最新刊期
      1996年第5期

      • 多值和多阈值神经元及其网络组合与应用

        王守觉
        1996(5)
        摘要：本文提出了输出特性具有多值和多阈值特性的神经元。这种新神经元的功能在于它用多个阈值把输入空间划分成多个超平带，并可把各个超平带按需求归类或赋以不同的输出值作为标号。以这类神经元为基础讨论了在解决奇偶校验问题和实现特定逻辑功能方面的优越性。理论上只需一个神经元就能实现任意位的奇偶校验或任意的逻辑功能，因而特别适合在模式识别和分类中应用。论文还研究了多阈值神经元的组合问题，发现二个多阈值神经元的特定组合可以发生阈值数量的倍增现象，这为复杂多阈值神经元的模拟计算与硬件实现提供了方便途径。  
        关键词：神经网络;多值;多阈值;模式识别   
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        201
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        49
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34258287 false
        更新时间：2025-12-08

      • GeSi　CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型

        金晓军, 梁骏吾
        1996(5)
        摘要：本文首次提出了一个用以分析ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金ＣＶＤ生长的流体力学和表面反应动力学的统一模型，利用流体力学的偏微分方程组计算了反应管内的速度场、温度场和浓度场。讨论了反应管中的质量传输对生长速度的影响和生长过程中锗和硅的不同的生长速度控制机制。从生长的初始条件出发同时模拟了ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金外延层的生长速度和外延层中的锗组分。计算结果和实验结果符合得很好。本文还定量地解释了外延速度及薄膜中锗组分随ＧｅＨ４浓度的变化规律。  
        关键词：化学气相外延;GexSi1－x;外延机制   
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        9
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255220 false
        更新时间：2025-12-08

      • 基于峰域工作点的间接耦合光电探测器

        何民才, 陈长清, 郭缨, 刘志伟
        1996(5)
        摘要：本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１（具有内部增益）的分析结果。  
        关键词：光电探测器;间接耦合光电探测器;响应时间;内部增益   
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        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255266 false
        更新时间：2025-12-08

      • 压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的简单计算

        彭宇恒, 陈维友, 赵铁民, 刘式墉
        1996(5)
        摘要：本文根据一维势阱和应变效应以及能带填充效应的简单理论，提供了一种既简单又较准确的计算压缩应变量子阱激光器峰值增益波长的方法。给出影响峰值增益能量的两个主要因素，讨论了在压缩应变的情况下，Ｆｅｉｍｉ－Ｄｉｒａｃ分布函数随注入载流子浓度的变化对峰值增益波长的影响，并且，以ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ压缩应变量子阱激光器为例，利用广泛采用的Ｌｏｒｅｎｔｚｉａｎ线形函数，计算了不同的载流子注入浓度时的峰值增益波长。  
        关键词：峰值增益波长;Feimi－Dirac分布函数;Lorentzian线形函数   
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        100
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256255 false
        更新时间：2025-12-08

      • 非均匀传输线综合的特征法

        毛军发, 李征帆
        1996(5)
        摘要：本文利用特征法对无耗非均匀传输线进行了综合。在二倍于传输线延时的时间范围内给定时域反射（ＴＤＲ）电压响应的ｍ个取样值，则非均匀传输线可由ｍ段长度不等、延时为相应时间取样间隔的均匀线近似，各均匀传输线段的特性阻抗可唯一求出。非均匀传输线上信号的传播速度沿线可以变化，ＴＤＲ响应无须分解为入射波和反射波，使得本文方法比传统的利用散射参数的综合方法更加简单、有效。应用实例表明，综合精度非常理想。  
        关键词：传输线;TDR响应;综合;特征法   
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        268
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        11
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255311 false
        更新时间：2025-12-08

      • 集成化专家数据库系统工具的研究与实现

        周立, 吴泉源
        1996(5)
        摘要：本文旨在研究智能软件与计算机主流技术相结合，特别是与数据库技术相结合的理论和技术，提供一种集逻辑程序设计范例、面向对象程序设计范例和面向智能体程序设计范例于一体的多范例合成语言，研究并实现一个适合于开发不同类型专家系统以及进行知识与数据集成处理的工具系统。  
        关键词：集成;专家数据库;逻辑;对象;智能体   
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        42
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256215 false
        更新时间：2025-12-08

      • 基于模式分量最优稳定性准则的联想记忆学习算法

        梁学斌, 吴立德
        1996(5)
        摘要：提出了设计联想记忆神经网络的模式分量最优稳定性准则，即使得每个模式分量对于模式畸变都具有最大的联想容错性，基于此，发展了一个约束感知器优化学习算法。它具有两个特点：（ｌ）可以全部存储任意给定的训练模式集；（２）每个模式分量都具有最大的联想容错性，实验结果表明，所提出的优化学习算法比现有算法具有更强的存储联想能力。  
        关键词：联想记忆;全部存储;最优稳定性;优化学习算法   
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        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256484 false
        更新时间：2025-12-08

