最新刊期
      1995年第8期

      • 在Transputer并行加速器上实现并行的版图参数提取

        吴启明, 党慧, 王泽毅
        1995(8)
        摘要：本文叙述ＶＬＳＩＣＡＤ中版图参数提取并行算法在Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器上的实现。参数提取的并行算法是利用图形运算的区域并行性将版图划分为与处理器数目相等的若干区域，然后并行地在各处理器中完成对应区域的版图参数提取，用保持划分区域内图形向量数相等的方法，使各处理器负载均衡，经计算证实，各处理器负载均衡性较好，大大提高了运行速度，Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器具有优良的性能价格比，在其上实现并行的版图参数提取有极大的实用价值。  
        关键词：并行算法;参数提取;Transputer并行加速器;版图划分   
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        更新时间：2025-12-08

      • 一种新的缩短随机测试序列长度的方法

        丁瑾, 胡健栋
        1995(8)
        摘要：本文提出了一种新的缩短随机测试序列长度的方法，它是在找到电路中难测故障分布的基础上，通过对电路的初始输入施加概率不等的＂１＂信号，使这些难测故障的测试率升至最大值，这样，就可以达到提高故障覆盖率和缩短测试序列长度的目的。  
        关键词：随机测试;故障覆盖;概率优化   
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        更新时间：2025-12-08

      • 高压RESURF　LDMOSFET的实现

        卢豫曾
        1995(8)
        摘要：利用ＲＥＳＵＲＦ（ＲＥｄｕｃｅｄＳＵＲｆａｃｅＦｉｅｌｄ）技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ，本文介绍了该高压ＬＤＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅──金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。  
        关键词：高压;横向双扩散MOSFET;低压集成电路工艺;击穿电压;RESURF技术   
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        更新时间：2025-12-08

      • 栅控Tc的高温氧化物超导体场效应晶体管

        蒋建飞, 汤玉生, 蔡琪玉
        1995(8)
        摘要：本文提出了栅控超导临界温度Ｔｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管（ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ）的原理。建立了场控Ｔｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｕＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。  
        关键词：高温氧化物超导体;栅控;场效应   
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        更新时间：2025-12-08

      • 静电驱动硅一体化微机械谐振器

        金仲和, 王跃林, 徐义刚, 丁纯, 陈锋
        1995(8)
        摘要：本文利用硅硅直接键合技术引入了一种完全采用单晶硅制作的静电激励的微机械谐振器，文中对静电激励力进行了分析，实测表明该谐振器频率为５．８６ｋＨｚ，品质因数在１０Ｐａ的低真空下即可达６００以上。  
        关键词：静电力;谐振器;微机械;一体化;频率响应   
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        更新时间：2025-12-08

      • 薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制

        张兴, 石涌泉, 黄敞
        1995(8)
        摘要：本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延、双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜亚微米（实际沟道长度为０．５８μｍ）ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和门延迟时间仅为１７７ｐｓ的１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器。与厚膜器件相比，薄膜全耗尽器件和电路的性能得到了明显的提高。  
        关键词：薄膜;CMOS／SOS;亚微米   
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        更新时间：2025-12-08
      • 徐静平, 余岳辉, 彭昭廉, 陈涛
        1995(8)
        摘要：本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。  
        关键词：薄发射极晶闸管;关断时间;通态压降;存储电荷   
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        更新时间：2025-12-08

      • 短沟道MOST阈值电压温度系数的分析

        柯导明, 童勤义, 冯耀兰
        1995(8)
        摘要：本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。  
        关键词：短沟道MOST;阈值电压温度系数;线性展开式   
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        更新时间：2025-12-08

