最新刊期
      1996年第2期

      • 面向对象语言BDOL及其支撑环境

        杨芙清, 梅宏, 朱冰
        1996(2)
        摘要：本文介绍一种面向对象语言ＢＤＯＬ，它既是系统规范设计语言，又是系统实现编程语言。ＢＤＯＬ语言支持多种面向对象程序设计语言，如Ｃ＋＋、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ、ＣＬＯＳ等的混合编程，从而使语言表达能力增强，更加灵活，同时也能达到更有效的软件复用。  
        关键词：面向对象语言;合成语言;软件复用;对象模型   
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        更新时间：2025-12-08

      • 基于功能单元最大利用率的调度算法

        李淳, 刘明业, 吴沧浦
        1996(2)
        摘要：高级综合中调度决定系统运行速度与造价的折衷，调度问题为ＮＰ问题，本文将调度问题看作为多目标优化问题，并提出一种基于功能单元最大利用率的调度算法，以较低的时间复杂度求得调度问题的最优或近似最优解。该算法不仅可求解时间约束下的调度问题，也可求解造价约束下的调度问题。  
        关键词：调度;多目标优化;功能单元利用率   
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        更新时间：2025-12-08

      • 多模半导体激光器电路模型

        陈维友, 刘式墉
        1996(2)
        摘要：本文从多模半导体激光器速率方程出发，在假定光谱分布具有高斯形式的前提下，得到一个简单的多模半导体激光器电路模型，该模型对于进行光电集成回路计算机辅助分析尤为适用，可加入到现有电路模拟软件中，亦可在开发新软件中采用。作为模拟实例，用该模型模拟了一种双沟槽隐埋异质结（ＴＢＨ）结构激光器，模拟结果和已报导的实验结果很接近，并分析了该种激光器阈值电流和发射光谱对腔长的依赖关系。  
        关键词：多模半导体激光器;电路模型;计算机辅助分析   
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        更新时间：2025-12-08

      • GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究

        薛舫时, 邓衍茂, 张崇仁
        1996(2)
        摘要：本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件，概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在８ｍｍ波段输出３２０ｍＷ连续波功率，最高振荡效率８％，脉冲工作时输出功率达２Ｗ，效率１０％，然后着重介绍该器件的振荡频率，输出功率随偏压的变化关系，突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构，由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。  
        关键词：异质谷间转移电子器件;正反向偏置器件的振荡特性;异质谷间转移电子器件的工作模式   
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        更新时间：2025-12-08

      • 激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究

        王红卫, 杨景铭, 钱佩信
        1996(2)
        摘要：本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速率等因素有关，并受到工艺稳定性的影响；利用激光单条扫描定域再结晶技术已获得１２μｍ宽度、芯片长度的能用以制作高性能ＭＯＳ－ＦＥＴ的ＳＯＩ单晶条。  
        关键词：三维集成电路;SOI;激光再结晶   
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        更新时间：2025-12-08

      • 统计DCTT最佳容差分配方法

        郝跃, 过润秋
        1996(2)
        摘要：本文提出了集成电路参数最佳容差分配的新模型和方法，该方法利用精确罚函数方法求解一类特殊的不可微最优化问题；它不仅可提供最佳容差分配结果，而且可为ＤＣＴＴ统计最优化提供满意的可行点。同时，这类方法可直接解决集成电路的泛函最优化问题，具有更进一步的拓展性。  
        关键词：集成电路设计;容差分配;统计最优化   
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        更新时间：2025-12-08

      • VLSI版图验证算法的固化研究

        恽峰, 宗华, 闵昊, 童家榕, 唐璞山
        1996(2)
        摘要：ＶＬＳＩ电路芯片集成度的不断增加，使得设计趋于复杂化，这就对版图验证工具的处理能力与性能提出了进一步的要求。运用特殊的硬件将版图验证的某些算法固化，利用其中内在的并行性来获得处理速度的提高是一类非常有效的方法。本文提出了一种用于在版图验证算法中得到广泛运用的线扫描算法中边排序操作的硬件实现。并且在ＦＰＧＡ上进行了验证，整个系统实现于一块ＰＣ机的扩展卡上。测试的结果表明，对于排序的操作，硬件实现的速度要比软件快一个数量级。  
        关键词：VLSI;版图验证;固化   
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        更新时间：2025-12-08