      • A1xGa1－xAs／GaAs太阳电池的结构观察和器件性能

        李标, 向贤碧, 许颖, 费雪英
        1996(5)
        摘要：运用不同的液相外延（ＬＰＥ）生长工艺，制备了两种结构的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池，并结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明，与过冷生长技术相比，回熔工艺对衬底质量的要求不严格，且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下，我们所获得太阳电池的全面积转换效率在ＡＭ０，１ｓｕｎ条件下为１８．７８％（０．７２ｃｍ２），在ＡＭ１．５，ｌｓｕｎ条件下为２３．１７％。  
        关键词：GaAs;太阳电池;液相外延   
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        |
        65
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34258361 false
        更新时间：2025-12-08

      • 用1／f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性

        庄奕琪, 孙青, 侯洵
        1996(5)
        摘要：负温偏不稳定性是ＭＯＳ器件最重要的可靠性问题之一。本文从实验上发现ＭＯＳ－ＦＥＴ的１／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。理论分析表明，导致负温偏不稳定性的与产生１／ｆ噪声的均为Ｓｉ－ＳｉＯ２界面过渡层内的电荷与陷阱。据此，１／ｆ噪声测量可作为快速评价与分析ＭＯＳ器件负温偏不稳定性的一种有效手段。  
        关键词：1／f噪声;不稳定性;MOSFET;Si－SiO2界面   
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        5
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255362 false
        更新时间：2025-12-08

      • 超导场效应器件的统一小信号传输线模型

        蒋建飞, 蔡琪玉, 汤玉生, 周正利
        1996(5)
        摘要：本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。  
        关键词：统一小信号模型;超导场效应器件;超导传输线   
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        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255676 false
        更新时间：2025-12-08

      • 全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型

        付军, 田立林, 钱佩信, 罗台秦
        1996(5)
        摘要：本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。  
        关键词：全耗尽SOIMOSFET;阈电压;解析模型   
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        85
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        4
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256313 false
        更新时间：2025-12-08
      • 奚雪梅, 王阳元
        1996(5)
        摘要：本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。模型计算结果与实验曲线吻合较好。同时，本电流模型将本征ＭＯＳＦＥＴ模型与ＬＤＤ／ＬＤＳ区分开，形式简洁，参数提取方便，便于移植入电路模拟程序中。  
        关键词：LDD／LDS结构;SOI－MOSFET器件模型   
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        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256182 false
        更新时间：2025-12-08

      • S－域行为描述的模拟集成电路综合方法

        杨华中, 范崇治, 汪蕙, 刘润生
        1996(5)
        摘要：本文提出了一种通用的、从Ｓ－域传输函数入手进行模拟集成电路结构级综合的方法，并详细地讨论了提高电路性能和合格率的电路技巧。此外，本文还给出了生成物理版图的一点建议，本文采用该方法完成了切比雪夫滤波器的综合，ＳＰＩＣＥ模拟结果表明该方法是可行的。  
        关键词：模拟集成电路设计自动化;集成电路计算机辅助设计   
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        43
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        3
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255417 false
        更新时间：2025-12-08

      • MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

        李学宁, 唐茂成, 李肇基, 李原, 刘玉书
        1996(5)
        摘要：本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。  
        关键词：三重扩散;MOS控制晶闸管;工艺仿真   
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        4
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255815 false
        更新时间：2025-12-08

      • 带前置光放大器的光接收机灵敏度分析

        闵双全, 黄德修
        1996(5)
        摘要：本文分析了半导体光放大器的噪声特性，并首次推导出带前置光放大器的接收机灵敏度公式。结果表明，除光放大器内增益外，光放大器入射端耦合效率是影响这种接收机灵敏度的主要因素，而且其最佳判决电平高于原接收机。  
        关键词：前置光放大器;光接收机;灵敏度   
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        5
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255744 false
        更新时间：2025-12-08

      • 单片集成锁相环的实用宏模型

        陈邦媛, 仇沁茹, 仇佩亮
        1996(5)
        摘要：本文提出了一个能在ＳＰＩＣＥ通用电路分析程序上运行的单片集成锁相环ＬＭ５６５的宏模型。宏模型引出脚与实际器件一一对应，较好地模拟了ＬＭ５６５各个引脚的输出波形及外部元件对其性能的控制，使之能实际应用到由ＬＭ５６５构成的各种电路的计算机辅助分析中。  
        关键词：宏模型;集成锁相环;压控振荡器;鉴相器;环路滤波器   
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        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255961 false
        更新时间：2025-12-08

