您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究
论文 | 更新时间:2025-07-16
    • 衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究

    • Study of Substrate Hot Electron Enhanced Breakdown Characteristics of Thin SiO2

    • 刘红侠 ,郝 跃 ,黄 涛 ,方建平
    • 电子学报 2001年29卷第11期 页码:1468-1470

    移动端阅览

  •  
  •  
  • HTML全文

  • 参考文献

  • 出版信息

  • 数据统计

论文导航
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

71

浏览量

1347

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
  • BibTeX下载
  • Endnote下载
  • RefMan 下载
  • NoteExpress下载
  • NoteFirst下载

相关文章

端网协同传输技术演进与思考
TF-PEFT:面向脑电基础模型的时频双流参数高效微调框架
CloAct:基于克隆关系和模体的关键类识别方法
低轨卫星网络自适应随机接入研究
动态二部图上高效的BiCore-索引维护算法

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据