      • 电子产品可靠性投资动态经济效益的评价

        周行权, 蔡宁
        1996(2)
        摘要：本文针对电子产品可靠性投资静态经济效益评价中绝对与相对指标评价结果的不一致性和忽略随机营运期、变可靠度与费用时间价值问题，运用动态评价模型，采用新的投资标准对可靠性投资动态经济效益作了模拟与分析研究。  
        关键词：可靠性投资;动态;经济效益;模拟评价   
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        更新时间：2025-12-08

      • 基于散列技术的并行流水线Join算法的设计与评价

        杨利, 李霖, 周兴铭
        1996(2)
        摘要：本文研究了一种新型的混合式通用并行结构上基于散列技术的并行连接算法的实现技术，并建立了一种性能分析模型。这种模型特别刻划了系统中三种主要资源ＣＰＵ、磁盘、互联网之间的操作重叠。我们以这一模型为基础深入分析了并行Ｈｙｂｒｉｄ散列连接算法（称为ＰＨＨＪ）和它的一种基于小关系复制技术的变形算法（称为ＰＨＨＪＲ）的性能及与系统结构之间的关系。我们还结合传统的位向量过滤技术提出一种用对称位向最和内外关系角色转换的技术，进一步提高并行连接算法的性能。  
        关键词：并行连接;并行结构;对称位向量;性能评价;重叠   
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        更新时间：2025-12-08

      • 薄膜全耗尽SOI门阵列电路设计与实现

        魏丽琼, 张兴, 李映雪, 王阳元
        1996(2)
        摘要：在Ｄａｉｓｙ系统上设计出通用性强、使用方便的ＳＯＩ门阵列母版及门阵列电路，并采用１．５μｍＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺在薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ材料上得以实现，其中包括多种分频器电路和环形振荡器，环振可工作在２．５Ｖ，门延迟时间在５Ｖ时为４３０ｐｓ。  
        关键词：门阵列;薄膜全耗尽;SOI;SIMOX   
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        更新时间：2025-12-08

      • 一种新的用于图象处理的存储系统

        舒清明, 徐葭生, 陈弘毅
        1996(2)
        摘要：本文介绍了一种新的图象存储系统，它支持对图象矩阵的任意位置进行ｐ×ｑ块方式存取，该图象存储系统具有ｐｑ个存储模块，采用新提出的存储模块分配函数和地址分配函数。其地址计算电路极其简单，仅含３个加法器和ｐｑ个４：１多路器，能够同时为ｐｑ个存储模块计算地址；数据分布电路只有一个，用来完成读出和写入时数据在数据寄存器和存储模块之间的分布。与同类存储系统比较，该存储系统高效、简单。  
        关键词：图象处理;存储系统;地址计算电路;数据分布电路   
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        更新时间：2025-12-08

      • ECR－PECVD制备Si3N4薄膜的特性及其应用的研究

        任兆杏, 陈俊芳, 丁振峰, 史义才, 宋银根, 王道修
        1996(2)
        摘要：本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％。测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度。利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应。初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的超高频大功率晶体管器件中作为钝化膜的应用研究。  
        关键词：ECR－PECVD;Si3N4钝化膜;光学特性   
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        更新时间：2025-12-08

      • 发射极开关晶闸管正向特性分析

        王新, 李肇基, 唐茂成
        1996(2)
        摘要：本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ（ＥｍｉｔｔｅｒＳｗｉｔｃｈｅｄＴｈｙｒｉｓｔｏｒ）正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域。从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其正向特性进行了解析分析。最后将实验结果、解析分析结果及数值分析结果进行比较，发现数值分析结果和解析分析结果吻合较好，同时说明了解析结果和实验结果之间存在差别的原因。  
        关键词：发射极开关晶闸管;数值分析;解析分析   
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        更新时间：2025-12-08

      • 双向负阻器件的数值模拟

        李建军, 魏希文, 王美田, 李风银, 王化雨, 盖学敏
        1996(2)
        摘要：本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。  
        关键词：负阻器件;数值模拟   
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        更新时间：2025-12-08

      • 人工神经网络理论研究进展

        陈国良, 韩文廷
        1996(2)
        摘要：本文综述了人工神经网络理论中的几种典型方法及近期的一些应用。  
        关键词：吸引子;平均场;学习法则;逼近理论;流形   
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        更新时间：2025-12-08