      • 155Mb／s时分光交换系统

        张志坚, 郭奕理, 马敏, 张权生, 周炳琨
        1996(5)
        摘要：本文介绍了国内第一个１５５Ｍｂ／ｓ时分光交换实验系统，系统以新型半导体光器件──半导体光开关门为核心构成，传输速度为１５５Ｍｂ／ｓ，实现了四路３４Ｍｂ／ｓ用户数据交换功能（两种演示），并进行了控制数据包传输实验，为进一步的光数据包交换和光ＡＴＭ交换的研究提供了参考。  
        关键词：光交换;包交换;半导体放大器   
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        |
        33
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        1
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34255898 false
        更新时间：2025-12-08

      • 离子／电子混合导体CuxMo6S8－y的性能研究

        邓宏, 陈艾
        1996(5)
        摘要：本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。  
        关键词：混合导体;离子电导率;电子电导率   
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        4
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256065 false
        更新时间：2025-12-08

      • 低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

        肖志雄, 魏同立
        1996(5)
        摘要：本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。  
        关键词：硅双极晶体管;电流增益;低温;高注入;定量模拟   
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        |
        28
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257537 false
        更新时间：2025-12-08

      • 超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量

        赵宝瑛, 何美华, 罗葵, 张利春
        1996(5)
        摘要：本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证，结果表明，用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。这里提出了一套测量晶体管串联电阻的新方法。新方法克服了常规方法的困难，满足了测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的要求。  
        关键词：多晶硅发射极晶体管串联电阻测量;Ning－Tang方法;修正的Forced－Beta方法   
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        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257475 false
        更新时间：2025-12-08

      • SIT高频大功率谐振逆变器的研究

        李津福, 章亦葵, 张立
        1996(5)
        摘要：本文简述了静电感应晶体管（ＳＩＴ）大功率感应加热电源的研究成果。着重介绍了ＳＩＴ的参数选择及控制方法。此项成果已成功地应用于全固态高频钢筋生产线上。  
        关键词：SIT;谐振逆变器;感应加热   
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        64
        |
        11
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256012 false
        更新时间：2025-12-08

      • 学习数值模式和模糊规则的Pi－Sigma网络

        孙怀江, 孙进才, 倪昌祥
        1996(5)
        摘要：本文推广了Ｐｉ－ｓｉｇｍａ网络学习算法，并提出了一种计算模糊数α水平集乘积的简单算法，使得在设计Ｐｉ－ｓｉｇｍａ网络分类器时，既能利用数值数据，又能利用以模糊ＩＦ－ＴＨＥＮ规则表达的专家知识，仿真结果验证了这种推广学习算法的正确性，并表明，在某些情况下，基于Ｐｉ－ｓｉｇｍａ网络的方法比基于多层感知机的方法需要更简单的网络结构和短得多的训练时间。  
        关键词：Pi－sigma网络;多层感知机;分类器;模糊数;α水平集   
        2
        |
        38
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34258469 false
        更新时间：2025-12-08

      • 8状态32QAM维特比译码器的硬件设计

        韩雁, 王匡, 姚庆栋
        1996(5)
        摘要：由于格状编码调制（ＴＣＭ）可以在相同的频带利用率下使信号得到２．５５～７．３７ｄＢ的编码增益，所以得到了广泛的应用。鉴于ＴＣＭ的维特比（Ｖｉｔｅｒｂｉ）译码器在ＨＤＴＶ系统实现中具有的重要作用，本文开展了对维特比译码器的硬件设计工作。探讨了在硬件实现中可能影响维特比译码器性能的诸种因素及解决途径，完成了一个具有３万门规模的８状态３２ＱＡＭ维特比译码器的ＶＬＳＩ电路设计，并通过了计算机工作站的逻辑模拟。  
        关键词：格状编码调制;维特比译码器;VLSI电路设计   
        2
        |
        97
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257599 false
        更新时间：2025-12-08

      • 带阶梯输出函数的细胞神经网络

        王俊生, 甘强, 韦钰
        1996(5)
        摘要：本文给出了带阶梯输出函数的细胞神经网络（ＣＮＮ）的稳定性定理。利用阶梯输出函数的各“台阶”记忆不同灰度，实现了灰度模式的ＣＮＮ联想记忆。  
        关键词：细胞神经网络;联想记忆;阶梯输出函数   
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257254 false
        更新时间：2025-12-08

