敏传感器,该公式也具有相当的实用意义。  
      关键词:石英晶体谐振器;物理性吸附;表面涂覆;切变体声波   
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      更新时间:2025-12-08
    • 全集成通用型MOSFET-C CCII连续时间滤波器的实现

      陈莉, 邱关源
      1995(5)
      摘要:本文提出了一种基于第二代电流传输器(CCII)的全集成二阶通用型MOSFET-C连续时间滤波器,它可以实现诸如低通、带通、高通、带阻及全通二次传递函数。该电路不采用平衡结构,但MOS管的非线性的消除程度则等同平衡结构,灵敏度也较低。  
      关键词:电流模式;集成滤波器;电路实现   
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      更新时间:2025-12-08
    • 多层封装结构中的电阻计算

      任怀龙, 吴洪江, 李松法
      1995(5)
      摘要:本文介绍了一种结合矩量法的边界元分析法,用于计算多层封装结构中,具有任意边界形状的均匀导体平面上各接触点之间的等效电阻网络。  
      关键词:边界元;矩量法;多接触点;内外边界   
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      更新时间:2025-12-08
    • 用于高纯水制备中外压式毛细管超过滤器

      闻瑞梅, 岩堀博, 桂常敦, 高岷
      1995(5)
      摘要:本文介绍了外压式毛细管超过滤器的结构、性能,并与内压式毛细管超过滤器进行了对比。外压式毛细管超过滤器完全可以除去70 以上的胶体、二氧化硅、细菌和内毒素,是适应VLSI需要的最佳终端设备。  
      关键词:高纯水;外压式超过滤器;超大规模集成电路   
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      更新时间:2025-12-08
    • LiNbO3质子交换光波导退火特性的研究

      戴基智, 孙守瑶
      1995(5)
      摘要:本文报道LiNbO质子交换波导的退火特性。用IWKB法计算了热退火前后的折射率分布,并采用广义高斯函数对计算出的折射率分布曲线进行了拟合,反映出该函数能准确而灵活地描述退火质子交换光波导的折射率分布及其变化,在实验中发现,高温下较长时间退火,导模消失。  
      关键词:质子交换;退火;广义高斯函数   
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      更新时间:2025-12-08
    • 微波单片集成电路常用结构的时域分析

      戚颂新, 杨铨让, 薛建辉
      1995(5)
      摘要:本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法,其空间网格能沿任意轴向变化,而且具有高阶离散精度,从而节省了机时,提高了计算精度,并首次应用于微波单片集成电路(MMIC)常用结构的定模分析,具体研究了空气桥、通孔接地对电路性能的影响,其结果与有关文献相一致,验证了算法的正确性和有效性。  
      关键词:时域;单片集成电路;空气桥;通孔接地;非均匀网格   
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      更新时间:2025-12-08
    • 一种新型的YSZ栅MOS氧传感器及其响应机理

      张之圣, 刘志刚, 张维新, 王文生
      1995(5)
      摘要:YSZ栅MOS氧传感器是一种新型的氧敏器件,它是通过在场效应晶体管的绝缘栅上沉积一薄层YSZ制成,本文介绍这种传感器的响应机理,讨论YSZ固体电解质的晶体结构对电导率的影响,给出微观分析结果和对时间的迅速响应特性。  
      关键词:氧敏传感器;固体电解质;电导率   
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      更新时间:2025-12-08
    • 半导体导电陶瓷的研究

      薄占满
      1995(5)
      摘要:半导体导电陶瓷的研究薄占满(天津大学材料科学与工程系,天津300072)SnO_2制成的导电陶瓷能否耐强酸腐蚀,至今尚未见报导,且SnO2熔点很高,难以烧结成瓷,本文对烧结温度低的半导体导电陶瓷及其耐酸能力进行了研究。采用试剂纯ZnO,CuO作为加入...  
        
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      更新时间:2025-12-08
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