      • 电子器件可靠性的噪声表征方法

        庄奕琪, 孙青
        1996(2)
        摘要：随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展，传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。近年来得到的大量研究结果表明，对于大多数电子器件，噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映，噪声检测方法以其灵敏、普适、快速和非破坏性的突出优点，正在发展成为一种新型的电子器件可靠性表征工具。本文对该领域目前的研究进展做了概括性的评述。  
        关键词：电子器件;噪声;可靠性;缺陷   
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        更新时间：2025-12-08

      • 微波集成MESFET放大器的全自动设计

        李呜, 田洪海, 李玉宏, 吴咏诗
        1996(2)
        摘要：本文发表了一种ＭＩＣＭＥＳＦＥＴ放大器的全自动设计方法，通常需要由设计者本人设定的初始考虑和网络拓扑，在这个基于知识库的智能化设计方法中全部可以机助自动确定，因而可提高设计质量。  
        关键词：微波集成电路;放大器;自动化设计;知识库;智能化设计   
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        更新时间：2025-12-08

      • 低能离子注入的应用

        关安民, 罗潮渭, 李钧, 石华君, 林成鲁, 夏冠群
        1996(2)
        摘要：集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及它们在一－些器件上应用的结果。  
        关键词：低能离子注入;超浅结;超薄有源层   
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        更新时间：2025-12-08

      • 用离子束技术改善材料电子发射特性的研究

        柳襄怀, 朱宏, 郑志宏, 刘炎源, 吴静贤
        1996(2)
        摘要：本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的＂栅发射＂得到抑制。测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。  
        关键词：离子束技术;电子发射特性;逸出功   
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        更新时间：2025-12-08

      • 高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子

        张维连, 王志军
        1996(2)
        摘要：为了消除辐照损伤，获得准确的目标电阻率，中子嬗变掺杂区熔硅（ＮＴＤＦＺＳｉ）通常采用７５０～８５０℃－２ｈ的退火工艺。实践中发现，采用上述工艺退火后的ＮＴＤＦＺＳｉ在大于１１５０℃－５ｈ退火时，会出现电阻率下降的现象，下降幅度在１０％～３０％左右。不中照的ＦＺＳｉ则没有观察到这种现象。这表明，在１１５０℃以上长时间退火时，ＮＴＤＦＺＳｉ中产生了过剩载流子，本文研究了这种现象产生的机理及其与辐照通量和原始晶体质量的关系。实验表明原始晶体微缺陷密度越高，辐照通量越大，电阻率偏离的程度越明显。本文认为多余载流子的产生来源于中子辐照造成的晶格损伤缺陷，并与原始单晶缺陷有关。  
        关键词：NTDFZSi;辐照损伤;微缺陷;电阻率的热温定性;载流子   
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        更新时间：2025-12-08

      • 深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟

        张兴, 石涌泉, 黄敞
        1996(2)
        摘要：开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模拟，利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为５０～４００ｎｍ、沟道长度为０．１５～１．０μｍ的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环形振荡器电路，使我们对深亚微米薄膜ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振的特性及工作机理有了较为清晰的认识，模拟结果与实验结果进行了对照，两者吻合得较好。  
        关键词：薄膜;CMOS／SOI;集成数值模型;环振   
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        更新时间：2025-12-08

      • 毫米波宽带超线性扫频源

        恽小华, 恽才华, 周白华, 张国春
        1996(2)
        摘要：本文研究了毫米波宽带线性扫频技术，提出了将锁相技术和延迟线结合起来改善线性度这一新思想，并导出了锁相扫频环路的设计准则，采用了无色散的体声波延迟线、数字锁相环路、单片微波器件、高性能的毫米波器件等，结构上采用了高密度组装、ＳＭＴ等先进技术，研制的扫频源主要指标为带宽５００ＭＨｚ，线性度优于０．０１％。  
        关键词：毫米波;宽带扫频源;锁相扫频技术;超线性   
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        更新时间：2025-12-08

      • 不均匀任务问题在MIMD并行处理系统中的均衡映射

        陈德来, 肖军, 张德富
        1996(2)
        摘要：本文根据并行处理机结构和求解问题的计算量和通信量的关系特性，给出了静态任务均衡映射的形式化描述，提出了适合于均衡映射的费用函数，并运用模拟退火算法寻找最佳映射，从而可将不均匀任务问题均衡映射到基于消息传递的ＭＩＭＤ并行处理机中高效地并行求解。  
        关键词：映射;MIMD系统;模拟退火算法;费用函数   
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        更新时间：2025-12-08