      • 磁光存储系统数据信道误码特性分析

        曹丹华, 吴裕斌, 阮玉
        1996(5)
        摘要：本文分析了磁光存储系统产生误码的原因，针对系统在读取数据“１”和“０”时信道噪声强度不同这一特殊性，导出了描述信道误码特性的数学模型，并在此基础上研究了磁光信号检偏方式与信道误码特性的关系，分析结果表明：平衡差分信道的容错能力略高于非平衡差分信道。  
        关键词：磁光存储;误码;数据信道;信道特性   
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        48
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        8
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256098 false
        更新时间：2025-12-08

      • 微波ECR等离子体中的电子能量吸收的计算

        杨银堂, 恩云飞, 孙青
        1996(5)
        摘要：本文研究了ＥＣＲ系统中微波能量的耦合过程，给出了电子能量吸收的数值计算，发现ＥＣＲ共振腔内静磁场的分布、工作气压和微波功率是决定产生高能电子的主要因素，从而决定了ＥＣＲＣＶＤ薄膜淀积工艺的有关参数。进行了ＥＣＲＣＶＤＳｉＮ薄膜的工艺实验，其结果与理论计算符合得较好。  
        关键词：电子回旋共振（ECR）;微波能量耦合;能量吸收;化学气相淀积（CVD）   
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        4
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34256841 false
        更新时间：2025-12-08

      • 粉末溅射平面薄膜型SnO2／CeO2酒敏传感器

        李建明, 刘文利, 裘南畹, 吕红浪
        1996(5)
        摘要：介绍粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度和掺杂量等关系的研究结果，并根据此结果对平面薄膜型酒敏传感器的工艺和结构进行的设计；介绍所研制器件的一些性能，并对有关问题进行讨论。  
        关键词：粉末溅射;薄膜;传感器;酒敏   
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        76
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        17
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257188 false
        更新时间：2025-12-08

      • X切Ti：LiNbO3调制器的有限元法分析

        靳晓民, 吴伯瑜, 张军, 张克潜
        1996(5)
        摘要：本文用有限元法（ＦＥＭ）第一次较为准确地分析了各种ｘ切Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３电光调制器的场分布，并用其结果计算了调制器的特性参数──开关电压、调制带宽、特性阻抗、微波等效折射率等。利用有限元法的特点，第一次在计算调制器的特性时考虑了ＬｉＮｂＯ３基片厚度对器件的影响。  
        关键词：FEM分析;Ti：LiNbO3电光调制器   
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        58
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        2
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257306 false
        更新时间：2025-12-08

      • 自组织和自稳定的视觉模式学习系统

        沈实, 王正志, 胡德文, 任玲
        1996(5)
        摘要：本文利用多层前馈式的Ｎｅｏｃｏｇｎｉｔｒｏｎ网络和自适应共振ＡＲＴ网络研制了一种自组织和自稳定的视觉模式学习系统ＡＲＴ２－Ｃｏｇｎｉｚｅｒ，它对模式在视野中的缩小、放大、平移具有较好的容忍能力。  
        关键词：模式识别;机器学习;新认知机;自适应共振   
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257708 false
        更新时间：2025-12-08

      • 电容式压力传感器电路的温度补偿

        张国华
        1996(5)
        摘要：本文提出了一种电容式压力传感器的温度补偿方法，它适用于在不同输入压力下的温度补偿。本文设计的相应的补偿电路，经高低温测试，其补偿效果良好。对变送电路的输出输入关系也作了推导。  
        关键词：电容器;电容式压力传感器;电路设计;温度补偿;温度系数   
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        305
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        6
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257396 false
        更新时间：2025-12-08

      • 12GHz卫星电视微带平面天线阵

        邸元春
        1996(5)
        摘要：１２ＧＨｚ卫星电视微带平面天线阵ＭｉｃｒｏｓｔｒｉｐＰｌａｎａｒＡｒｒａｙＡｎｔｅｎｎａｓｏｆ１２ＧＨｚＳａｔｅｌｌｉｔｅＴＶ￥ＤｉＹｕａｎｃｈｕｎ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，大连１１６０２３）邸元春(大连理工大学，大...  
          
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        67
        |
        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257432 false
        更新时间：2025-12-08

      • 适合于数字VLSI实现的指数相关联想记忆等效运算算法

        杨绿溪, 王保云, 何振亚
        1996(5)
        摘要：适合于数字ＶＬＳＩ实现的指数相关联想记忆等效运算算法杨绿溪，王保云，何振亚（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）自１９８２年Ｈｏｐｆｉｅｌｄ网络被用于联想记忆，人们一直在致力于研究新的高容量联想记忆神经网络，Ｒ．Ｍ．Ｇｏｏｄｍａｎ等人提出的指数相...  
          
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        40
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        0
        <HTML>
        <Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 34257092 false
        更新时间：2025-12-08
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