      • 由非对称MOS源耦对组成的模拟平方器

        邵牟舟, 贾香鸾, 秦世才
        1995(8)
        摘要：本文在对ＭＯＳ非对称源耦对研究的基础上，提出了一种新型模拟平方器，本文给出了电路结构并进行了理论分析。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，在±５Ｖ电源电压，±４Ｖ的输入范围内，最大满度误差为±０．４％，－３ｄＢ带宽为３３ＭＨｚ．  
        关键词：非对称MOS源耦对;模拟平方器;高精度平方器   
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        更新时间：2025-12-08
      • 王伟明, 姚庆栋, 徐胜荣
        1995(8)
        摘要：本文结合Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ网络的结构特点，提出了一种并行实现的黑板模型体系结构。其中引入了＂黑板转播器＂概念，使得模型具有并行度较高、模块化性能好的特点。基于此体系结构，本文实现了一个可用于实时领域的黑板模型试验床系统ＣＰＥＳ，并设计了一种全面支持试验床操作的并行专家系统工具语言──Ｖ语言，本文接着对ＣＰＥＳ的性能如问题求解速度、并行状态下各项开销情况进行了测试，得到了一些有用结果，并反映出ＣＰＥＳ具有较好的实时黑板模型试验床的性能和功能。  
        关键词：黑板模型;并行智能系统;分布式多专家系统   
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        更新时间：2025-12-08

      • 用神经网络求解Job－Shop类型调度问题

        沈刚, 汪叔淳
        1995(8)
        摘要：本文在Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络的基础上针对ＦＭＳ中Ｊｏｂ－ｓｈｏｐ类型调度问题，提出了线性Ｈｏｐｆｉｅｌｄ神经网络的表示方法，给出了网络的能量函数表示方法及神经元状态方程。理论上，证明了算法的收敛性及能量函数中系数与迭代步长的关系，软件模拟计算结果表明，所提出的方法是有效的且计算结果是满意的。  
        关键词：Job－shop调度;约束条件;目标函数;神经网络   
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        更新时间：2025-12-08

      • Kohonen网络后训练阶段自组织的密度分布

        胡德文, 沈实, 王正志, 温熙森
        1995(8)
        摘要：本文首先将Ｋｏｈｏｎｅｎ网络的训练过程划分成两个阶段，即自组织拓扑保持映射形成阶段和训练阶段，进一步分析了后训练阶段的拓扑保持特性，神经元应有的邻域关系，神经元的竞争与感受野的划分等问题，最后定量分析了任意的外部输入概率分布下，一维神经元阵列稳定权重的概率密度分布的递推关系式，最终还得到了外部输入服从均匀分布下的稳定权重的显式解。  
        关键词：神经网络;自组织;感受野   
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        更新时间：2025-12-08

      • 前馈神经网络的一种有效学习算法

        杜正春, 刘玉田, 夏道止
        1995(8)
        摘要：本文提出了基于混合ＧＮ－ＢＦＧＳ法进行前馈神经网络学习的新算法。该算法结合ＧＮ法与ＢＦＧＳ法的特点，既利用了问题本身的特殊结构，又能取得超线性甚至二次渐近收敛率。与ＢＰ算法相比，这种算法可取得更快和更可靠的学习特性，在学习过程中利用该方法能够区分非零残量和零残量问题的特点，提出了自动调整隐单元数的方法，从而可以保证网络的学习与归纳能力。示例系统的结果表明了所提方法的有效性。  
        关键词：前馈神经网络;学习算法;混合GN－BFGS法   
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        更新时间：2025-12-08

      • 基于平均场理论逼近的神经网络

        西广成
        1995(8)
        摘要：本文试图从信息论观点导出平均场理论逼近的神经网络及其退火算法，证明ＡＭＦＴＡ（ＡｌｇｏｒｉｔｈｍｓｏｆＭｅａｎ－ｆｉｅｌｄｔｈｅｏｒｙａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ）和ＡＢＭ（ＡｌｇｏｒｉｔｈｍｏｆＢｏｌｔｚｍａｎｎｍａｃｈｉｎｅ）在一定条件下的等价性，既保留传统Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ机算法的优点又提高了网络趋于稳态的收敛速度。  
        关键词：平均场理论逼近;Boltzmann机;相对熵;均方极限   
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        更新时间：2025-12-08

      • 智能控制的模糊神经网络技术的研究现状与前景展望

        张良杰, 李衍达
        1995(8)
        摘要：本文从模糊系统与神经网络作为自适应模型无关估计器时智能特性的研究、模糊控制器的神经网络实现技术及神经网络学习性能改善的模糊神经网络技术等方面，详细地介绍了目前关于智能控制的模糊神经网络技术的研究现状，同时亦融入了作者关于此课题的一些思想，并对模糊神经网络的研究趋势进行了简单预测。  
        关键词：智能控制;模糊系统;神经网络;模糊神经网络   
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        更新时间：2025-12-08
      • 林波涛, 丘水生
        1995(8)
        摘要：本文提出了高频网络平均法：利用受控电源（控制量为低频变量）来代替电流（或电压）高频变化的元件。利用它对准谐振开关变换器进行分析，得出了其非线性非时变的等效电路。这一方法简单实用，物理意义鲜明，对于准谐振开关变换器的分析具有实用意义。  
        关键词：准谐振开关变换器;等效电路模型;平均;非线性;非时变   
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        更新时间：2025-12-08