      • 一种高速模糊控制器的硬件设计

        郑启伦, 兰斌, 赵明, 黄贯光
        1996(2)
        摘要：本文采用了先进模糊规则算法，提出了一种以ＭＯＳ－ＤＹＬ集成电路为基本电路的模糊控制器的设计方法，设计了一种用ＭＯＳ电流镜的电流型电路和ＤＹＬ电压型电路互相兼容在一块芯片上高速的模糊逻辑硬件系统。研究结果证明，其速度可达２×１０７ＦＩＰＳ（每秒模糊逻辑推理次数）。  
        关键词：模糊控制器;模糊推理;DYL电路;MOS电流镜   
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        更新时间：2025-12-08

      • 新型热离子光电探测器

        陈钟谋
        1996(2)
        摘要：本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件，在基本结构上异于普通的ｐ－ｉ－ｎ光电两极管，雪崩两极管及光电三极管，而又区别于其它多子器件：①存在着一个大的中央ｐ＋ｎ－结区域，它在功能上类似空穴存储库。③在ｐｎ两极管的周围处有一个特殊形状的ｎ＋＋ｐ＋ｎ－框架结构。普通光电两极管在６３３ｎｍ的绝对灵敏度为０．３５Ａ／Ｗ，新器件为１．３６Ａ／Ｗ。  
        关键词：热离子光电二极管;多数载流子传输;硅半导体器件   
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        更新时间：2025-12-08

      • 自加热气敏电阻振荡周期的分析

        杨崇志, 戴国瑞, 王力丁, 孙良彦
        1996(2)
        摘要：ＳｎＯ２气敏电阻在含ＣＯ空气中的振荡机理，给出了气敏电阻在含ＣＯ空气中的热学方程式，获得了振荡周期τ的近似表达式，气敏电阻起振的必要条件及振荡周期τ与ＣＯ气体浓度Ｎ、工作电压Ｖ的关系。  
        关键词：气敏电阻;反应热;振荡机理   
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        更新时间：2025-12-08

      • LiNbO3质子交换波导性能不稳定性的研究

        孙守瑶, 戴基智
        1996(2)
        摘要：对在不同条件下ｘ切ＬｉＮｂＯ３与纯苯甲酸进行质子交换所得波导的模折射率随时间变化的观测结果表明，质子交换波导中存在着性能不稳定性，这种不稳定性与波导的制作条件、工作（或存放）环境温度等有关，对造成这种不稳定现象的原因进行了讨论，并提出了克服不稳定性的一些措施，红外吸收与二次离子质谱测试结果与分析论点吻合。  
        关键词：质子交换波导;不稳定性;质子浓度;中间相;共析   
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        更新时间：2025-12-08

      • 用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性

        朱美芳, 罗光明
        1996(2)
        摘要：通过光热偏转谱（ＰＤＳ）研究了衬底温度对用超高频辉光放电（ＶＨＦ－ＧＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ光学特性的影响。考虑了电子在缺陷态的相关统计，数字拟合各样品在不同亚稳状态下ＰＤＳ次带吸收谱（０．８～１．７ｅＶ）．获得带尾态，光能隙，缺陷态分布及相关能等电子态结构参数。结果表明，缺陷态分布随光照时间向能隙深处移动，相关能增加。在电中性条件下，用迭代法求出费米能级与电导率，与实验结果吻合较好。分析讨论所用计算模型的可靠性及实用性。  
        关键词：非晶硅缺陷;光热偏转;稳定性   
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        更新时间：2025-12-08

      • Viterbi译码器VLSI设计中幸存路径存储管理的新方法

        韩雁, 石教英
        1996(2)
        摘要：Ｖｉｔｅｒｂｉ译码器中幸存路径存储管理一直沿袭两种传统方法─寄存器交换法与回索法。寄存器交换法内连线机制过于复杂，不利用大状态数译码器的硬件实现；回索法需采用大量额外存储单元作为缓冲，译码延迟亦较大。本文提出了一种幸存路径存储管理的新方法─寄存器／三态门回索法，结合了以上两种传统方法的优点，克服了它们的不足，极适合于Ｖｉｔｅｒｂｉ译码器的ＶＬＳＩ实现。  
        关键词：Viterbi译码;幸存路径存储;寄存器交换;回索   
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        更新时间：2025-12-08
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