      • 子网络级故障诊断中的误区分析

        黄东泉, 蔡金锭
        1995(8)
        摘要：目前国内外流行的应用自验证ＳＴＣ和互验证ＭＴＣ来判定模拟电路子网络级故障的方法，面临着一个基础性核心问题：当解除撕裂端点必须全部可及的限制后，是否有误区存在？可及点分布应遵循什么规律？本文给出的定理回答了这些问题，并论证了撕裂端点全部可及，仅是文中所研究的无误区的一个特例而已。  
        关键词：子网络级故障;自验证;互验证   
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        更新时间：2025-12-08

      • 关于图的极大独立集的理论及生成方法

        李兢, 刘长林, 申石虎
        1995(8)
        摘要：本文研究了生成一个图的全部极大独立集所需的理论，提出了一个实用的生成方法。  
        关键词：图;独立集;极大独立集   
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        更新时间：2025-12-08

      • 用于18位Σ△A／D变换器的降频和低通滤波器

        洪志良
        1995(8)
        摘要：本文介绍用于１８位Σ△Ａ／Ｄ变换器的降频和低通电路。降频部分由５阶ＩＩＲ滤波器，３２：１降频器和５阶ＦＩＲ滤波器组成，低通采用二级波数字滤波器，在降频和波数字滤波器中加入补偿电路，用于补偿降频器的损失。  
        关键词：梳状滤波器;波数字滤波;18位Σ△A／D变换   
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        更新时间：2025-12-08

      • 分布电容对CCII　MOSFET－C集成连续时间带通滤波器的影响

        陈莉, 邱关源
        1995(8)
        摘要：本文用极点分析方法详细地探讨了在高频工作下的ＣＣＩＩＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间带通滤波器，从极点位移直观地反映了ＭＯＳＦＥＴ分布电容及非理想ＣＣＩＩ对主极点频率ωｐ和品质因数Ｑｐ的影响．还用计算机模拟进行了验证。  
        关键词：电流传输器;集成滤波器;高频效应   
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        更新时间：2025-12-08

      • BiCMOS电路可测性设计探讨

        叶波, 郑增钰
        1995(8)
        摘要：本文提出了ＢｉＣＭＯＳ电路的实用可测性设计方案，该方案与传统方法相比，可测性高，硬件花费小，仅需额外添加一个ＭＯＳ管和两个控制端，就可有效地用单个测试码测出ＢｉＣＭＯＳ电路的开路故障和短路故障，减少了测试生成时间，可广泛应用于集成电路设计中。  
        关键词：BiCMOS电路;开路故障;短路故障;可测性设计   
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        更新时间：2025-12-08

      • 互连矩阵最小完全集的一种应用

        王文红, 张德富
        1995(8)
        摘要：本文提出了互连矩阵的最小完全集的概念，揭示出平面ＶＬＳＩ脉动阵列的各种连接方式的内在联系，并将这一概念运用于脉动阵列的设计过程，使求解空间超平面的计算复杂性大大降低，从而提高了以数据相关──超平面法自动设计ＶＬＳＩ系统的可行性。  
        关键词：互连矩阵;最小完全集;VLSI脉动阵列;空间超平面   
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        更新时间：2025-12-08

      • 电子束曝光机自动套准系统的研究

        王向东, 杜秉初, 葛璜
        1995(8)
        摘要：本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度；最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ．  
        关键词：电子束曝光机;套准技术   
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        更新时间：2025-12-08

      • 用计算机VGA显示器复现指定颜色的研究

        徐光佑, 魏然
        1995(8)
        摘要：如能用计算机控制在普通ＶＧＡ显示器上准确地显示出指定的颜色，那么计算机显示系统就将成为色度学、彩色视觉、印刷、印染等领域方便的、价格低廉的研究手段，为此要对计算机显示系统的颜色空间进行标定，这时遇到的主要困难是显示器显示特性的非线性，以及Ｒ、Ｇ、Ｂ三个通道之间的交联作用，我们通过对几种不同型号显示器的研究，对Ｒ、Ｇ、Ｂ三色交联规律作了探索并提出了存在三色交联时的显示特性表示公式和参数标定方法，从而实现无需人工干预的显示指定的颜色，为这个方法的广泛应用打下良好基础，实验证明，文中所提出的方法可显著地减少显示颜色与指定颜色之间的色差，达到可实用的程度。  
        关键词：颜色复现;三色交联;非交互式   
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        更新时间：2025-12-08

      • 重掺杂硅物理参数的低温特性分析

        肖志雄, 郑茳, 魏同立, 王明网, 卓伟, 吴金
        1995(8)
        摘要：本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管电流增益的计算，所获得的计算结果与实验相符合。这为硅低温半导体器件的设计提供了理论基础。  
        关键词：硅;物理参数;低温特性   
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        更新时间：2025-12-08

      • 低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型

        黄流兴, 魏同立, 郑茳
        1995(8)
        摘要：本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型，对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与３００Ｋ和７７Ｋ下的实测结果进行了比较。  
        关键词：双极晶体管;多晶硅发射极;电流增益;截止频率;低温   
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        更新时间：2025-12-08

      • 高速多层神经网络硬件实现与限定精度的学习算法研究

        何其明, 张思和
        1995(8)
        摘要：本文利用两片神经网络处理芯片（ＮＰＳ）ＮＬＸ４２０实现了多层感知机的硬件设计，并针对已实现的硬件环境中进行了限定精度的学习算法研究，给出相应的实验测试结果。  
        关键词：神经网络;硬件实现;数字信号处理   
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        更新时间：2025-12-08

      • 特征结构的高阶神经网计算

        虞水俊, 孔铁生, 梁甸农
        1995(8)
        摘要：本文首先讨论了特征结构提取问题的代价函数表示，然后以该代价函数为媒介，将高阶关联非线性连续时间神经网络引入到特征结构的提取问题中。这种方法直观、明了，它将所要提取的特征结构与网络稳定时的输出直接对应起来。  
        关键词：特征结构;代价函数;神经网络   
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        更新时间：2025-12-08

      • 双异质结激光器的Auger复合分析

        夏瑞东, 常悦, 庄蔚华
        1995(8)
        摘要：本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。  
        关键词：1．55μmInGaAsP／InPDH激光器;漏泄;0．95μm发光带;Auger复合;载流子   
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        更新时间：2025-12-08

      • 开端同轴线应用于无损检测的理论分析

        刘宏
        1995(8)
        摘要：基于测量待测物质在开端波导处的反射以确定其介电特性，由于无需制作样品而成为一种简便的无损检测方法，其关键是要确定反射系数与待测物质介电常数之间的对应关系。在本文中，应用并矢格林函数和特征模理论研究了同轴线开端处的电磁场，利用矩量法进行数值计算，得出介电常数与反射系数的数值对应关系。数值结果与有关文献的比较分析证实了理论分析的可靠性。  
        关键词：开端同轴线;并矢格林函数;特征模;矩量法   
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        更新时间：2025-12-08
      • 1995(8)
        摘要：清华大学微电子学研究所ＲＨＴ半导体快速热处理设备推广应用成绩喜人１９９５年６月１４～１５日，国家科委科技成果司、国家教委科技管理中心和电子部科技司在清华大学召开了现场推广会，对ＲＨＴ半导体快速热处理设备进行了现场使用表演和介绍，会上，各用户单位提交了...  
          
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        更新时间：2025-12-08
      • 1995(8)
        摘要：国家八五重点科技攻关课题──《软件工程开发环境（ＣＡＳＥ）的标准化与实用化》青鸟系统取得丰硕成果一九九五年五月三日，由北京大学等承担的国家＂八五＂科技攻关成果＂青鸟系统的实用化与推广应用＂和＂青鸟系统Ⅱ型（ＪＢ２）的研制开发＂通过了由电子工业部科技司...  
          
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        更新时间：2025-12-08
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